Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295AD оригінал , D2PAK
216,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE8295AD – N-канальний польовий транзистор NCE для силової комутації та ШІМ. Оригінал, корпус D2PAK.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 82 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 95 А (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 67 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 320 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.6 мОм (типове, Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.9 В (типове, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл (типове, Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.88 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Стан | Оригінал |
NCE8295AD – N-канальний MOSFET виробництва NCE (Wuxi NCE Power) у корпусі TO-263-2L (D2PAK), режим підсилення. Напруга Vds 82 В при Ta 25 °C, струм стоку 95 А при Ta 25 °C і 67 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Idm 320 А при Ta 25 °C. Опір Rds(on) типово 6.6 мОм (макс. 8.0 мОм) при Vgs 10 В, Id 20 А. Порогова напруга Vgs(th) типово 2.9 В (діапазон 2–4 В) при Id 250 мкА, напруга затвор–витік ±20 В. Заряд затвора Qg типово 109.3 нКл при Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 170 Вт при Ta 25 °C, тепловий опір перехід–корпус 0.88 °C/Вт, Tj до 175 °C.
У цьому лоті оригінальна деталь, не копія. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора й корпус із цими значеннями та з документом виробника. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Широтно-імпульсна модуляція (PWM)
- Комутація навантаження
- Силова комутація
- Високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Чим замінити NCE8295AD?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-263 (D2PAK) з Vds не нижче 82 В, струмом стоку близьким до 95 А і Rds(on) не гірше 6.6 мОм при Vgs 10 В. Параметри порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить NCE8295AD для ШІМ?
Так, у документі серед застосувань названо широтно-імпульсну модуляцію (PWM), комутацію навантаження, високочастотні схеми й джерела безперебійного живлення.
Який заряд затвора, чи потрібен драйвер?
Qg типово 109.3 нКл при Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В. Для швидкого перемикання керуйте затвором від драйвера, розрахованого на такий заряд.
Документація виробника: NCE8295AD (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.