Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N08R оригінал, TO220
91,65 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
S80N08R – N-канальний польовий транзистор SI-TECH на 80 В і 80 А, корпус TO-220. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC=25 °C); 68 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.4 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 100 нс тип., 150 нс макс. (VGS=0 В, IS=45 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
S80N08R – N-канальний MOSFET виробництва SI-TECH у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vds – 80 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 80 А при TC=25 °C і 68 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 6.4 мОм (тип.) і 7 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–3.5 В при VGS=VDS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 110 нКл при VDD=60 В, VGS=10 В, ID=80 А. Вхідна ємність Ciss типово 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 200 Вт при TC=25 °C, температура переходу до 175 °C.
У нашому каталозі це оригінальна деталь, не демонтаж. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg, а також корпус і розпіновку. З наявних у каталозі деталей за цими параметрами підходять PDP8974, FHP120N08, NCE82H140, NCEP85T16 і G042N10 – у таблиці аналогів зазначено, на що звернути увагу. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Автомобільна електроніка
- DC/DC перетворювачі
- Ключі керування живленням у портативних і акумуляторних пристроях
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 3.2 ≤ 1.3×7=9.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | звірте Qg і розпіновку за datasheet | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 8 ≤ 1.3×7=9.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Rds(on) вищий, ніж у S80N08R; звірте Qg | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 80, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 4.3 ≤ 1.3×7=9.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | звірте Qg і розпіновку за datasheet | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 3.1 ≤ 1.3×7=9.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | звірте Qg і розпіновку за datasheet | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×7=9.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | звірте Qg і розпіновку за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити S80N08R?
У каталозі є PDP8974, FHP120N08, NCE82H140, NCEP85T16 і G042N10: усі N-канальні в корпусі TO-220 з Vds не нижче 80 В. Перед заміною порівняйте Rds(on), Qg і розпіновку за datasheet.
Який струм дозволяє S80N08R?
80 А при TC=25 °C і 68 А при TC=100 °C – це струм при заданій температурі корпусу.
Яка напруга затвора потрібна?
Rds(on) 7 мОм (макс.) наведено при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–3.5 В, гранична напруга затвор-витік – ±25 В.
Документація виробника: S80N08R (SI-TECH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.