Польові транзистори
Транзистор CRJQ30N60G2F оригінал, TO247
В наявності
319,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 83 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку ID (100 °C) | 55 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 28 мОм тип., 33 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 42 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,2–4,6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 42 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 595 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Час відновлення діода trr | 192 нс тип. (diF/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CRJQ41N65GCF оригінал демонтаж, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SJMOS (суперперехід) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 74 А (Tc 25 °C, обмежено Tj max); 47 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 42 мОм тип., 48 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 35 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.3–4.6 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 168 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6594 пФ |
| Потужність Pd | 687 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | ультрашвидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CRJQ74N60G2F оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Super Junction) |
| Виробник | China Resources Microelectronics (CRM) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 39 А |
| Струм Id (100 °C) | 25 А |
| Rds(on) | 70 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 23 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.2–4.6 В |
| Qg | 65 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (f 1 МГц) |
| Pd | 318 Вт (Tc 25 °C) |
| trr діода | 125 нс (ISD = 23 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ80N65F оригінал (заміна для CRJQ80N65GC ) , TO247
В наявності
178,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRM (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 43 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 32.3 А |
| Імпульсний струм стоку | 172 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 77 мОм (VGS=10 В, ID=21.5 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.3–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3435 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 470 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ99N65G2BF оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction (SJMOS), швидкий вбудований діод |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 31 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vgs(th) | 2,9–4,9 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| trr | 140 нс тип. (ISD 17 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ |
| Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSM027N08N4 ( 027N08N4 ) оригінал, DFN5*6
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 189 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5520 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 156 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSQ027N10N оригінал, TO247
В наявності
107,63 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В) |
| Rds(on) | 2.6 мОм (тип.), 3.1 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=90 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 2.2–3.8 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 169 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 11355 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 454 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS037N10N оригінал, D2PAK
В наявності
71,44 ₴
Артикул:
10
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 116 А (TC 100 °C, обмеження кристалом) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм тип. / 3.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, корпус TO-263) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл (VGS = 10 В, VDS = 50 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6920 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS042N10N оригінал, D2PAK
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C, кристал) | 172 А |
| Струм Id (25 °C, корпус) | 120 А |
| Струм Id (100 °C, кристал) | 109 А |
| Rds(on) тип. | 3,4 мОм (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Rds(on) макс. | 4,2 мОм (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd (25 °C) | 227 Вт |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Tj, Tstg (робоча та зберігання) | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS052N08N оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, SkyMOS1 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 135 А (кремній); 120 А (обмеження корпусу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 86 А |
| Опір Rds(on) | 4.3 мОм тип., 5.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 174 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST025N08N оригінал, TO220
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (кремній, TC 25 °C) | 240 А |
| Струм Id (корпус, TC 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 152 А |
| Rds(on) при VGS=10 В, ID=90 А | 2 мОм |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 217 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 12191 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 227 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST030N10N оригінал, TO220
В наявності
63,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Опір Rds(on) | 2,5 мОм typ., 3,0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 90 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 90 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 11355 пФ |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST033N08N оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C, кристал) | 208 А |
| Струм Id (25 °C, корпус) | 160 А |
| Струм Id (100 °C) | 131 А |
| Rds(on) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Qg | 130 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 8930 пФ |
| Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST040N10N оригінал, TO220
В наявності
89,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 116 А |
| Опір Rds(on) | 3.3 мОм тип., 4,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6920 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. |
| Потужність розсіювання Pd | 227 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST045N10N оригінал (заміна для P045N10 , BLP045N10-P ), TO220
В наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА; тип. 115 В) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) | 3.6 мОм тип., макс. 4.5 (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА; тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd | 227 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST055N08N оригінал ( заміна для CRST055N08NP ), TO220
В наявності
50,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга стік–витік Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А (обмеження корпусом) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 86 А |
| Rds(on) | 4,6 мОм тип., 5,5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (VGS=10 В, VDS=40 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST060N10N оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Rds(on) | 5,3 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А; макс. 6,0 мОм) |
| Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін / тип / макс; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 68,5 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4429 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 227 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST065N08N оригінал (Заміна для SKST065N08N ), TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC = 25 °C, обмеження корпусом); 77 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 5.6 мОм тип., макс. 6.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Потужність Pd | 164 Вт (TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST073N15N оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (SkyMOS1) |
| Напруга Vds | 150 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id | 85 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 540 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 6.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 79 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 75 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5416 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 227 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTS029N06N оригінал, D2PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Rds(on) | 1,9 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,4 / 3 / 3,6 В (мін / тип / макс; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 183 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 30 В, Id 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7830 пФ |
| Потужність Pd | 254 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT029N06N оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 60 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 220 А (Tc 25 °C, обмеження кристала; за корпусом 160 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 139 А (Tc 100 °C, обмеження кристала) |
| Rds(on) | 2.3 мОм тип. / 2.9 мОм макс. (VGS 10 В, ID 80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3 В (2.4–3.6 В, VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 183 нКл (VGS 10 В, VDS 30 В, ID 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7830 пФ |
| Потужність Pd | 254 Вт (Tc 25 °C) |
| Vsd | 0.9 В тип. / 1.3 В макс. (VGS 0 В, ISD 80 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT030N04L оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 2.9 мОм (тип.), 3.3 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, Id 30 А | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.3…2.7 В |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5734 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 160 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT045N06N оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Trench) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C, обмеження корпусом); 100 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 480 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 3.3 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 60 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 30 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4531 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 184 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT048N08N оригінал ( заміна для 052N80C3 , SFP052N80C3 ) , TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 181 А (Tc 25 °C, за кремнієм; корпус обмежує до 160 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 115 А (Tc 100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) | 3,6 мОм тип. / 4,8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В, типово 3 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 137 нКл (VGS 10 В, VDS 40 В, ID 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5666 пФ |
| Потужність Ptot | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT067N10N оригінал, TO220
В наявності
82,72 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, Trench |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 147 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) | 5.2 мОм тип., 6.7 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5779 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS100N03 ( CS100N03B4 , 100N03 ) оригінал (заміна для FM3080SA , 3080SA , SE3080K , HY3403D , HY3403 , AP85T03GH , P0603BDG , P0403BDG ), D-PAK(30V,100A)
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 75 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=50 А) | 4,0 мОм (тип.), 5,3 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В |
| Qg | 68 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 100 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS10N40 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 10 А (TC = 25 °C), 6.3 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.55 Ом макс., 0.44 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 23 нК тип. (VGS = 10 В, VDD = 320 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1126 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS10N60F оригінал, TO220F
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, кремнієвий VDMOS |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6.3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.68 Ом типове, макс. 0.9 Ом (VGS=10 В, ID=5 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1609 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS12N60F оригінал, TO220F
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, VDMOS |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.57 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 480 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS12N65F оригінал, TO220F
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 10 А |
| Опір Rds(on) | 0,54 Ом тип., 0,7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (VGS = 10 В, ID = 12 А, VDD = 325 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2060 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 55 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS13N50 оригінал, TO220
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 13 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 10 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=6.5 А) | 0.34 Ом (тип.), 0.45 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS13N50F ( CS13N50FA9R, CS13N50F A9R ) оригінал, TO220F
В наявності
62,51 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 13 А при TC = 25 °C; 8,2 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 0,4 Ом (тип.), 0,5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6,5 А |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1957 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS1404 ( CS1404A8 ) оригінал, TO220(40V,202A)
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (VDMOS, планарна технологія) |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, обмежено кремнієм) | 202 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 143 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 81 А) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Id 250 мкА) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg (Vgs 10 В, Vdd 32 В, Id 81 А) | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 271 Вт |
| Температура переходу Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N03 ( CS150N03A8 , 150N03 ) оригінал , TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 30 В |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 120 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.8 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–3.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 10000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)
В наявності
91,18 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 90 А |
| Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C) | 600 А |
| Опір Rds(on) | 4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Vgs(th) | 2,0–3,5 В |
| Qg | 160 нКл (тип.) при VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS180N06 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 116 А |
| Опір Rds(on) макс. | 4 мОм (VGS = 10 В, ID = 90 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 245 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4882 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |