Магазин
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1W ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 580 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.0 мОм (типове, Vgs 10 В, Ids 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (типове, Ids 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (типове, Vds 75 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.40 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG011N04 ( G011N04 , HYG011N04LS1B6 ) оригінал(40V/320A), TO-263-6L
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C); 227 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1000 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 10 В | 0.92 мОм типово, макс. 1.2 мОм (Ids = 50 А) |
| Опір Rds(on) при Vgs = 4.5 В | 1.3 мОм типово, макс. 1.6 мОм (Ids = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.8 В типово, діапазон 1–3 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 94.8 нКл при Vgs = 10 В; 45.6 нКл при Vgs = 4.5 В (Vds = 32 В, Ids = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5774 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C); 120 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.62 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.75 В типово, макс. 1.3 В (Isd = 20 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 38.8 нс типово (Isd = 40 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-263-6L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY5208W ( HY5208 ) оригінал (80V,320A), TO247
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим підсилення |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±25 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 320 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу); 228 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 1050 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.7 мОм типово, макс. 2.0 мОм (Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В типово, діапазон 2–4 В (Vds = Vgs, Ids = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 298 нКл типово (Vds = 64 В, Vgs = 10 В, Ids = 160 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 12160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 416 Вт (Tc 25 °C); 208 Вт (Tc 100 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.36 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга діода Vsd | 0.8 В типово, макс. 1 В (Isd = 160 А, Vgs = 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 76 нс типово (Isd = 160 А, dIsd/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N60F оригінал, TO220F
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (VDMOS) |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 7 А (TC = 25 °C); 4.4 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 28 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом типово, макс. 1,3 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл типово (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Енергія лавини EAS | 400 мДж (одиночний імпульс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT045N06N оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Trench) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C, обмеження корпусом); 100 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 480 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 3.3 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 60 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 30 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4531 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 184 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST073N15N оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (SkyMOS1) |
| Напруга Vds | 150 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id | 85 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 540 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 6.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 79 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 75 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5416 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 227 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP4506GEH ( 4506GEH ) оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P |
| Напруга Vds, N-канал | 30 В |
| Напруга Vds, P-канал | −30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В (обидва канали) |
| Струм стоку Id, N-канал | 9 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id, P-канал | −8 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on), N-канал | 24 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4L |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp (APEC) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4467
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 120 В (Ic 50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic 3 А, Vce 4 В |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс.) при Ic 3 А, Ib 0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ic 0,5 А, Vce 12 В |
| Cob | 200 пФ (тип.) при Vcb 10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
Транзистор 2SA1694
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -120 В (Ic -50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | -8 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic -3 А, Vce -4 В |
| Vce(sat) | -1,5 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ie 0,5 А, Vce -12 В |
| Cob | 300 пФ (тип.) при Vcb -10 В, f 1 МГц |
Демонтаж
Мікросхема NCP1027P65 ( P1027P65 , NCP1027P065G ) демонтаж, DIP-7
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Напруга пробою BVdss | 700 В (мін.; ID(off) = 120 мкА, TJ = 25 °C) |
| RDS(on) | 5,8 Ом тип., 7,0 Ом макс. (ID = 100 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 65 кГц (TJ = 25 °C) |
| Пік струму | 800 мА (TJ = 25 °C) |
| Напруга запуску VCC | 8,5 В |
| Напруга вимкнення VCC | 7,2 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема LV5685 оригінал
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Макс. напруга VCC1, VCC2 | 36 В (Ta 25 °C) |
| Макс. напруга V6IN | 7 В (Ta 25 °C) |
| Робоча напруга VCC1 | 7–16 В (вихід VDD) |
| Струм споживання | 65 мкА (тип., працює лише вихід VDD) |
| Захист від перенапруги VCC1, VCC2 | 23 В (тип.) |
| Теплове відключення | 175 °C (тип.) |
| Pd max | 1,3 Вт (без радіатора, Ta ≤ 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV5683 оригінал
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo Semiconductor |
| Тип | Багатоканальний стабілізатор напруги, 4 виходи |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Вихід VDD | 5,0 (3,3) В, Io max 300 мА |
| Вихід AUDIO | 8,5 В, Io max 300 мА |
| Вихід SWU | 3,3 В, Io max 500 мА |
| Вихід USB | 5,0 (8,0 для CD) В, Io max 1100 мА |
| Макс. напруга живлення | 36 В (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність без радіатора | 1,3 Вт (Ta ≤ 25 °C, лише мікросхема) |
| Розсіювана потужність з Al-радіатором | 5,3 Вт (Ta ≤ 25 °C, радіатор 50×50×1,5 мм) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV47004 оригінал ( заміна для LV47004P )
В наявності
261,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (раніше Sanyo Semiconductor) |
| Тип | 4-канальний BTL підсилювач потужності |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Вихідна потужність (макс.) | 41 Вт на канал (типове, VCC = 15,2 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 24 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 1 % | 17 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Рекомендована напруга живлення | 14,4 В (Ta = 25 °C) |
| Робочий діапазон напруги живлення | 9–16 В (Ta = 25 °C, у межах Pd max) |
| Опір навантаження | 4 Ом (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним радіатором) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV47002 оригінал
В наявності
300,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo Semiconductor |
| Тип | 4-канальний BTL підсилювач потужності |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Вихідна потужність (макс., JEITA) | 48 Вт на канал (типове, VCC = 15,2 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 10 % | 28 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Вихідна потужність при КНВ 1 % | 21 Вт (типове, VCC = 14,4 В, f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
| Рекомендована напруга живлення | 14,4 В (Ta = 25 °C) |
| Робочий діапазон напруги живлення | 9–16 В (Ta = 25 °C, у межах Pd max) |
| Опір навантаження | 4 Ом (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Ta = 25 °C, з нескінченним радіатором) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IRS20957S оригінал, so-16
В наявності
181,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Топологія | півміст |
| Напруга зсуву Voffset (макс.) | ±100 В |
| Вихідні струми Io+ / Io- (типово) | 1,0 / 1,2 А |
| Вибірковий час паузи (dead time) | 15 / 25 / 35 / 80 нс (чотири значення на вибір) |
| Затримка ввімкнення / вимкнення (типово) | 95 / 80 нс |
| Затримка захисту від перевантаження за струмом | 500 нс (макс.) |
| Затримка вимкнення (Shutdown) | 250 нс (макс.) |
| Робоча частота | до 800 кГц |
| Логічний вхід | 3,3 В / 5 В (сумісність) |
| Макс. напруга живлення верхнього плеча VB | 215 В (абсолютний максимум) |
| Макс. напруга живлення нижнього плеча VCC | 20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ACS108-5SN ( ACS108-5S , ACS1085S ) оригінал , sot223
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 500 В (Tj 125 °C) |
| Номінальний струм It(rms) | 0,8 А (SOT-223, Tamb 75 °C) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (Vout = 12 В, RL = 140 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга Vtm | 1,3 В макс. (Iout = 1,1 А, tp = 500 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 500 В/мкс мін. (Vout = 400 В, Tj 110 °C) |
| Робоча температура переходу | -30…125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Датчик Холла SS41F (41F – маркування) , TO-92S-3 цифровий (на виході тільки 2 стани – LOW и HIGH)
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Honeywell |
| Тип | цифровий біполярний датчик Холла |
| Корпус | TO-92S |
| Напруга живлення Vs | 4.5–24.0 В |
| Струм споживання | 6.8 мА (тип.), 10.0 мА (макс.) |
| Вихідний струм | 20.0 мА (макс.) |
| Напруга насичення Vsat | 0.4 В (макс.) при Iout=15 мА, Vs=12 В, Bop>170 Гс |
| Точка спрацювання Bop | 40–150 Гс при 25 °C |
| Точка відпускання Brp | -150…-40 Гс при 25 °C |
| Гістерезис | 40 Гс (мін.) |
| Час наростання | 0.5 мкс (тип.), 1.5 мкс (макс.) при Vs=4.5 В |
| Час спаду | 0.2 мкс (тип.), 1.5 мкс (макс.) при Vs=4.5 В |
| Робоча температура | -40…150 °C |
| Вихід | відкритий колектор (sink) |
Транзистор TW120N03D ( 120N03 ) оригінал (30V,120A), D-PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А при VGS=10 В |
| Струм стоку Id (100 °C) | 75 А при VGS=10 В |
| Імпульсний струм Idm | 384 А |
| Опір Rds(on) | тип. 3,0 мОм (макс. 3,8 мОм) при VGS=10 В, ID=15 А |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | тип. 4,4 мОм (макс. 5,5 мОм) при VGS=4,5 В, ID=10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 9,8 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2485 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 62,5 Вт при TC=25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Енергія лавини EAS | 198 мДж |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVD4N65F оригінал, TO220F
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement mode, DMOS |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4,0 А |
| Опір Rds(on) | макс. 3,0 Ом (тип. 2,3 Ом) при VGS=10 В, ID=2 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 15,8 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 556 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 33 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1504N ( JMSH1504NC ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SGT Power MOSFET |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 200 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 126 А |
| Опір Rds(on) | макс. 4,8 мОм (тип. 3,9 мОм) при VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 122 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 8537 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Потужність Pd (100 °C) | 100 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004A ( JMSH1004AE ) оригінал, D2PAK
В наявності
244,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 190 А (розрахунковий), обмеження корпусом 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 134 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм макс. (тип. 3,0 мОм), VGS=10 В, ID=20 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,7 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4398 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P1825HDB оригінал ( заміна для P1825BD ) , D-PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А |
| Опір Rds(on) | 230 мОм макс. (тип. 193 мОм), VGS=10 В, ID=9 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 286 мОм макс. (тип. 210 мОм), ID=9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (тип. 2 В) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 788 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 74 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NIKO-SEM |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE85H21TC оригінал, TO247
В наявності
113,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А |
| Опір Rds(on) | 3,9 мОм макс. (тип. 3,4 мОм), VGS=10 В, ID=40 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 330 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH44N50P ( IXFH44N50 , 44N50 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 44 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 22 А, імпульсний вимір) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл тип. (Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 658 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3207 оригінал, TO220
В наявності
122,67 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 75 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 170 А (обмеження по виводах корпусу 75 А) |
| Струм Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В) | 120 А |
| Імпульсний струм Idm | 720 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 75 А) | 3.6 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 75 А) | 4.5 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл (макс. 260 нКл) |
| Ciss (типово) | 7600 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1920P ( HY1920 ) оригінал, TO220
В наявності
96,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Імпульсний струм Idm (Tc 25 °C) | 360 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 45 А) | 22 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 45 А) | 24 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (типово 3,0 В) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 130.4 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5871 пФ (Vds 25 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |