Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор CS12N60F оригінал, TO220F

117,50 ₴

13 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

13 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CS12N60F – N-канальний польовий транзистор на 600 В у корпусі TO-220F, оригінал. Для імпульсних джерел живлення: адаптерів і зарядних пристроїв.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, VDMOS
Напруга Vdss600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C); 7.5 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)0.57 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg40 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 480 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss1980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd42 Вт (Tc 25 °C)
Tj max150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникWuxi China Resources Huajing Microelectronics
СтанОригінал
Опис

CS12N60F – N-канальний MOSFET (VDMOS, планарна технологія) виробника Wuxi China Resources Huajing Microelectronics у корпусі TO-220F. За даними документа CS12N60FA9R (хвіст A9R – варіант виконання того ж номера): напруга Vdss 600 В при Tc 25 °C, струм стоку Id 12 А при Tc 25 °C і 7.5 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типово 0.57 Ом, максимум 0.75 Ом, при Vgs 10 В, Id 6 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 40 нКл (Vgs 10 В, Vdd 480 В, Id 12 А). Вхідна ємність Ciss типово 1980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 42 Вт при Tc 25 °C, Tj max 150 °C.

Стан: оригінал, не копія. Для заміни потрібен N-канальний MOSFET у тому самому корпусі TO-220F. Порівнюйте Vds, Id і Rds(on) з документом. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні джерела живлення: адаптери й зарядні пристрої
Часто питають
Чим замінити CS12N60F?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 600 В, не меншим струмом стоку і близьким Rds(on). Порівнюйте параметри з документом.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для адаптера або зарядного пристрою?

Так, за документом транзистор призначений для імпульсних джерел живлення: адаптерів і зарядних пристроїв.

Яка потужність розсіювання?

Pd 42 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.

Datasheet

Документація виробника: CS12N60FA9R (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CS12N60FA9R (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.