Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SFP4024T оригінал, TO220
216,20 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SFP4024T – N-канальний польовий транзистор HI-SEMICON у корпусі TO-220, оригінал. Для ключів навантаження та силових ключових схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HI-SEMICON |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 240 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 мОм тип., 2.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2–3.8 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109 нКл (Vds 32 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Vsd 1.2 В макс.; trr 30 нс (Is 50 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
SFP4024T – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом виробництва HI-SEMICON у корпусі TO-220. Напруга Vds 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id 240 А при Tc 25 °C і 150 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 2.0 мОм (тип.), 2.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 60 А. Порогова напруга Vgs(th) від 2.2 до 3.8 В при Id 250 мкА. Заряд затвора Qg 109 нКл при Vds 32 В, Id 50 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність 250 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод: Vsd до 1.2 В, trr 30 нс при Is 50 А. Параметри наведено за документом SFP4024T (HI-SEMICON).
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, корпус TO-220 і розпіновку, Vds, Id та Rds(on) при однаковому Vgs, а також заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Ключ навантаження (load switch)
- Силові ключові схеми
Чим замінити SFP4024T?
Шукайте N-канальний MOSFET у TO-220 з тією ж розпіновкою, у якого Vds не нижче 40 В, а Id (25 °C) і Rds(on) при Vgs 10 В не гірші, ніж 240 А і 2.5 мОм (макс.). Порівнюйте datasheet, а не лише назву.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити MOSFET після встановлення?
Перед пайкою прозвоніть виводи мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути тільки перехід вбудованого діода (Vsd до 1.2 В при Is 50 А), затвор не має мати зв'язку з іншими виводами.
Чи підходить SFP4024T як ключ навантаження?
Так, ключ навантаження (load switch) – одне із застосувань за документом. Напруга Vds 40 В, Rds(on) 2.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 60 А.
Документація виробника: SFP4024T (HI-SEMICON).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.