Магазин
Демонтаж
Транзистор SIF18N50C оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C), 11 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 0.24 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.28 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл (Vds 320 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор PFV2 18N50 оригінал демонтаж (18A,500V), TO220F
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C), 12.1 А (Tc 100 °C), FQPF18N50V2 (TO-220F) |
| Опір Rds(on) тип. | 0.225 Ом (Vgs 10 В, Id 9 А; макс. 0.265 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В; макс. 55 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 2530 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 69 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP023N10T оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 280 А (Tc 25 °C), 200 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 1.85 мОм (Vgs 10 В, Id 140 А, Tc 25 °C; макс. 2.3 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В), Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 252 нКл (Vds 50 В, Id 140 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 17000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 365 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40TD60BP оригінал, TO-3P
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 120 А (tp обмежено Tjmax) |
| Vce(sat) | 1,7 В тип., 1,9 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Потужність Pd | 286 Вт (Tc 25 °C), 114 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP4468 оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку ID | 195 А (VGS=10 В, TC=25 °C) |
| Rds(on) макс. | 2,6 мОм (VGS=10 В, ID=180 А, Tj=25 °C) |
| Потужність розсіювання | 517 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 363 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 22000 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1D , G025N06D, HYG025N06D ) оригінал, DPAK
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI (Huayi Microelectronics) |
| Тип | N-канальний, режим збагачення |
| Напруга Vds (BVDSS) | 60 В (мін., Vgs 0 В, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 2.6 мОм тип., 3.3 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4.5 В | 3.8 мОм тип., 4.7 мОм макс. (Ids 40 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 мін., 2.1 тип., 3.0 макс. В (Vds=Vgs, Ids 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgss | ±20 В |
| Заряд затвора Qg (Vgs 10 В) | 58.3 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Заряд затвора Qg (Vgs 4.5 В) | 27.7 нКл тип. (Vds 48 В, Id 40 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 41.1 нс тип. (Isd 40 А, dIsd/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T60AK3SD ( CRG75T60AK3SD ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,55 В тип., 2,4 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 469 Вт (Tc 25 °C), 234 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FIR24N50APT оригінал, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | American First Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C); 15.2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип. (Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 24 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHP170N8F3 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 85 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, обмежено корпусом) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 117,2 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 4 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 208,3 Вт |
| Заряд затвора Qg | 124 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 6234 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
FHF20T60 оригінальний транзистор, TO220F
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 20 А |
| Напруга Vce(sat) | 1,49 В тип. (VGE 15 В, IC 20 А, TJ 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 73 нКл (VCE 480 В, IC 20 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA60T65C2DH ( FHA60T65 ) оригінал, TO-3P
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 60 А |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 465 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 254 нКл (VCE 520 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS50N20A6C ( CS50N20 , CS50N20A6B ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 50 А (Tc 25 °C); 38.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.040 Ом тип., 0.045 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 28 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS12N60F оригінал, TO220F
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, VDMOS |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.57 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 480 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CRJQ41N65GCF оригінал демонтаж, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SJMOS (суперперехід) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 74 А (Tc 25 °C, обмежено Tj max); 47 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 42 мОм тип., 48 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 35 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.3–4.6 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 168 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6594 пФ |
| Потужність Pd | 687 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | ультрашвидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CMP13N50T оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (Tc 25 °C); 8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 45 нКл (VDS = 400 В, ID = 13 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMH20N50 оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 12 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on), макс. | 0.26 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 280 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMF20N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 12 А при Tc 100 °C (обмежено Tj max) |
| Опір Rds(on), тип. | 0.4 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.48 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg, тип. | 57 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 435 нс |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SG2525AP оригінал ( SG2525AP013TR , SG2525A , SG2525 ) , so-16
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | ШІМ-контролер з двотактним виходом |
| Напруга живлення | 8–35 В (гранична 40 В) |
| Опорна напруга Vref | 5,1 В (Tj 25 °C, Vi 20 В) |
| Діапазон частоти генератора | 100 Гц – 500 кГц |
| Струм вихідних каскадів | понад 200 мА |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт (Tamb 70 °C) |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6388ED оригінал, so-8
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | драйвер напівмоста MOSFET/IGBT, технологія BCD offline, виходи у фазі зі входами |
| Напруга живлення верхньої сторони (шина) | до 600 В |
| Вихідний струм (витікання) | 400 мА |
| Вихідний струм (втікання) | 650 мА |
| Час наростання | 70 нс (навантаження 1 нФ) |
| Час спаду | 40 нс (навантаження 1 нФ) |
| Частота перемикання, макс. | 400 кГц (HVG, LVG, CL 1 нФ) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IRS4427 ( S4427 ) оригінал , so-8
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 6–20 В (рекомендована), 25 В (гранична) |
| Вихідний струм (витікання) | 2,3 А (типово, Vcc 15 В, TA 25 °C) |
| Вихідний струм (втікання) | 3,3 А (типово, Vcc 15 В, TA 25 °C) |
| Затримка вмикання ton | 50 нс (типово, Vcc 15 В, CL 1000 пФ) |
| Затримка вимикання toff | 50 нс (типово, Vcc 15 В, CL 1000 пФ) |
| Робоча температура | -40…125 °C (рекомендована) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG8015 оригінал , QFN39
В наявності
149,93 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | QFN39 (6 × 6 мм) |
| Напруга живлення VDD | 2,0–5,5 В (типово 5 В) |
| Напруга живлення драйверів VDD_12V | 10–20 В (типово 15 В) |
| Напруга високої сторони VB | 600 В (гранична, TA 25 °C) |
| Струм драйвера затвора | ±1,8 А |
| Частота вихідної синусоїди | 50 або 60 Гц |
| Несуча частота SPWM | 20 кГц |
| Мертвий час | 300 нс або 1,0 мкс |
| Робоча температура | -45…105 °C (гранична) |
| Стан | Оригінал |
Діод SFR15F60T2 оригінал, TO220-2pin
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип | швидкий (super-fast), одиночний |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 15 А |
| Ifsm | 100 А (t = 8,3 мс) |
| Vf (макс.) | 2,4 В (If = 20 А; Tc = 25 °C) |
| Ir (макс.) | 5,0 мкА (номінальна Vr; Tc = 25 °C) |
| trr (макс.) | 60 нс (If = 0,5 А, Ir = 1,0 А, Irec = 0,25 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Rth(j-c) | 1,2 °C/Вт (TO-220-2L) |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW25N120U2 оригінал, TO247
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 50 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 25 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 75 А (Vge 15 В) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,25 В макс. (Vge 15 В, Ic 25 А, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 210 Вт (Tj 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK150E09NE ( K150E09NE ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (U-MOS-H, режим збагачення) |
| Напруга Vds | 85 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Rds(on) | 3,6 мОм тип., 5,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=75 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл (VDD≈64 В, VGS=10 В, ID=72 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=10 В, ID=1,0 мА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S68N08R оригінал, TO220
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SI-TECH |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 82 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 52 А |
| Rds(on) | 6,5 мОм тип., 7,8 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (VDD=48 В, VGS=10 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4166 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 113 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | 25 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PDP8974 ( DP8974 ) , TO220
В наявності
78,96 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Potens Semiconductor |
| Тип каналу | N, режим збагачення (trench DMOS) |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 76 А |
| Опір Rds(on) | 3,2 мОм тип., 3,9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл тип., 132 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 5160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 1–2,5 В (тип. 1,6 В) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Напруга Vgs | +20/–12 В |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор NCEP055N10 оригінал ( заміна для KEP055N10T ) , TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 110 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 72 А |
| Опір Rds(on) | 5,4 мОм тип., 5,7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=55 А) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3850 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE85H21C оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 148 А |
| Опір Rds(on) | 4,1 мОм тип., 4,95 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295AD оригінал , D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 82 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 95 А (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 67 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 320 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.6 мОм (типове, Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.9 В (типове, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл (типове, Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.88 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP140N + IRFP9140N оригінали, TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| IRFP140N: Vds | 100 В |
| IRFP140N: Rds(on) макс. | 0,052 Ом при Vgs 10 В, Id 16 А |
| IRFP140N: Id | 33 А при Vgs 10 В |
| IRFP140N: Idm | 110 А |
| IRFP140N: Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| IRFP9140N: Vds | -100 В |
| IRFP9140N: Rds(on) макс. | 0,117 Ом при Vgs -10 В, Id -13 А |
| IRFP9140N: Id | -23 А при Vgs -10 В |
| IRFP9140N: Idm | -76 А |
| IRFP9140N: Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R600P ( IPP60R600CP ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6.1 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 15 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.6 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В (Vds=Vgs, Id 0.22 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.1 °C/Вт (макс.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1P ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id | 140 А (Tc 25 °C); 98 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), тип. | 9 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А; макс. 10.7 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3.1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 64 нКл (Vgs 10 В, Vds 160 В, Id 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4708 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr, тип. | 136 нс (Isd 40 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Стан | Оригінал |