Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004A ( JMSH1004AE ) оригінал, D2PAK
244,40 ₴
54 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
54 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SH1004A (JMSH1004AE) – N-канальний силовий польовий транзистор Jiangsu JieJie Microelectronics у корпусі D2PAK. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 190 А (розрахунковий), обмеження корпусом 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 134 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм макс. (тип. 3,0 мОм), VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,7 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4398 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
SH1004A (JMSH1004AE) – N-канальний силовий MOSFET виробництва Jiangsu JieJie Microelectronics у корпусі TO-263 (D2PAK). SH1004A – маркування на корпусі. Напруга Vds 100 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id 134 А при TC 100 °C; при TC 25 °C – 190 А (розрахунковий за Tj max), а обмеження корпусом – 120 А. Опір Rds(on) не більше 3,6 мОм (тип. 3,0 мОм) при VGS=10 В, ID=20 А. Порогова напруга Vgs(th) 2,0–4,0 В (тип. 2,7 В), напруга затвор–витік ±20 В. Заряд затвора Qg типово 66 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А). Вхідна ємність Ciss типово 4398 пФ. Потужність Pd 250 Вт при TC 25 °C і 125 Вт при TC 100 °C, температура переходу до 175 °C.
Стан товару – оригінал. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Варіант JMSH1004AC має корпус TO-220, тому під D2PAK не підходить. Для підбору заміни порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і корпус D2PAK.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняється SH1004A від JMSH1004AE?
SH1004A – маркування на корпусі, JMSH1004AE – повний номер варіанта в корпусі TO-263-3L (D2PAK).
Який струм витримує SH1004A?
Id 134 А при TC 100 °C. При TC 25 °C – 190 А (розрахунковий), обмеження корпусом – 120 А.
Чим замінити SH1004A?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 100 В, Id не менше 134 А при TC 100 °C і Rds(on) близьким до 3,6 мОм або нижчим при VGS=10 В. Варіант JMSH1004AC має корпус TO-220.
Документація виробника: JMSH1004AE (Jiangsu JieJie Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.