Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор CS50N20A6C ( CS50N20 , CS50N20A6B ) оригінал, TO247

305,50 ₴

34 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

34 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CS50N20A6C – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-247 на 200 В і 50 А. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vdss200 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id50 А (Tc 25 °C); 38.5 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)0.040 Ом тип., 0.045 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 28 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Id 250 мкА)
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss7900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

CS50N20A6C (також CS50N20, CS50N20A6B) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-247. За даташитом найближчої деталі CS50N20ANH (Huajing Microelectronics): напруга Vdss 200 В при Tc 25 °C, струм стоку Id 50 А при Tc 25 °C і 38.5 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0.040 Ом (макс. 0.045 Ом) при Vgs 10 В і Id 28 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В при Id 250 мкА, потужність розсіювання Pd 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 7900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, напругу Vdss, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус. Розпіновку й заряд затвора варто звірити з datasheet, особливо якщо драйвер працює на межі. У нашому каталозі за цими параметрами підходить Транзистор 60R060P7 (IPW60R060P7) у корпусі TO-247. Відправляємо через Нову Пошту з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Електронні баласти й адаптери: потужні ключі
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
60R060P7 (IPW60R060P7) канал N = N, Vds 600 ≥ 200, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×50 = 40, Rds(on) Vgs 10 В тип. 0.049 ≤ 1.3×0.04 = 0.052, корпус TO-247 = TO-247 Демонтаж. Звірте розпіновку й схему керування затвором. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити CS50N20A6C?

Підбирайте транзистор з тим самим N-каналом, напругою Vdss не нижче 200 В, близьким або більшим струмом Id і близьким Rds(on) при Vgs 10 В, у корпусі TO-247. З нашого каталогу цим умовам відповідає 60R060P7 (IPW60R060P7).

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи збігаються цифри з даташитом саме на CS50N20A6C?

Цифри взято з даташиту найближчої деталі CS50N20ANH, тому для відповідальних схем звірте їх з документом на свою модифікацію.

Які ще позначення має ця деталь?

У назві товару вказано CS50N20 і CS50N20A6B.

Datasheet

Найближчий datasheet: CS50N20ANH (Huajing Microelectronics).

Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: CS50N20ANH (Huajing Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.