Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE30H15K оригінал, D-PAK
155,10 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE30H15K – оригінальний N-канальний MOSFET Wuxi NCE Power Semiconductor, 30 В, 150 А при Tc 25 °C, у корпусі D-PAK.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.0 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 4.4 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл (Vds=15 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
NCE30H15K – N-канальний MOSFET Wuxi NCE Power Semiconductor у корпусі TO-252-2L (D-PAK) для поверхневого монтажу. За даташитом напруга Vds – 30 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 150 А при Tc 25 °C і 105 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 600 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.0 мОм (макс. 4.0 мОм) при Vgs=10 В, Id=20 А та 4.4 мОм при Vgs=4.5 В, Id=10 А. Заряд затвора Qg – 38 нКл при Vds=15 В, Id=30 А, Vgs=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5000 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 130 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Вбудований діод має час зворотного відновлення trr 42 нс при Tj 25 °C, If=40 А, di/dt=100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі. Щоб підібрати заміну, порівняйте з NCE30H15K канал (N), корпус D-PAK із тією ж розпіновкою, напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) при однаковій Vgs і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Порівнюйте лише значення, виміряні за однакових умов.
Де застосовують
- Силові перемикачі
- Жорстко перемикані та високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE30H15K?
Шукайте N-канальний MOSFET у D-PAK з тією ж розпіновкою: Vds не нижче 30 В, Id близький до 150 А при Tc 25 °C, Rds(on) не гірший за 3.0 мОм при Vgs=10 В. Якщо Qg удвічі більший, перевірте драйвер. Остаточну сумісність перевіряйте за даташитом.
Як перевірити NCE30H15K мультиметром?
Виміряйте мультиметром у режимі діода перехід витік–стік: це вбудований діод, він має вести в одному напрямку. Між затвором і двома іншими виводами не має бути провідності. Повноцінну перевірку робіть у схемі.
Яка напруга керування затвором для NCE30H15K?
Rds(on) наведено при Vgs=10 В і Vgs=4.5 В. Максимальна напруга затвор–витік – ±20 В. Порогова напруга Vgs(th) – 1.7 В при Vds=Vgs, Id=250 мкА.
Документація виробника: NCE30H15K (Wuxi NCE Power Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.