Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор P1825HDB оригінал ( заміна для P1825BD ) , D-PAK

216,20 ₴

9 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

9 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

P1825HDB – N-канальний польовий транзистор NIKO-SEM у корпусі D-PAK (TO-252). Оригінал, може замінити P1825BD.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds250 В
Струм стоку Id (25 °C)18 А
Струм стоку Id (100 °C)11 А
Опір Rds(on)230 мОм макс. (тип. 193 мОм), VGS=10 В, ID=9 А
Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В286 мОм макс. (тип. 210 мОм), ID=9 А
Порогова напруга Vgs(th)1–3 В (тип. 2 В)
Заряд затвора Qg24 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss788 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (25 °C)74 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Напруга затвор–витік Vgs±20 В
КорпусTO-252 (D-PAK)
ВиробникNIKO-SEM
СтанОригінал
Опис

P1825HDB – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва NIKO-SEM у корпусі D-PAK (TO-252). Напруга Vds 250 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id 18 А при TC 25 °C і 11 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) не більше 230 мОм (тип. 193 мОм) при VGS=10 В, ID=9 А та не більше 286 мОм (тип. 210 мОм) при VGS=4,5 В. Порогова напруга Vgs(th) 1–3 В (тип. 2 В), напруга затвор–витік ±20 В. Заряд затвора Qg типово 24 нКл (VGS=10 В, VDS=200 В, ID=18 А). Вхідна ємність Ciss типово 788 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 74 Вт при TC 25 °C і 29 Вт при TC 100 °C, температура переходу до 150 °C.

Стан товару – оригінал. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня. P1825HDB може замінити P1825BD, зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору іншої заміни порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і корпус D-PAK.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи може P1825HDB замінити P1825BD?

Так, P1825HDB може замінити P1825BD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чим замінити P1825HDB?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D-PAK (TO-252) з Vds не нижче 250 В, Id не менше 18 А і Rds(on) близьким до 230 мОм або нижчим при VGS=10 В.

Чи керується P1825HDB напругою 4,5 В?

Rds(on) заданий і для VGS=4,5 В: не більше 286 мОм (тип. 210 мОм) при ID=9 А. При VGS=10 В – не більше 230 мОм.

Datasheet

Документація виробника: P1825HDB (NIKO-SEM).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

P1825HDB (NIKO-SEM) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.