Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA28N50C оригінал (заміна для FQA28N50 , FQA28N50F , FDA28N50 ) , TO-3P

235,00 ₴

28 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

28 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FQA28N50C – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом у корпусі TO-3P, оригінал. Може замінити FQA28N50, FQA28N50F і FDA28N50.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
Напруга Vds500 В (VGS = 0, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)28.4 А
Струм Id (100 °C)18 А
Rds(on)126 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 14,2 А), макс. 160 мОм
Заряд затвора Qg110 нКл типово
Вхідна ємність Ciss4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність Pd310 Вт (TC = 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал
Опис

FQA28N50C – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом у корпусі TO-3P. Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі FQA28N50F (onsemi). Напруга Vds – 500 В при VGS = 0, ID = 250 мкА. Струм стоку Id – 28.4 А при TC = 25 °C і 18 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) – 126 мОм типово при VGS = 10 В, ID = 14,2 А (макс. 160 мОм). Заряд затвора Qg – 110 нКл типово при VDS = 400 В, ID = 28,4 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 310 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Стан товару – оригінал. FQA28N50C може замінити FQA28N50, FQA28N50F і FDA28N50; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Під час підбору порівнюйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) і корпус. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення з високим ККД.
  • Топології, де використовується діод транзистора (фазозсувний ZVS, повний міст).
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити FQA28N50C?

Підбирайте за каналом, Vds, Id, Rds(on) і корпусом TO-3P, звіряючи datasheet. Схожу за назвою деталь без порівняння параметрів брати не варто.

Що може замінити FQA28N50C?

FQA28N50C може замінити FQA28N50, FQA28N50F і FDA28N50. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

З якого документа взято параметри?

З даташиту найближчої деталі FQA28N50F (onsemi), тому точний збіг усіх значень для FQA28N50C не обіцяємо.

Datasheet

Найближчий datasheet: FQA28N50F (onsemi).

Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: FQA28N50F (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.