Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVD4N65F оригінал, TO220F
84,60 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVD4N65F – оригінальний N-канальний MOSFET виробництва Silan на 650 В у ізольованому корпусі TO-220F. Для імпульсних джерел живлення та перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Enhancement mode, DMOS |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4,0 А |
| Опір Rds(on) | макс. 3,0 Ом (тип. 2,3 Ом) при VGS=10 В, ID=2 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 15,8 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 556 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 33 Вт |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
SVD4N65F – N-канальний MOSFET (Enhancement mode, DMOS) виробництва Silan у корпусі TO-220F-3L, оригінал. Напруга Vds – 650 В, струм стоку Id – 4,0 А при TC 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 3,0 Ом (типово 2,3 Ом) при VGS=10 В, ID=2 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS=VGS, ID=250 мкА, напруга затвор–витік Vgs – ±30 В. Заряд затвора Qg – типово 15,8 нКл при VDS=520 В, ID=4,0 А, VGS=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 556 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 33 Вт при TC 25 °C для варіанта F (TO-220F), температура переходу Tj до 150 °C.
При підборі заміни порівнюйте Vds, струм стоку, Rds(on) при VGS=10 В і корпус TO-220F. Документ Silan описує варіанти T і F, а потужність 33 Вт наведена саме для F, тому не плутайте їх. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення AC-DC
- Перетворювачі DC-DC
- Мостові ШІМ-драйвери двигунів
Чим замінити SVD4N65F?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В, струмом стоку не менше 4,0 А при TC 25 °C і Rds(on) не гірше 3,0 Ом при VGS=10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим SVD4N65F відрізняється від SVD4N65T?
У документі Silan описано обидва варіанти. Потужність 33 Вт при TC 25 °C наведено саме для варіанта F у корпусі TO-220F. Перед заміною порівняйте корпус і потужність у datasheet.
Яка напруга потрібна на затворі?
Rds(on) у документі наведено при VGS=10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Максимальна напруга затвор–витік – ±30 В.
Документація виробника: SVD4N65F (Silan).
Струм стоку Id при 100 °C у документі не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.