Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6388ED оригінал, so-8
80,37 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
L6388ED – драйвер напівмоста високої та низької сторони для MOSFET та IGBT, корпус SO-8. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | драйвер напівмоста MOSFET/IGBT, технологія BCD offline, виходи у фазі зі входами |
| Напруга живлення верхньої сторони (шина) | до 600 В |
| Вихідний струм (витікання) | 400 мА |
| Вихідний струм (втікання) | 650 мА |
| Час наростання | 70 нс (навантаження 1 нФ) |
| Час спаду | 40 нс (навантаження 1 нФ) |
| Частота перемикання, макс. | 400 кГц (HVG, LVG, CL 1 нФ) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
L6388ED – мікросхема STMicroelectronics, драйвер напівмоста високої та низької сторони для MOSFET та IGBT. Виконана за технологією BCD offline, виходи працюють у фазі зі входами. Напруга живлення верхньої сторони (шина) – до 600 В, гранична VBOOT – 618 В. Вихідний струм: 400 мА (витікання) та 650 мА (втікання). Час наростання – 70 нс, час спаду – 40 нс при навантаженні 1 нФ. Максимальна частота перемикання – 400 кГц (HVG, LVG, CL 1 нФ). Стійкість до dV/dt – 50 В/нс у всьому діапазоні температур. У мікросхему вбудовано бутстрепний діод, є блокування одночасного відкриття (interlocking) і мертвий час. Входи сумісні з рівнями 3,3 / 5 / 15 В.
Оригінал, не демонтаж. Корпус SO-8; L6388ED постачається в трубці, а версія L6388ED013TR – у стрічці. Напруга живлення Vcc – до 17 В (гранична 18 В), поріг вмикання за Vcc (UVLO) – 9,6 В при TJ 25 °C. Прямі заміни за даними виробника: L6388E. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Побутова техніка, промислові приводи, драйвери двигунів
- Індукційний нагрів, HVAC
- Освітлення, джерела живлення
Чим замінити L6388ED?
За даними виробника, пряма заміна – L6388E. Перед заміною порівняйте розпіновку й корпус SO-8 за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Які транзистори можна підключити до L6388ED?
Драйвер розрахований на MOSFET та IGBT; напруга живлення верхньої сторони – до 600 В.
Чи є в L6388ED захист від одночасного відкриття ключів?
Так, є блокування одночасного відкриття (interlocking) і мертвий час, а також вбудований бутстрепний діод.
Документація виробника: L6388E, DocID13991 Rev 5.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.