Транзистори
Транзистор NCEP035N72 оригінал, TO220
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 72 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 140 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 108 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.3 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 70 А; макс. 3.5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 67.5 нКл тип. (VDS = 35 В, ID = 70 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4250 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.2 В при IS = 70 А; trr 68 нс тип.) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP039N10M оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 135 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 108 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,65 мОм тип., 3,9 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 65 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 116 нКл тип., 150 нКл макс. (Vds 50 В, Id 65 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7450 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Vsd діода | 1,2 В макс. (Vgs 0 В, Is 65 А) |
| trr діода | 76 нс тип. (Tj 25 °C, di/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP055N10 оригінал ( заміна для KEP055N10T ) , TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 110 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 72 А |
| Опір Rds(on) | 5,4 мОм тип., 5,7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=55 А) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3850 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP15T14 оригінал, TO220
В наявності
109,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип | MOSFET, N-канал, Super Trench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 150 В (VGS=0 В, ID=250 µA, TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А |
| Rds(on) | 5.6 мОм тип., 6.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=70 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл (VDS=75 В, ID=70 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 320 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP15T14D оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм Id при 25 °C | 140 А |
| Струм Id при 100 °C | 100 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 70 А | 5,6 мОм (тип.), 6,2 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 340 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP15T14T оригінал, TO247
В наявності
176,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А |
| Опір Rds(on) | 6.2 мОм макс. (тип. 5.6 мОм; VGS=10 В, ID=70 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 320 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP40T11K оригінал, DPAK
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 110 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 85 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 55 А | тип. 2.4 мОм, макс. 3.5 мОм |
| Rds(on) при VGS 4.5 В, ID 55 А | тип. 3.3 мОм, макс. 4.8 мОм |
| Vgs(th) | тип. 1.7 В (1.2–2.2 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3510 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP40T15GU ( P40T15GU ) оригінал, PDFN-8(5×6)
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 106 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 20 А | тип. 1.09 мОм, макс. 1.35 мОм |
| Rds(on) при VGS 4.5 В, ID 20 А | тип. 1.5 мОм, макс. 1.85 мОм |
| Vgs(th) | тип. 1.5 В (1.0–2.2 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 135 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 5200 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T12A оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 60 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження кристалом); 100 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 4.0 мОм макс., тип. 3.5 (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–2.4 В (тип. 1.7, Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T15G ( P60T15G ) оригінал, DFN5*6
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 150 А при Tc 25 °C; 105 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,1 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,8 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS=30 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T18 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 126 А |
| Rds(on) | 2.5 мОм типово, макс. 2.9 мОм (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T20 оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 200 А (обмеження кремнієм) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 150 А |
| Опір Rds(on) | 1.8 мОм типово, макс. 2.2 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VDS = 30 В, ID = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 9200 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2–3.5 В (типово 2.7 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 255 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T14 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 85 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм типово, макс. 4.1 мОм (VGS 10 В, ID 70 А) |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 5600 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 83 нс типово |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
70,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T25 оригінал, TO220(85V,250A)
В наявності
106,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 85 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 250 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 180 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм макс., 2,2 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 10700 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vsd макс. 1,2 В, trr 115 нс |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NGD8201AG оригінал ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга Vces | 440 В (макс., TJ 25 °C) |
| Струм Ic | 20 А (TC 25 °C, безперервний); 50 А імпульсний |
| Vce(on) | 1,3 В (IC 10 А, VGE ≥ 4,5 В) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8 кВ (R 1500 Ом, C 100 пФ) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NTMFS4C10NT1G ( NTMFS4C10N , 4C10N ) оригінал, SO-8 FL
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 46 А (TC = 25 °C), 34 А (TC = 80 °C) |
| Rds(on) при VGS 10 В | 6.95 мОм макс., 5.8 мОм тип. (ID = 30 А) |
| Rds(on) при VGS 4,5 В | 10.8 мОм макс., 8.9 мОм тип. (ID = 15 А) |
| Vgs(th) | 1.3–2.2 В |
| Заряд затвора Qg | 9.7 нК (VGS 4,5 В), 18.6 нК (VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 987 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 23.6 Вт (TC = 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор ON 2SK4125 ( K4125 ) оригінал демонтаж, TO-3P б/в
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (V(BR)DSS, Id 10 мА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 17 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 0.47 Ом типово, 0.61 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7 А) |
| Vgs(off) | 3–5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл (Vds 200 В, Vgs 10 В, Id 17 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Tc 25 °C); у повітрі 2.5 Вт |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор ON MJE15032G+MJE15033G оригінали, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | MJE15032 – NPN, MJE15033 – PNP |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo | 250 В |
| Напруга Vcb | 250 В |
| Напруга Veb | 5,0 В |
| Струм Ic (постійний) | 8,0 А |
| Струм Ic (імпульсний) | 16 А |
| Струм бази Ib | 2,0 А |
| Потужність Pd | 50 Вт при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 0,5 В (макс.) при Ic 1,0 А, Ib 0,1 А |
| hFE | 70 (мін.) при Ic 0,5 А, Vce 5,0 В |
| Гранична частота fT | 30 МГц (мін.) при Ic 500 мА, Vce 10 В |
| Температура Tj, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ON NJW0281G+NJW0302G оригінали, TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | NJW0281G – NPN, NJW0302G – PNP (комплементарна пара) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 250 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic постійний | 15 А |
| Струм колектора імпульсний | 30 А (імпульс 5 мс, шпаруватість <10 %) |
| Струм бази Ib | 1,5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | від -65 до +150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 75–150 (Vce = 5 В; Ic = 0,5 А, 1 А і 3 А) |
| Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 0,5 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц мін. (Ic = 1 А, Vce = 5 В, f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG55R190F ( OSG55R190FF ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 550 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (TC=25 °C); 12.5 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS=10 В, ID=10 А, Tj=25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.7–3.7 В |
| Заряд затвора Qg | 17.7 нКл (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 991.4 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 32 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG55R380F ( OSG55R380FF ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (GreenMOS) |
| Напруга Vds | 550 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7 А |
| Rds(on) | 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А), 300 мОм тип. |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 12.5 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 549.3 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vsd діода | 1.3 В макс. (Is 11 А) |
| trr діода | 199 нс тип. |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG60R380F ( OSG60R380FF ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C), 7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 5,5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл (typ., VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 690 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 31 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R130HT3Z ( OSG65R130HT3ZF ) оригінал, TO247
В наявності
229,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 25 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 15,8 А |
| Опір Rds(on) | 100 мОм тип., 130 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2451 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 201 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R220PZ оригінал, TO220
В наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11.5 А |
| Імпульсний струм стоку | 54 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 220 мОм макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Заряд затвора Qg | 21.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В |
| Потужність розсіювання Pd | 151 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R360DE оригінал (заміна для TPD65R940C , 65R940C ) , D-PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В при Tj 25 °C |
| Струм Id (25 °C) | 12 А при Tc 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7,6 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0,30 Ом типово при Vgs 10 В, Id 3 А |
| Qg | 18,7 нКл типово при Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 8 А |
| Вхідна ємність Ciss | 901 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Vgs(th) | 2,9–3,9 В при Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 83 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG70R350F ( OSG70R350FF ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення (GreenMOS) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 12 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 350 мОм макс., тип. 300 мОм (VGS=10 В, ID=6 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 16.7 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1007.1 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSPF13N50 оригінал ( заміна для OSPF13N50C ) , TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А при Tc 25 °C |
| Опір Rds(on) | 0.35 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 6,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd | 48 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST50N65HSZ ( OST50N65HSZF ) оригінал (заміна для OST50N65HSN , OST50N65HM , OST50N65HM2 ) , TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj=25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc=25 °C); 50 А (Tc=100 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В (VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HEM ( OST60N65HEMF ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5651 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HSX ( OST60N65HSXF ) оригінал (заміна для OST60N65HX ) , TO247
В наявності
292,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | OST60N65HSX |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.5 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 366 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5607 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий і м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST75N65HSM оригінал (заміна для OST75N65HM , OST75N65HSX , OST75N65HN , OST75N65HMF ) , TO247
В наявності
320,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 90 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 300 А при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 1.4 В (тип.), 1.8 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А |
| Заряд затвора Qg | 201 нКл при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 75 А |
| Вхідна ємність Cies | 8165 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd | 405 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HM ( OST80N65HMF ) оригінал, TO247
В наявності
319,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 114 А |
| Струм Ic при 100 °C | 80 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 80 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 172 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 8854 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HSM оригінал, TO247
В наявності
342,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 114 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 80 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.35 В (тип.) |
| Вбудований діод | є, trr 97 нс |
| Заряд затвора Qg | 224 нКл |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.2 В |
| Розсіювана потужність Pd | 395 Вт |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P1825HDB оригінал ( заміна для P1825BD ) , D-PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А |
| Опір Rds(on) | 230 мОм макс. (тип. 193 мОм), VGS=10 В, ID=9 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 286 мОм макс. (тип. 210 мОм), ID=9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (тип. 2 В) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 788 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 74 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NIKO-SEM |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P18N50SE ( WGP18N50SE ) оригінал ( заміна для P18N50C , SIHP18N50C , HFP18N50U , FQP18N50V2 , PV2 18N50 ) , TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wild Goose |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.9 А (Tc 100 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип., 65 нКл макс. (Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 18 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 38.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P2103HVG , so-8(Заміна для E6N03 , AO4800 , AO4812 , AP4232GM , AP4936M , FDS6930B , FDS8978 , IRF7303 )
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNIKC |
| Тип каналу | N-канал, здвоєний |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (TA 25 °C) | 8 А |
| Струм Id (TA 70 °C) | 6 А |
| Rds(on) | 21 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 7 А) |
| Vgs(th) | 0,8–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл тип. (VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TA 25 °C) | 2 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор P24N60FJD ( SVSP24N60FJDD2 ) оригінал, TO220F
В наявності
143,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, Super Junction |
| Виробник | Silan |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (Tc=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (Tc=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.14 Ом типово (VGS=10 В, ID=12 А); максимум 0.16 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |