Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO220
85,54 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS20N60 – N-канальний польовий транзистор на 600 В у корпусі TO220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0.36 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS20N60 – N-канальний MOSFET (кремній, VDMOSFET planar) виробництва Wuxi China Resources Huajing Microelectronics у корпусі TO220. Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі CS20N60A8H (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics). Напруга стік–витік Vds – 600 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 14 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.36 Ом типово, 0.45 Ом максимально при Vgs 10 В, Id 10 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 61 нКл при Vdd 300 В, Id 20 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 250 Вт при Tc 25 °C. Макс. температура переходу – 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус, Vds не нижче 600 В, Id і Rds(on) при тих самих умовах вимірювання. Параметри з даташиту найближчої деталі можуть відрізнятися від CS20N60, тому для відповідальних схем звіряйте їх із документом на свою деталь.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення адаптерів і зарядних пристроїв.
Чим замінити CS20N60?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO220 з Vds не нижче 600 В, Id не нижче 20 А і Rds(on) не вище 0.45 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить CS20N60 для блоку живлення?
Так, за даташитом найближчої деталі CS20N60A8H її застосовують в імпульсних блоках живлення адаптерів і зарядних пристроїв.
Чи точні наведені параметри?
Цифри взято з даташиту CS20N60A8H, найближчої деталі. Чим вона відрізняється від CS20N60 без суфікса, з документа не видно, тому перевіряйте ключові значення самостійно.
Найближчий datasheet: CS20N60A8H (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.