Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG60R380F ( OSG60R380FF ) оригінал, TO220F
216,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OSG60R380F ( OSG60R380FF ) – N-канальний польовий транзистор Oriental Semiconductor у корпусі TO-220F, оригінал. Для джерел живлення й LED-освітлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C), 7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 5,5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл (typ., VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 690 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 31 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
OSG60R380F ( OSG60R380FF ) – N-канальний MOSFET Oriental Semiconductor у ізольованому корпусі TO-220F. Напруга Vds – 600 В при Tj 25 °C. Струм Id – 11 А при Tc 25 °C і 7 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – не більше 0.38 Ом при VGS 10 В, ID 5,5 А, Tj 25 °C (типово 0,33 Ом). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при ID 250 мкА. Заряд затвора Qg – 13 нКл (типово, VDS 480 В, ID 10 А). Вхідна ємність Ciss типово 690 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 31 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: VSD до 1,3 В при IS 11 А, trr типово 266 нс.
Стан – оригінал. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал, Vds, струм Id, Rds(on) та корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Живлення ПК
- LED-освітлення
- Телеком і серверні блоки живлення
- Зарядки EV, сонячні системи і ДБЖ
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити OSG60R380F?
Підійде N-канальний MOSFET у TO-220F з Vds не нижче 600 В, струмом і Rds(on) не гірше за наведені вище. Порівнюйте за даташитом.
Чи є вбудований діод?
Так. VSD не більше 1,3 В при IS 11 А, trr типово 266 нс.
OSG60R380F і OSG60R380FF – це одна деталь?
У назві товару вказано обидва позначення, документ виробника – на OSG60R380FF.
Документація виробника: OSG60R380FF (Oriental Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.