Польові транзистори
Демонтаж
Транзистор PTP02N03N оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) | 2.6 мОм (тип.), 3.4 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 24 А) | 3.6 мОм (тип.), 4.7 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.7 В (1.0–3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор PTP02N04NB оригінал демонтаж, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 245 А (Tc 25 °C), 165 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.65 мОм тип., 2.1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | PIP |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор PTP03N04N оригінал (заміна для FTP03N04N , SI030N040B ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 180 А |
| Rds(on) | 2.1 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 5020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP20N50A оригінал, TO220(Заміна для HP20N50 , SiHFB20N50K , IRFB18N50K ) (500V,20A)
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2670 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 175 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW28N50 оригінал (заміна для SLW28N50C , 28N50C , 28N50P ) , TO-3P
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | PIP |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 14 А) | 170 мОм тип., 210 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW30N50EL оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (planar) |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 108 нКл тип. (VDD=250 В, ID=30 А, VGS=0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 333 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор R6020ANZ оригінал , TO-3PF
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Tc=25 °C), імпульсний 80 А |
| Опір Rds(on) | 0.17 Ом типово (ID=10 А, VGS=10 В), максимум 0.22 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.95–4.15 В (VDS=10 В, ID=1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 120 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.5 В при IS=20 А, VGS=0 В) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор R6025ANZ оригінал демонтаж, TO-3PF
В наявності
211,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 25 А |
| Струм Id (100 °C) | 12,5 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,15 Ом (макс.), 0,12 Ом (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3250 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RS18N50F оригінал , TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 18 А при Tc 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 72 А |
| Rds(on) | 0.34 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 9 А (тип. 0.28 Ом) |
| Заряд затвора Qg | 39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 39 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr | 310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RS8N65F оригінал , TO220F
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 8 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,95 Ом (VGS = 10 В, ID = 4 А, типове; макс. 1,15) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл (VDS = 520 В, ID = 8 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU1H35R оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Shenzhen ruichips Semicon |
| Напруга Vds (BVDSS) | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Rds(on) | 21 мОм тип., 25 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6099R ( RU6099 , RU6099R3 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Тривалий струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C, радіатор); 90 А за Tc 100 °C |
| Rds(on) за Vgs 10 В, Ids 40 А | 6.0 мОм тип. / 7.0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 мін. / 3 тип. / 4 макс. В |
| Заряд затвора Qg | 72 тип. / 105 макс. нКл |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт за Tc 100 °C |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Пряма напруга діода Vsd | 0.83 тип. / 1.1 макс. В (Isd 20 А) |
| Час відновлення діода trr | 50 нс (Isd 40 А) |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Корпус (докладно) | TO-220 (TO-220FB-3L) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6888R ( RU6888 ) оригінал, TO220
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Ruichips |
| Напруга Vdss | 68 В |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 25 °C) | 88 А |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 100 °C) | 65 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 40 А) | 6 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RU75N08R ( RU75N08 ) оригінал демонтаж (заміна для LTP75N08 , WFP75N08 ), TO220
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 80 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 11 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А; типове 8 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 … 4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDS = 60 В, VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Потужність розсіювання Pd | 176 Вт (TC 25 °C; 88 Вт при TC 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | Ruichips |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Ruichips Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 106 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Qg | 87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150S оригінал, D2PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 150 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 106 А (VGS 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Пряма напруга діода | 1,2 В макс. (ISD 75 А, VGS 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 36 нс (ISD 75 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N12R оригінал, TO220(60V,120A)
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=40 А) | 4,5 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В |
| Qg | 86 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC 25 °C) | 162 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N12S оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 4.5 мОм типово (Vgs 10 В, Id 40 А; мін. 3.6, макс. 5.4 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (типово 3 В, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 162 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В макс. |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N15R оригінал, TO220(60V,155A)
В наявності
101,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 155 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 98 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. (макс. 4.2), VGS 10 В, ID 40 А |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N18R оригінал, TO220(60V,180A)
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 180 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 114 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,4 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6647 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60R380F ( BLS60R380F-P ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6,93 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,8 А | 0,32 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 21,1 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 100 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Belling |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S68N08R оригінал, TO220
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SI-TECH |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 82 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 52 А |
| Rds(on) | 6,5 мОм тип., 7,8 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (VDD=48 В, VGS=10 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4166 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 113 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | 25 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N08R оригінал, TO220
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC=25 °C); 68 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.4 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 100 нс тип., 150 нс макс. (VGS=0 В, IS=45 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N10R оригінал, TO220
В наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 63 А |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм тип., 7.6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3056 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 160 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N18R оригінал, TO220(80V,180A)
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 180 А при TC = 25 °C; 120 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 3 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 40 А |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 348 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SFP4024T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HI-SEMICON |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 мОм тип., 2.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2–3.8 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109 нКл (Vds 32 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Vsd 1.2 В макс.; trr 30 нс (Is 50 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1003N ( JMSH1003NE-13 ) оригінал, D2PAK
В наявності
105,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 215 А |
| Струм Id (100 °C) | 136 А |
| Rds(on) тип. | 3,0 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Rds(on) макс. | 3,6 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Qg | 84 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4797 пФ |
| Pd (25 °C) | 312 Вт |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Tj, Tstg (робоча та зберігання) | від -55 до 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004A ( JMSH1004AE ) оригінал, D2PAK
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 190 А (розрахунковий), обмеження корпусом 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 134 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм макс. (тип. 3,0 мОм), VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,7 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4398 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004B ( JMSH1004BC ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (V(BR)DSS мін., Id 250 мкА, Vgs 0) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 139 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 88 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм типово, 4.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 2.7 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3433 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1504N ( JMSH1504NC ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SGT Power MOSFET |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 200 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 126 А |
| Опір Rds(on) | макс. 4,8 мОм (тип. 3,9 мОм) при VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 122 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 8537 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Потужність Pd (100 °C) | 100 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SI2301DS (A1SHB) ,sot23
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay (Siliconix) |
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds (TA = 25 °C) | –20 В |
| Струм Id (TA = 25 °C, TJ = 150 °C) | –2,3 А |
| Струм Id (TA = 70 °C, TJ = 150 °C) | –1,5 А |
| Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –2,8 А) | 0,105 Ом тип., 0,130 Ом макс. |
| Rds(on) (VGS = –2,5 В, ID = –2,0 А) | 0,145 Ом тип., 0,190 Ом макс. |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 1,25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 415 пФ (f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±8 В |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор SI2302DS (A2SHB) ,sot23
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (enhancement) |
| Напруга Vds (Ta = 25 °C) | 20 В |
| Струм Id (Ta = 25 °C) | 2,8 А |
| Струм Id (Ta = 70 °C) | 2,2 А |
| Rds(on) (VGS = 4,5 В, ID = 3,6 А) | 45 мОм тип., 85 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS = 2,5 В, ID = 3,1 А) | 70 мОм тип., 115 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0,62 В мін., 0,95 В тип., 1,9 В макс. |
| Потужність Pd (Ta = 25 °C) | 1,25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 300 пФ |
| Напруга Vgs | ±8 В |
| Корпус | SOT-23 |
Демонтаж
Транзистор SIF18N50C оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C), 11 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 0.24 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.28 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл (Vds 320 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SIF20N50C ( KIA20N50H , FDPF20N50 , FQPF20N50 , 20N50 ) оригінал демонтаж, TO220F(20A,500V)
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мінімум) |
| Струм Id при Tc 25 °C | 20 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 13 А |
| Rds(on) | 0.23 Ом типово (VGS=10 В, ID=10 А), максимум 0.26 Ом |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл типово (VDD=320 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
