Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSM027N08N4 ( 027N08N4 ) оригінал, DFN5*6
69,56 ₴
53 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
53 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRSM027N08N4 (маркування 027N08N4) – N-канальний MOSFET CR Micro у корпусі DFN5x6, оригінал. Для синхронного випрямлення, BMS та UPS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 189 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5520 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 156 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
CRSM027N08N4 – N-канальний польовий транзистор виробництва CR Micro, серія SkyMOS4, корпус DFN5x6 (clip). На корпусі маркування 027N08N4. Напруга стік–витік Vds – 80 В. Струм стоку Id – 189 А при TC = 25 °C і 120 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,5 мОм типово і 3,0 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2,2–3,8 В (типово 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 5520 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 156 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Заряд затвора Qg – 76 нКл при VGS = 10 В, VDS = 40 В, ID = 50 А: це потрібно враховувати при виборі драйвера. Вбудований діод має Vsd типово 0,8 В при ISD = 50 А і trr 49 нс при IF = 50 А, dI/dt = 100 А/мкс. Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, Qg і корпус DFN5x6 з тією самою розпіновкою.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в AC/DC швидких зарядних пристроях
- Керування акумуляторами (BMS)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Чим замінити CRSM027N08N4?
Шукайте N-канальний MOSFET у DFN5x6 з Vds не нижче 80 В, Id не менше 189 А при 25 °C і Rds(on) не вищим за 3,0 мОм при VGS = 10 В. Порівнюйте datasheet самостійно, особливо заряд затвора (76 нКл) і розпіновку.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить CRSM027N08N4 для BMS та UPS?
У datasheet серед застосувань названо керування акумуляторами (BMS), джерела безперебійного живлення (UPS) і синхронне випрямлення в AC/DC швидких зарядних пристроях.
На що звернути увагу при керуванні затвором?
Порогова напруга Vgs(th) – 2,2–3,8 В, а Rds(on) наведено при VGS = 10 В. Заряд затвора Qg – 76 нКл при VGS = 10 В, VDS = 40 В, ID = 50 А.
Документація виробника: CRSM027N08N4 (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.