Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS28N50 оригінал, TO-3P
188,00 ₴
59 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
59 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS28N50 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) CR Micro у корпусі TO-3P на 500 В і 28 А. Оригінал, для імпульсних схем живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 28 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 17,5 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 195 мОм макс. (VGS=10 В, ID=14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5070 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 312,5 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
CS28N50 – N-канальний MOSFET виробництва CR Micro (China Resources Microelectronics) у корпусі TO-3P. Напруга Vds – 500 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 28 А при TC 25 °C і 17,5 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 150 мОм (тип.), 195 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=14 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В. Заряд затвора Qg – 83 нКл (тип.). Вхідна ємність Ciss типово 5070 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 312,5 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан: оригінал. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, корпус і розпіновку, а також заряд затвора: якщо він більший, перевірте можливості драйвера. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні схеми живлення: електронні баласти та адаптери
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FHA24N50 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 24 ≥ 0.8×28=22.4, Rds(on) Vgs 10 В typ 170 ≤ 1.3×150=195 мОм, корпус TO-3P = TO-3P | Перевірте заряд затвора та розпіновку за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити CS28N50?
Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 500 В, струмом і опором каналу не гірше за наведені вище. У нашому каталозі є FHA24N50, його порівняння – у таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для електронного баласту або адаптера?
Так, імпульсні схеми живлення: електронні баласти та адаптери – застосування цього транзистора.
Який струм стоку у цього транзистора?
Id – 28 А при TC 25 °C і 17,5 А при TC 100 °C. При виборі за струмом орієнтуйтеся на значення при робочій температурі.
Документація виробника: CS28N50ANR (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.