Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG70R350F ( OSG70R350FF ) оригінал, TO220F
164,50 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OSG70R350F ( OSG70R350FF ) – N-канальний MOSFET серії GreenMOS у корпусі TO-220F-3L, напруга Vds 700 В. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення (GreenMOS) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 12 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 350 мОм макс., тип. 300 мОм (VGS=10 В, ID=6 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 16.7 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1007.1 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
OSG70R350F (позначення OSG70R350FF) – N-канальний MOSFET серії GreenMOS виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-220F-3L. Напруга Vds – 700 В при Tj 25 °C. Струм стоку Id – 12 А при Tc 25 °C і 7.6 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – не більше 350 мОм (типово 300 мОм) при VGS=10 В, ID=6 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 16.7 нКл (типово) при VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 А. Вхідна ємність Ciss типово 1007.1 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 32 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on), Qg і корпус із цими цифрами та з datasheet. Корпус має бути той самий – TO-220F-3L. Перевірених аналогів у каталозі для цієї деталі зараз немає. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Блоки живлення ПК
- LED-освітлення
- Телеком- і серверне живлення
- Зарядки EV
- Сонячні системи/ДБЖ
Чим замінити OSG70R350F?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F-3L з Vds не нижче 700 В, струмом Id не нижче 12 А при Tc 25 °C та Rds(on) не гірше 350 мОм при VGS=10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що означає OSG70R350FF у назві?
Це друге позначення тієї самої деталі, за ним документ OSG70R350FF виробника Oriental Semiconductor. На корпусі маркування OSG70R350F.
Чи підійде для блоку живлення?
Серед застосувань для цієї серії – блоки живлення ПК, LED-освітлення, телеком- і серверне живлення, зарядки EV, сонячні системи та ДБЖ. Підбирайте за Vds 700 В та Id 12 А при Tc 25 °C.
Документація виробника: OSG70R350FF V2.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.