Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор OSG55R190F ( OSG55R190FF ) оригінал, TO220F

216,20 ₴

48 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

48 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

OSG55R190F (OSG55R190FF) – N-канальний польовий транзистор Oriental Semiconductor на 550 В і 20 А, корпус TO-220F. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds550 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id20 А (TC=25 °C); 12.5 А (TC=100 °C)
Опір Rds(on)150 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS=10 В, ID=10 А, Tj=25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2.7–3.7 В
Заряд затвора Qg17.7 нКл (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=10 А)
Вхідна ємність Ciss991.4 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц)
Потужність розсіювання Pd32 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга затвор-витік Vgs±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникOriental Semiconductor
СтанОригінал
Опис

OSG55R190F (OSG55R190FF) – N-канальний MOSFET виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-220F. Напруга стік-витік Vds – 550 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 20 А при TC=25 °C і 12.5 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 150 мОм (тип.) і 190 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=10 А, Tj=25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.7–3.7 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 17.7 нКл при VGS=10 В, VDS=400 В, ID=10 А. Вхідна ємність Ciss типово 991.4 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц). Потужність розсіювання – 32 Вт при TC=25 °C, температура переходу до 150 °C.

У нашому каталозі це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg. Корпус і розпіновка мають збігатися. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Блоки живлення ПК
  • LED-освітлення
  • Телеком- і серверні блоки живлення
  • Зарядні станції EV
  • Сонячні системи / ДБЖ
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим відрізняються OSG55R190F і OSG55R190FF?

У назві товару вказано обидва номери: OSG55R190F ( OSG55R190FF ). Документ виробника наведено на OSG55R190FF.

Чим замінити OSG55R190F?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 550 В, струмом Id і опором Rds(on) не гіршими, ніж у OSG55R190F. Якщо заряд затвора більший за 17.7 нКл, перевірте драйвер.

Який струм дозволяє OSG55R190F?

20 А при TC=25 °C і 12.5 А при TC=100 °C. Потужність розсіювання 32 Вт при TC=25 °C.

Datasheet

Документація виробника: OSG55R190FF (Oriental Semiconductor) V2.0.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

OSG55R190FF (Oriental Semiconductor) V2.0 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.