Магазин
Транзистор HY1908B ( HY1908 ) оригінал, D2PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vdss | 80 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 64 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 7 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 9 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 185 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GF10NC60KD ( STGF10NC60KD ) оригінал , TO220F
В наявності
156,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 9 А (Tc 25 °C), 6 А (Tc 100 °C), корпус TO-220FP |
| Vce(sat) | 2,2 В тип., 2,5 В макс. (VGE 15 В, Ic 5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VCC 390 В, Ic 5 А, VGE 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, 1 с) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DOD150N03 ( 150N03 ) оригінал ( заміна для CSD30N30 )(30V,150A), D-PAK
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Doingter |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 98 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 3.3 мОм макс. (тип. 2,5 мОм; Id 30 А, Tc 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 6.5 мОм макс. (тип. 4,5 мОм; Id 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1,6 В; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 15 В, Id 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 108 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMP3205B оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Cmos |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 65 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.8 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл тип. (Id 30 А, Vdd 35 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 260 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 40N60FD1 ( SGT40N60FD1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
113,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 100 мкА) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,7 В макс. (VGE 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. (VCE 300 В, Ic 40 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Реле SLI-S-112DM-F ( SLI-S-112DM ) обмотка на 12V ( 30A/250VAC )
В наявності
249,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyou Relays |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Конфігурація контактів | 1 Form A (1 нормально розімкнений) |
| Струм контактів | 30 А (250 В AC, резистивне навантаження) |
| Опір котушки | 160 Ом (±10 %, при 20 °C) |
| Номінальний струм котушки | 75 мА |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Опір контактів | 50 мОм (макс., 6 В DC / 1 А) |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
Реле K1CK012W 12VDC (16A/250VAC) 1група, перемикаюче
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fujitsu Component (FCL Components) |
| Позначення | K1CK012W (FTR-K1CK012W) |
| Тип | Реле електромагнітне силове, для друкованої плати |
| Контактна група | 1 форма C (перемикаюча) |
| Матеріал контактів | AgSnO2 |
| Навантаження контактів | 16 А / 250 VAC / 24 VDC |
| Макс. струм, що пропускається | 20 А |
| Макс. комутована напруга | 440 VAC / 300 VDC |
| Макс. комутована потужність | 4000 ВА / 384 Вт |
| Мін. навантаження | 100 мА 5 VDC |
| Опір контактів | 100 мОм (макс., 1 А, 6 VDC) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 360 Ом (±10 %, 20 °C) |
| Потужність котушки | 400 мВт (20 °C) |
| Напруга спрацювання | 8.4 В DC (20 °C) |
| Напруга відпускання | 1.2 В DC (20 °C) |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Час відпускання | 5 мс (макс.) |
| Опір ізоляції | 1000 МОм (мін., 500 VDC) |
| Електрична міцність котушка-контакти | 5000 В AC, 1 хв |
| Електрична міцність між розімкненими контактами | 1000 В AC, 1 хв |
| Імпульсна міцність котушка-контакти | 10000 В (1.2 × 50 мкс) |
| Механічний ресурс | 20×10^6 спрацювань |
| Температура | -40…+85 °C |
| Висота | 15.7 мм |
| Маса | 13 г (прибл.) |
| Захист корпусу | Flux proof, RTII |
Реле HF2160-1A-12DE (30A/240VAC) обмотка на 12V
В наявності
135,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa (Xiamen Hongfa Electroacoustic) |
| Тип | Реле електромагнітне силове, для друкованої плати |
| Контактна група | 1 форма A (замикаюча) |
| Навантаження контактів (AC) | 30 А / 240 VAC |
| Навантаження контактів (DC) | 20 А / 30 VDC |
| Макс. комутована напруга | 277 VAC / 30 VDC |
| Макс. комутована потужність | 11080 ВА / 1200 Вт |
| Опір контактів | 50 мОм (макс., 1 А, 24 VDC) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 155 Ом (±10 %, 12 В) |
| Потужність котушки | 900 мВт (прибл.) |
| Напруга спрацювання | 9.00 В DC |
| Напруга відпускання | 1.2 В DC |
| Макс. напруга котушки | 15.6 В DC (короткочасно) |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Час відпускання | 10 мс (макс.) |
| Опір ізоляції | 1000 МОм (500 VDC) |
| Електрична міцність котушка-контакти | 2500 В AC, 1 хв |
| Електрична міцність між розімкненими контактами | 1500 В AC, 1 хв |
| Температура | -55…+85 °C |
| Механічний ресурс | 1×10^7 спрацювань |
| Маса | 30 г (прибл.) |
Мікросхема TDA7851L оригінал + 10000uF 25V Rubycon + термопаста
В наявності
737,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Кількість каналів | 4 (мостове вмикання) |
| Макс. вихідна потужність на 4 Ом | 48 Вт на канал |
| Потужність при THD = 10 % | 28 Вт (VS = 14,4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Діапазон напруги живлення | 8–18 В (Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
| Струм спокою | 150 мА (VS = 14,4 В, тип.) |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TB2929AHQ оригінал ( заміна для TB2929HQ )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Макс. вихідна потужність (JEITA max) | 47 Вт (VCC = 15,2 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Потужність при THD = 10 % | 27 Вт (VCC = 14,4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Робоча напруга живлення | 6–18 В (RL = 4 Ом) |
| Вихідний струм (піковий) | 9 А (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OB5282CP оригінал, so-8
В наявності
53,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Частота перетворення | 65 кГц (повне навантаження), до 140 кГц (пікове) |
| Напруга на виводі HV, максимум | 500 В (абсолютний максимум) |
| Напруга живлення VDD | 12–28 В (рекомендовані умови) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Робоча температура середовища | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6386D , so-14
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга силової шини | до 600 В |
| Струм драйвера, виток (source) | 400 мА |
| Струм драйвера, стік (sink) | 650 мА |
| Час наростання / спаду | 50 / 30 нс (навантаження 1 нФ, Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Стійкість до dV/dt | ±50 В/нс (у всьому температурному діапазоні) |
| Робоча напруга Vcc | до 17 В (рекомендовані умови) |
| Поріг включення UVLO | 12 В (діапазон 11,5–12,5 В; вимкнення 10 В) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема ISL9241HRTZ ( ISL9241H , 9241H ) оригінал, QFN-32
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Тип | Контролер зарядки Li-ion (buck-boost, SMBus) |
| Вхідна напруга | 3.9–23.4 В |
| Вихідна напруга | 3.9–18.304 В |
| Елементів Li-ion | 2–4 шт. |
| Інтерфейс | SMBus/I2C |
| АЦП | 8 біт |
| Температура навколишнього середовища | -10…+100 °C (версія HRTZ) |
| Маркування | 9241H |
| Корпус | 32 Ld 4×4 TQFN, L32.4x4D |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
SKD503T оригінальний транзистор, TO220
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 120 А (обмеження корпусу; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (TC=100 °C) | 109 А (за кремнієм) |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 227 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (IF=50 А, dI/dt=100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK8A50D ( K8A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 8 А |
| Rds(on) типовий | 0.7 Ом (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK20A60U ( K20A60U ) оригінал , TO220F
В наявності
144,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, DTMOS II |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 20 А (Ta 25 °C); імпульсний 40 А |
| Rds(on) | тип. 0,165 Ом, макс. 0,19 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11A65W ( K11A65W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11.1 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.39 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FDL2 ( 20N135FDL2 ) оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,2 В макс. (VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Діод | є, If 20 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор T70R380P ( MMFT70R380P ) оригінал , TO220F
В наявності
109,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 700 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,38 Ом, тип. 0,34 Ом (Vgs 10 В, Id 3,2 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 34 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32,4 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор T65R195P ( MMFT65R195PTH ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, суперперехід |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Напруга Vds | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 20 А (TC 25 °C); 12,7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | макс. 0,195 Ом, тип. 0,175 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,3 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 53 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 34 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP9NC60FP ( P9NC60FP ) оригінал, TO-220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 9 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 5,7 А (TC 100 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс., типово 0,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В; VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 40 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2500 В (DC) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF3NK80Z ( F3NK80Z ) оригінал ( Заміна для FQPF3N80C , FQPF3N80 ), TO220F
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 800 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 2,5 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 1,57 А (TC 100 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 4,5 Ом макс., типово 3,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,25 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (типово 3,75 В; VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл типово (VDD = 640 В, ID = 2,5 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 25 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, t = 1 с, TC 25 °C) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
90,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм стоку Id | 20,7 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 13,1 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–3,9 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 208 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SLF65R170E7 оригінал, TO220F
В наявності
94,47 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, суперперехід |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 22 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс., 150 мОм тип. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=VGS, ID=1,7 мА) |
| Заряд затвора Qg | 30,2 нКл тип. (VDS=400 В, ID=10 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Час відновлення діода trr | 274 нс тип. (VDD=400 В, IS=10 А, dIF/dt=100 А/мкс) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 36 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Msemitek |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N10R оригінал, TO220
В наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 63 А |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм тип., 7.6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3056 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 160 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N08R оригінал, TO220
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC=25 °C); 68 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.4 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 100 нс тип., 150 нс макс. (VGS=0 В, IS=45 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор OSG55R190F ( OSG55R190FF ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 550 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (TC=25 °C); 12.5 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS=10 В, ID=10 А, Tj=25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.7–3.7 В |
| Заряд затвора Qg | 17.7 нКл (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 991.4 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 32 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP02T10 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 100 А (TC=25 °C); 70.7 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 10 мОм тип., 12 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS=100 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 140 нс (TJ=25 °C, IF=50 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Co., Ltd) |
| Стан | Оригінал |