Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R130HT3Z ( OSG65R130HT3ZF ) оригінал, TO247
229,83 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OSG65R130HT3Z (OSG65R130HT3ZF) – N-канальний MOSFET Oriental Semiconductor у корпусі TO-247 з швидким вбудованим діодом. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 25 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 15,8 А |
| Опір Rds(on) | 100 мОм тип., 130 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2451 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 201 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
OSG65R130HT3Z (OSG65R130HT3ZF) – N-канальний польовий транзистор серії GreenMOS (Z) від Oriental Semiconductor у корпусі TO-247. Напруга Vds 650 В (BVDSS при VGS = 0 В, ID = 1 мА). Струм стоку Id 25 А при TC = 25 °C і 15,8 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) 100 мОм типово, 130 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 12,5 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg 45,5 нКл при VGS = 10 В, VDS = 400 В, ID = 20 А. Вхідна ємність Ciss типово 2451 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц). Потужність розсіювання 201 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод швидкий (FRD): trr 148 нс, Vsd макс. 1,3 В при VR = 400 В, IS = 20 А, di/dt = 100 А/мкс.
Це оригінал, не демонтаж. Цифри наведено за даташитом OSG65R130HT3ZF виробника. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при VGS = 10 В, заряд затвора Qg і корпус TO-247. Якщо Qg у заміни більший, перевірте драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Світлодіодне освітлення
- Адаптери та телеком
- Сонячні системи / UPS, сервери
- Резонансні схеми (швидкий вбудований діод)
Чим замінити OSG65R130HT3Z?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 650 В, Id не менше за 25 А при TC = 25 °C і Rds(on) не гірше 130 мОм при VGS = 10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для резонансних схем?
Вбудований діод швидкий (FRD): trr 148 нс при VR = 400 В, IS = 20 А, di/dt = 100 А/мкс. Резонансні схеми вказані серед застосувань у даташиті.
Чи те саме OSG65R130HT3Z і OSG65R130HT3ZF?
У назві товару вказано обидва позначення. Цифри на сторінці взято з даташита OSG65R130HT3ZF.
Документація виробника: OSG65R130HT3ZF V1.0 (Oriental Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.