Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор SIF18N50C оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F

108,10 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

1 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SIF18N50C – N-канальний польовий транзистор SI Semiconductors, 18 А, 500 В, корпус TO-220F. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id18 А (Tc 25 °C), 11 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on) тип.0.24 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.28 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–5.0 В, Id 250 мкА
Заряд затвора Qg46 нКл (Vds 320 В, Id 9 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd65 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs макс.±30 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
Тип каналуN
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

SIF18N50C – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) SI Semiconductors у корпусі TO-220F. Напруга Vds – 500 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 18 А при Tc 25 °C і 11 А при Tc 100 °C; 18 А обмежено максимальною температурою переходу. Опір Rds(on) типово 0.24 Ом при Vgs 10 В, Id 9 А (максимум 0.28 Ом). Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 46 нКл при Vds 320 В, Id 9 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність – 65 Вт при Tc 25 °C, напруга Vgs макс. ±30 В, температура переходу до 150 °C.

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при однаковому Vgs, корпус і розпіновку.

Де застосовують

  • Електронні баласти
  • Електронні трансформатори
  • Імпульсні блоки живлення
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити SIF18N50C?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, струмом Id не менше потрібного вам і Rds(on) не вищим при тому самому Vgs. Порівнюйте параметри за даташитом, при однакових умовах вимірювання.

Як перевірити деталь перед встановленням?

Тестером перевірте відсутність пробою між виводами та цілісність виводів.

Для чого застосовують SIF18N50C?

Це електронні баласти, електронні трансформатори та імпульсні блоки живлення.

Datasheet

Документація виробника: SIF18N50C (SI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.