Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQPF7N80C оригінал, TO220F

71,44 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FQPF7N80C – N-канальний польовий транзистор серії QFET для імпульсних блоків живлення й PFC, корпус TO-220F. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал (QFET)
КорпусTO-220F
Напруга Vds800 В (Tc 25 °C, BVDSS при Id 250 мкА, Vgs 0 В, мін.)
Струм стоку Id6.6 А (Tc 25 °C); 4.2 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on) максимальний1.9 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А)
Опір Rds(on) типовий1.57 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А)
Заряд затвора Qg27 нКл типовий (Vds 640 В, Id 6.6 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss1290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd56 Вт (Tc 25 °C)
Тепловий опір Rth(j-c)2.25 °C/Вт макс.
Час відновлення діода trr650 нс типовий (Vgs 0 В, Is 6.6 А)
СтанОригінал
Опис

FQPF7N80C – N-канальний польовий транзистор серії QFET у корпусі TO-220F. За datasheet Fairchild Semiconductor (onsemi): напруга Vds 800 В (Tc 25 °C, BVDSS мінімум при Id 250 мкА, Vgs 0 В), струм стоку Id 6.6 А при Tc 25 °C і 4.2 А при Tc 100 °C для TO-220F. Опір Rds(on) максимальний 1.9 Ом, типовий 1.57 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А). Заряд затвора Qg типовий 27 нКл (Vds 640 В, Id 6.6 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 1290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА), потужність розсіювання 56 Вт при Tc 25 °C, тепловий опір Rth(j-c) не більше 2.25 °C/Вт. Час відновлення діода trr типовий 650 нс (Vgs 0 В, Is 6.6 А).

Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і корпус. Варіант FQP7N80C описаний в тому самому datasheet, але має корпус TO-220, а не TO-220F. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення (SMPS)
  • Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC)
  • Електронні баласти ламп
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити FQPF7N80C?

Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з Vds не нижче 800 В, порівнянними струмом Id і опором Rds(on) при Vgs 10 В. Порівнюйте параметри за datasheet.

Чи підходить FQPF7N80C для блока живлення?

За datasheet він призначений для імпульсних блоків живлення (SMPS), активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) і електронних баластів ламп.

Чим FQPF7N80C відрізняється від FQP7N80C?

Datasheet один, але корпуси різні: у FQPF7N80C корпус TO-220F, у FQP7N80C – TO-220. Струм Id і потужність Pd в datasheet вказані для кожного корпусу окремо.

Datasheet

Документація виробника: FQP7N80C / FQPF7N80C Rev. C1.

Параметри наведено за datasheet виробника FQP7N80C / FQPF7N80C Rev. C1 (Fairchild Semiconductor, onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FQP7N80C / FQPF7N80C Rev. C1 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.