Магазин
Транзистор SKY CRST049N08N оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 95 А |
| Rds(on) (Vgs=10 В, Id=50 А) | 4.1 мОм (макс. 4.9 мОм) |
| Qg (Vgs=10 В, Vds=42.5 В, Id=50 А) | 64 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4027 пФ |
| Pd (Tc 25 °C) | 189 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE6075K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 75 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 9.1 мОм, макс. 11.5 мОм (Vgs=10 В, Id=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE30H15K оригінал, D-PAK
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.0 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 4.4 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл (Vds=15 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE40H12K оригінал, D-PAK
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C), 85 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 330 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.6 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 5.8 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (Vds=20 В, Id=20 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF130F оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 28 А при Tc 25 °C; 18 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 112 А |
| Опір Rds(on) | 110 мОм тип., макс. 130 мОм (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,5 В тип., 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±30 В (AC, f > 1 Гц) |
| Потужність Pd | 35 Вт при Tc 25 °C (TO-220F) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCEP039N10D оригінал, TO263
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 135 А при Tc 25 °C; 108 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 540 А |
| Опір Rds(on) | 3,5 мОм тип., макс. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 65 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0 В тип., 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 6400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP26N60M2 ( 26N60M2 ) оригінал, TO220
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (MDmesh M2) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 13 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 80 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм тип., макс. 165 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип., 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1360 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 169 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDU1511 оригінал, PowerDFN56
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | Trench MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 2,4 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А) |
| Заряд затвора Qg | 51,8 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78,1 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STU446S оригінал, D-PAK
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 38 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 13 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 19 А) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Infineon BTS118D оригінал демонтаж, DPAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Розумний low-side ключ (HITFET), N-канал |
| Напруга Vds | 42 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 70 мОм тип., 100 мОм макс. (VIN 10 В, ID 2,2 А, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм | 3,2 А тип. (TA 85 °C, охолодження 6 см²) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор Fuji 2SK3469 ( K3469 ) оригінал, TO220F
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Super FAP-G) |
| Виробник | Fuji Electric |
| Vds (Tc 25 °C) | 500 В |
| Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (ID 6 А, VGS 10 В) | 0.40 Ом (тип.), 0.52 Ом (макс.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ |
| Tch макс. | 150 °C |
| Vsd (IF 12 А, VGS 0 В) | 1.00 В (тип.), 1.50 В (макс.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IR IRFB7437 оригінал, TO220
В наявності
73,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (кристал) | 250 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (кристал, 100 °C) | 180 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (виводи) | 195 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) typ | 1.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А, TJ = 25 °C) |
| Rds(on) max | 2.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А, TJ = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.2 / 3.0 / 3.9 В (min/typ/max, VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Vgs max | 20 В |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7330 пФ |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.65 °C/Вт (max) |
| Тип | N-канал, HEXFET StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Fuji 2SK2723 ( K2723 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
84,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Vds (Ta 25 °C) | 60 В |
| Id DC (Ta 25 °C) | 25 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 13 А) | 28 мОм (тип.), 40 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS 4 В, ID 13 А) | 45 мОм (тип.), 60 мОм (макс.) |
| Vgs(off) (VDS 10 В, ID 1 мА) | 1.0–2.0 В |
| Ciss | 830 пФ (тип.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 25 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Захисний діод затвор-витік | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GP GP47S60X оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic |
| Тип каналу | N |
| Напруга пробою Vds | 600 В |
| Струм Id | 47 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 15,6 А | 81 мОм макс. (типово 68 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87,967 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 3111,9 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 417 Вт (TO-247) |
| Без галогенів | так (Halogen Free) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Infineon 8R1K0CE ( IPA80R1K0CE , 8R1KOCE ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, CoolMOS CE |
| Напруга Vds | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 5.7 А (TC 25 °C); 3.6 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 18 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.83 Ом (VGS 10 В, ID 3.6 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.95 Ом (VGS 10 В, ID 3.6 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1 (мін.) / 3.0 (тип.) / 3.9 (макс.) В |
| Напруга Vgs | ±20 В (static) |
| Заряд затвора Qg | 31 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 785 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 32 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга ізоляції корпусу | 2500 В rms (TC 25 °C, 1 хв) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HY3606P ( HY3606 ) оригінал, TO220
В наявності
105,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, enhancement mode |
| Напруга Vds | 60 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм стоку Id | 162 А (TC 25 °C); 105 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 3.5 мОм (VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4.5 мОм (VGS 10 В, IDS 81 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0 (мін.) / 3.0 (тип.) / 4.0 (макс.) В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VDS 48 В, VGS 10 В, IDS 81 А, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4376 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 214 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор ST STGB10NB37LZ оригінал демонтаж б/в, D2PAK ( GB10NB37LZ )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з активним обмеженням напруги |
| Vces(clamped) | 410 В (IC = 2 мА, діапазон 380–440 В) |
| Струм Ic | 20 А (TC = 25 °C), 10 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм | 40 А |
| Vce(sat) | 1.2 В (VGE = 4.5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 0.6–2.2 В |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Eas | 300 мДж |
| ESD (HBM) | 4 кВ |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор DAXIN DXG40N65HSEU оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,70 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | DAXIN |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Renesas RJP30E2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT N-канал, trench |
| Напруга Vces | 360 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 35 А |
| Імпульсний струм | 200 А (PW ≤ 10 мкс, скважність ≤ 1 %) |
| Vce(sat) | 1.7 В (IC = 35 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність | 25 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL (ізольований, TO220F) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор Renesas RJH30E2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 30 А |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) | 1.5 В (тип.) |
| tr | 80 нс (тип.) |
| tf | 150 нс (тип.) |
| Vf діода | 1.4 В (тип.) |
| trr діода | 23 нс (тип.) |
| Потужність Pc | 20 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL (ізольований) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор WXD G20T65D оригінал , TO220F
В наявності
253,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 36 А |
| Струм Ic при 100 °C | 18 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | WXD |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGD4536 , D-PAK
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Корпус (докладно) | TO-252 (D-PAK), виводи G, C, E |
| Напруга Vces | 360 В (VGE = 0) |
| Імпульсний струм Icp | 220 А (TC = 25 °C, імпульс < 1 мс) |
| Vce(sat) | 1.59 В при IC = 50 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C |
| Vge(th) | 3.3 В (IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | немає |
Транзистор HUAYI G023N04 ( HYG023N04LS1B ) оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 170 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, IDS 40 А) | 2.1 мОм (тип.), 2.6 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS 4.5 В, IDS 40 А) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1–3 В |
| Qg | 58.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magnachip MDP1932 ( MDP1932TH ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | N-канал, trench |
| Напруга Vdss | 80 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 120 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 175 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id | 110 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,0 мОм типово, 3,4 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В, типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 7.2 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgss | ±20 В |
| Потужність Pd | 209 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11P65W , DPAK
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал (DTMOS, Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 11.1 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. / макс. | 0.35 / 0.44 Ом (VGS 10 В, ID 5.5 А) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS 10 В, ID 0.45 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 11.1 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| trr | 230 нс тип. (IDR 5.5 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор JJ SH1509A ( JMSH1509AC-U ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм Id (25 °C) | 90 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 55 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. / макс. | 9.0 / 10.9 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) мін. / тип. / макс. | 2.5 / 3.2 / 4.5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 179 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2181 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3306 ( FB3306 ) оригінал, TO220
В наявності
125,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний HEXFET MOSFET |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 120 А |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 160 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 110 А |
| Rds(on) | 3,3 мОм (тип.), 4,2 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=75 А |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл (тип.), 120 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4520 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 230 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF14N50FD AOTF14N50FD TF14N50 AOTF14N50 оригінал (замінює UTC14N50L , 14N50L , MPF14N50 , FQPF14N50 , STP14NK50ZFP ) , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 14 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0,29 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=7 А |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1914 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Реле DYSF-D12V-P2 (16A/250V)
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Daeyoung Electric |
| Контактна група | 1 Form A |
| Матеріал контактів | сплав срібла |
| Струм контактів (активне навантаження) | 16 А, 250 В AC (cosφ = 1) |
| Макс. комутована потужність | 4000 ВА |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 360 ± 10 % Ом (при 23 °C) |
| Потужність котушки | 400 мВт |
| Напруга спрацювання | до 9,0 В DC |
| Напруга відпускання | 1,2 В DC (мін.) |
| Час спрацювання | 6,5 ± 0,5 мс |
| Час відпускання | до 5 мс |
| Електричний ресурс | 100 000 спрацювань |
| Механічний ресурс | 2 000 000 спрацювань |
Реле Panasonic AQG22212 ( AQG22212B02 , AQG22112 , G3MC-202PL , G3MC-201PL , G3MB-202PL ) 12VDC 2A/240VAC
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Твердотільне реле (SSR), AC-навантаження, Random |
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | SIL4 (4-SIP, вертикальний) |
| Напруга керування | 9,6–14,4 В DC (при 20 °C) |
| Напруга навантаження | 75–264 В AC (45–65 Гц) |
| Макс. струм навантаження | 2 А AC |
| Час спрацювання | до 1 мс |
| Ізоляція вхід–вихід | 3000 В (діюче) |
| Вбудований снаббер | є |
Демонтаж
Мікросхема STRA6079M ( STR-A6079M , A6079M ) демонтаж, DIP7
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | DIP7 |
| Піковий струм стоку | 1,2 А (одиночний імпульс) |
| Опір відкритого каналу | 19,2 Ом макс. при Ids 0,4 А |
| Середня частота перетворення | 67 кГц (діапазон 60–74 кГц) |
| Напруга запуску Vcc(ON) | 15,3 В (діапазон 13,8–16,8 В) |
| Макс. напруга VCC | 32 В |
| Споживання без навантаження | <25 мВт |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема Micro EG3112 , so-8
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Тип | Драйвер затворів MOSFET/IGBT (напівміст) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга верхнього плеча VB | 600 В (макс., TA 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 2,8–20 В |
| Вихідний струм (витікання) | 2 А |
| Вихідний струм (втікання) | 2,5 А |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Мертвий час | 100 нс (Vcc 12 В, CL 10 нФ) |
Мікросхема ST VIPer27H оригінал, DIP7
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Off-line перетворювач із ключем і ШІМ-керуванням |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стік–витік | 800 В (макс.) |
| Опір відкритого каналу | 7 Ом (Idrain 0,4 А, Vfb 3 В, Tj 25 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,7 А |
| Частота перетворення | 115 кГц (тип H) |
| Робоча напруга VDD | 8,5–23,5 В |
| Стан | Оригінал |
Електролітичний конденсатор 10000uF 25V 105C ( 10000мкФ 25В 105град , 10000*25*105гр ) Rubycon 18*35.5мм оригінальний японський
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 10000 мкФ |
| Робоча напруга | 25 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 18×35.5 мм |
| Виробник | Rubycon |
| Походження | оригінальний японський |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7850 оригінал + 10000uF 25V Rubycon+ термопаста
В наявності
761,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | 4-канальний мостовий підсилювач класу AB |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Потужність на 4 Ом | 30 Вт (4 канали, Vs 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Потужність на 2 Ом | 55 Вт (4 канали, Vs 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Підсилення | 26 дБ (Vs 14,4 В, 1 кГц) |
| Струм спокою | 180 мА (Vs 14,4 В, RL = ∞) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ST TDA7850 оригінал
В наявності
526,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Потужність на 4 Ом | 4 × 30 Вт (Vs = 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Потужність на 2 Ом | 4 × 55 Вт (Vs = 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Підсилення | 26 дБ |
| Напруга живлення (макс.) | 18 В |
| Струм спокою Iq1 | 180 мА (тип.) |
| Потужність Ptot | 80 Вт (Tcase = 70 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP80NF55 ( P80NF55 , 80NF55 ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 55 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Rds(on) тип. / макс. | 5 / 6.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл, макс. 189 нКл (VDD = 44 В, ID = 80 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) мін. / тип. / макс. | 2 / 3 / 4 В (ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки 43CTQ100-1 оригінал, TO262
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки, здвоєний зі спільним катодом |
| Корпус | TO-262 |
| Виробник | Vishay |
| Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм на плече | 20 А (50 % duty, Tc 135 °C) |
| Середній прямий струм на прилад | 40 А (50 % duty, Tc 135 °C) |
| Vf на плече | 0.81 В (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Ir на плече | 1 мА (Vr = 100 В, Tj 25 °C) |
| Ifsm на плече | 275 А (10 мс, синус) |
| Tj і Tstg | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |