Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N65 оригінал (заміна для CS20N65C3 ), TO220
141,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS20N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 650 В, 20 А у корпусі TO-220. Оригінал; може замінити CS20N65C3. Параметри – за даташитом найближчої деталі.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,5 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (тип.) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
CS20N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. Точного даташиту на CS20N65 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої деталі CS20N65 A8H (CR Micro): напруга стік–витік Vdss 650 В, струм стоку Id 20 А при TC = 25 °C і 14 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 80 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,37 Ом, не більше 0,5 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 65 нКл (ID = 20 А, VDD = 325 В, VGS = 10 В), вхідна ємність Ciss типово 2400 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц). Розсіювана потужність Pd 250 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rthjc типово 0,5 °C/Вт, температура переходу до 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. У назві товару вказано заміну для CS20N65C3: CS20N65 може замінити CS20N65C3, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даташитом такі транзистори застосовують у ключових схемах адаптерів і зарядних пристроїв. Підбираючи заміну, звіряйте канал, корпус і розпіновку, а також Vdss, Id і Rds(on) з однаковими умовами вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ключові схеми адаптерів
- зарядні пристрої
Чим замінити CS20N65?
У нашому каталозі зараз немає перевіреного аналога для цієї деталі. Підбирайте заміну за datasheet: той самий канал, корпус і розпіновка, Vdss і Id не нижчі, Rds(on) не гірший за вказані вище значення.
Чи може CS20N65 замінити CS20N65C3?
Так, у назві товару вказано заміну для CS20N65C3. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Звідки параметри CS20N65?
Точного даташиту на CS20N65 не знайшли. Параметри взято з даташиту найближчої деталі CS20N65 A8H (CR Micro) у корпусі TO-220AB. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Випаяйте деталь або перевірте її окремо. У режимі перевірки діодів тіловий діод між витоком і стоком проводить в одному напрямку. Між затвором і іншими виводами провідності бути не повинно.
Найближчий datasheet: CS20N65 A8H (CR Micro).
Точного даташиту на CS20N65 не знайдено. Параметри взято з даташиту на CS20N65 A8H.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.