Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA12N90 ( FQA12N90C ) оригінал (12A,900V), TO-3P
117,50 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA12N90 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 900 В, 12 А у корпусі TO-3P. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 900 В |
| Струм Id | 12 А |
| Опір Rds(on) | до 1,2 Ом (Vgs = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 67,5 нКл |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FQA12N90 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-3P. У назві також вказано позначення FQA12N90C. За назвою товару: напруга Vds 900 В, струм Id 12 А. Точного даташиту на FQA12N90 не знайшли, тому решту параметрів наведено за даташитом найближчої схожої деталі 12N90-C (UTC): напруга затвор–витік ±30 В, опір відкритого каналу Rds(on) не більше 1,2 Ом (Vgs = 10 В, Id = 6,0 А), порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В. Заряд затвора Qg 67,5 нКл, вхідна ємність Ciss 1912 пФ, температура переходу до +150 °C. Вбудований діод має пряму напругу не більше 1,4 В при струмі 12 А. Документ описує корпуси TO-220F2 і TO-3PN, тому потужність і тепловий опір з нього не наводимо.
За даташитом такі транзистори ставлять в імпульсні блоки живлення, ШІМ-керування двигунами й AC/DC-перетворювачі. Оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте в корпусі TO-3P з напругою Vds не нижче 900 В, струмом Id не нижче 12 А і опором відкритого каналу не вищим. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 12N90-C 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні блоки живлення
- ШІМ-керування двигунами
- AC/DC-перетворювачі
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQA12N90?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з напругою Vds не меншою за 900 В, струмом Id не меншим за 12 А і опором відкритого каналу не вищим за 1,2 Ом. Перед заміною звірте параметри з документацією на ваш пристрій.
Яка розпіновка у FQA12N90?
За даташитом 12N90-C: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Перед монтажем звірте з платою.
Звідки параметри FQA12N90?
Напруга 900 В і струм 12 А – з назви товару. Решту параметрів наведено за даташитом найближчої схожої деталі – 12N90-C (UTC). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: 12N90-C (UTC).
Точного даташиту на FQA12N90 не знайдено. Найближчий схожий даташит – 12N90-C (UTC), корпуси TO-220F2 і TO-3PN.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.