Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS10N60F оригінал, TO220F
128,31 ₴
51 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
51 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS10N60F – N-канальний польовий транзистор, 600 В, 10 А при 25 °C, корпус TO-220F, оригінал. Для імпульсних ключів в адаптерах і зарядних пристроях.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, кремнієвий VDMOS |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6.3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.68 Ом типове, макс. 0.9 Ом (VGS=10 В, ID=5 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1609 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
CS10N60F – N-канальний кремнієвий VDMOS у корпусі TO-220F. Напруга стік–витік Vds 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id 10 А при Tc 25 °C і 6.3 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0.68 Ом, максимум 0.9 Ом (VGS=10 В, ID=5 А). Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА). Вхідна ємність Ciss типово 1609 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 40 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C, діапазон -55…150 °C. Параметри взято з документа на CS10N60FA9R.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 600 В, достатнім струмом та не вищим Rds(on) при VGS=10 В. Звірте також розпіновку з вашою платою. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні ключі в адаптерах і зарядних пристроях
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS10N60F?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 600 В, Id не менше 0.8 від потрібного і не вищим Rds(on) при VGS=10 В. Порівняйте datasheet.
Чи підходить CS10N60F для імпульсного блока живлення?
За документом, для якого взято параметри, транзистор застосовують як імпульсний ключ в адаптерах і зарядних пристроях. Звірте Vds і Id зі своєю схемою.
Який струм витримує CS10N60F?
Id 10 А при Tc 25 °C і 6.3 А при Tc 100 °C. Реальний струм залежить від охолодження.
Документація виробника: CS10N60FA9R (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.