Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор P24N60FJD ( SVSP24N60FJDD2 ) оригінал, TO220F

143,35 ₴

9 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

9 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

P24N60FJD (SVSP24N60FJDD2) – N-канальний польовий транзистор Super Junction виробництва Silan у корпусі TO-220F. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипN-канал, Super Junction
ВиробникSilan
Напруга Vds600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)24 А (Tc=25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)15 А (Tc=100 °C)
Опір Rds(on)0.14 Ом типово (VGS=10 В, ID=12 А); максимум 0.16 Ом
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА)
Tj max150 °C
КорпусTO-220F
Вхідна ємність Ciss1480 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

P24N60FJD (SVSP24N60FJDD2) – N-канальний польовий транзистор Super Junction виробництва Silan у корпусі TO-220F (за документом – TO-220FJD-3L). Напруга Vds – 600 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 24 А при Tc=25 °C і 15 А при Tc=100 °C. Опір Rds(on) типово 0.14 Ом при VGS=10 В, ID=12 А, максимум 0.16 Ом. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VGS=VDS, ID=250 мкА. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод є: VSD максимум 1.4 В при IS=24 А. Вхідна ємність Ciss типово 1480 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц).

Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Якщо шукаєте заміну, порівнюйте напругу, струм, Rds(on), корпус і розпіновку з вашою схемою за документом SVSP24N60FJDD2 (Silan). Застосування: силові перетворювачі з високим ККД і високою густиною потужності; підходить для жорстких і м'яких топологій перемикання.

Де застосовують

  • Силові перетворювачі з високим ККД і високою густиною потужності.
  • Підходить для жорстких і м'яких топологій перемикання.
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити P24N60FJD?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 600 В, Id не менше 24 А при 25 °C, Rds(on) не гірше 0.14 Ом при VGS=10 В. Перед заміною порівняйте дані за документом.

Чи підходить для імпульсних перетворювачів?

За документом деталь призначена для силових перетворювачів і підходить для жорстких і м'яких топологій перемикання.

Чим відрізняється SVSP24N60FJDD2 від P24N60FJD?

Це та сама деталь: SVSP24N60FJDD2 – повне позначення, P24N60FJD – маркування на корпусі.

Datasheet

Документація виробника: SVSP24N60FJD(T)D2 Rev 1.6 (Silan).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SVSP24N60FJD(T)D2 Rev 1.6 (Silan) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.