Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20 оригінал, TO220
164,50 ₴
62 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
62 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS50N20 – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO220. За даташитом найближчої деталі: 200 В, 50 А.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 38,5 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А) | 51 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2819 пФ (тип.) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS50N20 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO220, оригінал. Точного даташиту на CS50N20 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої деталі CS50N20 A8R (CR Micro): напруга стік–витік Vdss 200 В, струм стоку Id 50 А при TC = 25 °C і 38,5 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 200 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 42 мОм, не більше 51 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 49,4 нКл (ID = 20 А, VDD = 160 В, VGS = 10 В), вхідна ємність Ciss типово 2819 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц). Розсіювана потужність Pd 250 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rthjc не більше 0,5 °C/Вт, температура переходу до 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. За даташитом такі транзистори застосовують у ключових схемах адаптерів і зарядних пристроїв. Заміну підбирайте за тим самим каналом (N), корпусом TO220 і розпіновкою: Vdss не нижче 200 В, струм стоку не нижче 50 А, Rds(on) не вище 51 мОм при VGS = 10 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ключові схеми адаптерів
- зарядні пристрої
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS50N20?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO220 з напругою стік–витік не нижче 200 В, струмом стоку не нижче 50 А і опором відкритого каналу не вище 51 мОм при VGS = 10 В. Параметри наведено за найближчим даташитом, тому перед заміною звірте їх із документацією на вашу схему.
Чи підходить CS50N20 для адаптерів і зарядних пристроїв?
У даташиті найближчої деталі CS50N20 A8R як застосування вказано ключові схеми адаптерів і зарядних пристроїв.
Звідки параметри CS50N20?
Точного даташиту на CS50N20 не знайшли. Параметри взято з даташиту найближчої деталі CS50N20 A8R (CR Micro) у корпусі TO-220AB. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: CS50N20 A8R (CR Micro).
Точного даташиту на CS50N20 не знайдено. Параметри взято з даташиту на CS50N20 A8R.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.