Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS30N50 оригінал, TO-3P
235,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS30N50 – N-канальний польовий транзистор CR Micro у корпусі TO-3P. Оригінал; використовують у силових ключах, електронних баластах і адаптерах живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOS) |
| Виробник | CR Micro |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 18.6 А |
| Rds(on), Vgs 10 В | 0.09 Ом (тип.), 0.12 Ом (макс.) при Id 15 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 153 нКл (тип.) (Id 30 А, Vdd 400 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7857.9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 482 нс (тип.) при Is 30 А, dIf/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
CS30N50 – N-канальний MOSFET (VDMOS) виробництва CR Micro у корпусі TO-3P. Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі CS30N50ANR (CR Micro). Напруга Vds – 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 30 А при Tc 25 °C і 18.6 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.09 Ом (тип.), 0.12 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 15 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 153 нКл (тип.) при Id 30 А, Vdd 400 В, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 7857.9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 250 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Час зворотного відновлення діода trr – 482 нс (тип.) при Is 30 А, dIf/dt 100 А/мкс, Vgs 0 В.
Це оригінал. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id та Rds(on) при однакових умовах, а також корпус і розпіновку. Якщо у заміни інший заряд затвора, перевірте драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Силові ключі, електронні баласти та адаптори живлення.
Чим замінити CS30N50?
N-канальним MOSFET у корпусі TO-3P з такою ж розпіновкою, Vds не нижче 500 В, Id близьким до 30 А при Tc 25 °C та Rds(on) близьким до 0.12 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте значення за однакових умов і перевіряйте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи збігаються параметри з наведеними?
Цифри взято з даташиту найближчої деталі CS30N50ANR, тому точний збіг не гарантуємо. Для відповідальних схем звіряйте з даташитом.
Як перевірити такий транзистор?
Мультиметром у режимі діода перевірте внутрішній діод між витоком і стоком, а також відсутність короткого замикання між затвором, стоком і витоком.
Найближчий datasheet: CS30N50ANR (CR Micro).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.