Польові транзистори
Транзистор CS18N20 (заміна для 18N20GS , AP18N20GS , FTB18N20 , 18N20 ) , D2PAK
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 200 В (мін., VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 18 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 11,3 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,12 Ом тип., 0,18 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд Qg | 20,4 нКл (VGS 10 В, ID 18 А, VDD 160 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1136 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
Транзистор CS18N50F оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,31 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45,7 нКл тип. (VGS=10 В, ID=18 А, VDD=400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42,8 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS19N40 ( CS19N40A8R ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 19 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 9.5 А; типове, макс. 0.30 Ом) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (типове значення) |
| Вхідна ємність Ciss | 1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS19N40F оригінал, TO220F
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 400 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 19 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12 А (TC=100 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом тип., 0,30 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (ID=19 А, VDD=320 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 33 Вт (TC=25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CS20J65 оригінал демонтаж , TO-3P (20A,650V)
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, super junction |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 60 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,14 Ом тип., 0,18 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (ID=20 А, VDD=520 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2005 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CS20N50F оригінал (Заміна для CS20N50FF ) , TO220F
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 20 А (TC = 25 °C); 12,5 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2919 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 600 В при VGS 0 В, ID 250 мкА |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 14 А при Tc 100 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,36 Ом (тип.), 0,45 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл при ID 20 А, VDD 300 В, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода | 1,5 В (макс.) при IS 20 А, VGS 0 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 425 нс при IS 20 А, Tj 25 °C, dIF/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO220
В наявності
85,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0.36 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N65 оригінал (заміна для CS20N65C3 ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,5 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (тип.) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N65F оригінал ( Заміна для FQPF20N65C , FQPF20N65 , CM20N65F , PY20N65NFS , SIF20N65Z , 20N65NFS , STF20N65M2 , F20N65M2 , 20N65 ) , TO220F
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Convert Semiconductor |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 650 В (Tc 25 °C, Vgs 0) |
| Струм Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип. / 0.4 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл тип. (Vdd 520 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS25N50 ( CS25N50ANR ) оригінал, TO-3P
В наявності
103,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C), 15.7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.21 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 12.5 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 64 нКл тип. (Id 25 А, Vdd 400 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3487 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS25N50 оригінал, TO220
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В при VGS 0 В, ID 250 мкА |
| Струм стоку Id (25 °C) | 25 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15,7 А при Tc 100 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,21 Ом (тип.), 0,27 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 12,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 64 нКл при ID 25 А, VDD 400 В, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3487 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода | 1,5 В (макс.) при IS 25 А, VGS 0 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 490 нс при IS 25 А, Tj 25 °C, dIF/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS2837 ( CS2837AND ) оригінал, TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 20 А (TC 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 80 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 0,18 Ом, макс. 0,26 Ом (VGS 10 В, ID 10 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (ID 20 А, VDD 250 В, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | від –55 до 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS28N50 оригінал, TO-3P
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 28 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 17,5 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 195 мОм макс. (VGS=10 В, ID=14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5070 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 312,5 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS30N20 оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал, VDMOSFET |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 18.9 А |
| Опір Rds(on) | 70 мОм типово, макс. 80 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл типово (VDD = 100 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.5 В при IS = 30 А; trr типово 230 нс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS30N50 оригінал, TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOS) |
| Виробник | CR Micro |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 18.6 А |
| Rds(on), Vgs 10 В | 0.09 Ом (тип.), 0.12 Ом (макс.) при Id 15 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 153 нКл (тип.) (Id 30 А, Vdd 400 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7857.9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 482 нс (тип.) при Is 30 А, dIf/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS3205 оригінал, TO220
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 55 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 84 А |
| Rds(on) | 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 62 А), 7,6 мОм тип. |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4395 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vsd діода | 1.5 В макс. (Is 75 А) |
| trr діода | 135 нс тип. |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS4145 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 84 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 60 А |
| Rds(on) | 8.5 мОм типово, Vgs 10 В, Id 42 А (макс. 10 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 5785 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 38,5 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А) | 51 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (тип.) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20A6C ( CS50N20 , CS50N20A6B ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 50 А (Tc 25 °C); 38.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.040 Ом тип., 0.045 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 28 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS6N90F оригінал ( заміна для STP6NK90ZFP , FQPF6N90C , STF6N90K5 , 6N90K5 , JCS6N90FH , JCS6N90FA , SSS5N90 )(900V,6A), TO220F
В наявності
83,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Convert Semiconductor |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 6 А при TC = 25 °C |
| Rds(on) | 1.7 Ом тип., 2.05 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3.0 А, TJ = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип. (VDD = 720 В, ID = 6.0 А, VGS = 15 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1215 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 63 Вт при TC = 25 °C, корпус TO-220F |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS730 ( CS730A8H ) оригінал, TO220
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3.6 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.8 Ом тип., 1 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3.0 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл тип. (ID = 6.0 А, VDD = 200 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS740 ( CS740A8H ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 10 А (Tc 25 °C); 7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.36 Ом typ, 0,50 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1254 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS75N75 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А |
| Струм Id (100 °C) | 71 А |
| Rds(on) | 10.2 мОм тип., 11.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=45 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N60F оригінал, TO220F
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (VDMOS) |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 7 А (TC = 25 °C); 4.4 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 28 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом типово, макс. 1,3 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл типово (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Енергія лавини EAS | 400 мДж (одиночний імпульс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N65F оригінал (заміна для CS7N65A ), TO220F
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,5 А |
| Rds(on) тип. | 0,98 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Rds(on) макс. | 1,4 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1072 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (25 °C) | 40 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| EAS | 450 мДж |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CSD19505KCS оригінал, TO220
В наявності
214,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип каналу | N-канал (NexFET) |
| Напруга Vds | 80 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs (макс.) | ±20 В (TA 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 150 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип. / 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А, TA 25 °C) |
| Qg | 76 нКл (Vgs 10 В, Vds 40 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6090 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт |
| Tj | від –55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор D50N06 оригінал (50A,60V)( заміна для FQD50N06 ), D-PAK
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | ROUM |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 66 А |
| Струм Id (100 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 12 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Pd | 88 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор D5N65 оригінал (5A,650V)( заміна для FQD5N65 , FQD5N60C , FCD5N60 , SVF5N65D , SVF5N60D , D5N60 , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK
В наявності
35,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOSFET) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (TC 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 3,1 А |
| Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 2,5 А) | 1,9 Ом |
| Rds(on) макс. | 2,4 Ом |
| Vgs(th) (Id 250 мкА) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 17,3 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 615 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 75 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DH070N06 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 68 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 88 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 61 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 30 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 167 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N04E оригінал, D2PAK
В наявності
225,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id | 180 А (TC 25 °C); 126 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 1.7 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 2.1 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 1–3 В, тип. 2 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.3 нКл (VGS 10 В, VDD 20 В, ID 85 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4557 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N88 оригінал, TO220
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В мін. при Id 250 мкА, Vgs 0 В |
| Опір Rds(on) | 2.3 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 80 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 185 нКл тип. при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 14489 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DOD150N03 ( 150N03 ) оригінал ( заміна для CSD30N30 )(30V,150A), D-PAK
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Doingter |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 98 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 3.3 мОм макс. (тип. 2,5 мОм; Id 30 А, Tc 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 6.5 мОм макс. (тип. 4,5 мОм; Id 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1,6 В; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 15 В, Id 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 108 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор F20N50SE ( WGF20N50SE ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wild Goose |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12,9 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А) | 0,23 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (тип.), 65 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 38,5 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |