Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор CS18N50F оригінал, TO220F

164,50 ₴

56 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

56 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CS18N50F – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220F на 500 В і 18 А. Оригінал, для імпульсних блоків живлення.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO (China Resources Microelectronics)
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)18 А (TC 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)11 А (TC 100 °C)
Опір Rds(on)0,31 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS=10 В, ID=9 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg45,7 нКл тип. (VGS=10 В, ID=18 А, VDD=400 В)
Вхідна ємність Ciss2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd42,8 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

CS18N50F – N-канальний MOSFET виробництва CRMICRO (China Resources Microelectronics) у корпусі TO-220F. Напруга Vds – 500 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 18 А при TC 25 °C і 11 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,31 Ом (тип.), 0,35 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=9 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Заряд затвора Qg – 45,7 нКл (тип.) при VGS=10 В, ID=18 А, VDD=400 В. Вхідна ємність Ciss типово 2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 42,8 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Стан: оригінал. Щоб підібрати заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, корпус і розпіновку, а також заряд затвора: якщо він більший, перевірте можливості драйвера. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення адаптерів і зарядних пристроїв
Часто питають
Чим замінити CS18N50F?

Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, струмом і опором каналу не гірше за наведені вище. Перед заміною порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для блоку живлення адаптера?

Так, імпульсні блоки живлення адаптерів і зарядних пристроїв – основне застосування цього транзистора.

Який заряд затвора і чому це важливо?

Qg – 45,7 нКл (тип.) при VGS=10 В, ID=18 А, VDD=400 В. Чим більший заряд, тим більше струму має віддавати драйвер при перемиканні, тому при заміні порівнюйте цей параметр.

Datasheet

Документація виробника: CS18N50FA9R (CRMICRO).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CS18N50FA9R (CRMICRO) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.