Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA20N65D ( FQA20N65) оригінал ( заміна для FQA20N65C , FHA20N65 )(650V,20A), TO-3P
117,50 ₴
43 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
43 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA20N65D – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 650 В, 20 А у корпусі TO-3P. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,40 Ом тип., 0,50 Ом макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 260 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FQA20N65D – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-3P. У назві також вказано позначення FQA20N65. Точного даташиту на FQA20N65D не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі 20N65D (WXDH), де описано і корпус TO-3P: напруга Vds 650 В, напруга затвор–витік ±30 В. Струм Id 20 А при Tc = 25 °C і 12,5 А при 100 °C, імпульсний Idm 80 А. Потужність розсіювання Pd 260 Вт (Tc = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,45 °C/Вт, температура переходу від –55 до +150 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0,40 Ом типово і не більше 0,50 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, заряд затвора Qg 58 нКл, вхідна ємність Ciss 2983 пФ. Вбудований діод має пряму напругу не більше 1,5 В при струмі 20 А.
За даташитом такі транзистори ставлять в імпульсні джерела живлення, електронні баласти й адаптери. Оригінал, не демонтаж. У назві вказано, що FQA20N65D може замінити FQA20N65C та FHA20N65. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 20N65D 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні джерела живлення
- електронні баласти
- адаптери живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQA20N65D?
У назві товару вказано, що FQA20N65D може замінити FQA20N65C та FHA20N65. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 650 В, Id не нижче 20 А і опором відкритого каналу не вищим за 0,50 Ом.
Яка розпіновка у FQA20N65D?
За даташитом 20N65D: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Перед монтажем звірте з платою.
Звідки параметри FQA20N65D?
Точного даташиту на FQA20N65D не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – 20N65D (WXDH), корпус TO-3P. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: 20N65D (WXDH).
Точного даташиту на FQA20N65D не знайдено. Найближчий схожий даташит – 20N65D (WXDH), корпус TO-3P.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.