Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE6075K оригінал, D-PAK
71,44 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE6075K – оригінальний N-канальний MOSFET Wuxi NCE Power Semiconductor, 60 В, 75 А при Tc 25 °C, у корпусі D-PAK.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 75 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 9.1 мОм, макс. 11.5 мОм (Vgs=10 В, Id=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
NCE6075K – N-канальний MOSFET Wuxi NCE Power Semiconductor у корпусі TO-252-2L (D-PAK) для поверхневого монтажу. За даташитом напруга Vds – 60 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 75 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 300 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 9.1 мОм (макс. 11.5 мОм) при Vgs=10 В, Id=30 А. Заряд затвора Qg – 50 нКл при Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 110 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Вбудований діод має час зворотного відновлення trr 28 нс при Tj 25 °C, If=75 А, di/dt=100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі. Щоб підібрати заміну, порівняйте з NCE6075K канал (N), корпус D-PAK із тією ж розпіновкою, напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) при однаковій Vgs і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Порівнюйте лише значення, виміряні за однакових умов.
Де застосовують
- Силові перемикачі
- Жорстко перемикані та високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE6075K?
Шукайте N-канальний MOSFET у D-PAK з тією ж розпіновкою: Vds не нижче 60 В, Id близький до 75 А при Tc 25 °C, Rds(on) не гірший за 9.1 мОм при Vgs=10 В. Якщо Qg удвічі більший, перевірте драйвер. Остаточну сумісність перевіряйте за даташитом.
Як перевірити NCE6075K мультиметром?
Виміряйте мультиметром у режимі діода перехід витік–стік: це вбудований діод, він має вести в одному напрямку. Між затвором і двома іншими виводами не має бути провідності. Повноцінну перевірку робіть у схемі.
Яка напруга керування затвором для NCE6075K?
Rds(on) наведено при Vgs=10 В. Максимальна напруга затвор–витік – ±20 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В при Vds=Vgs, Id=250 мкА.
Документація виробника: NCE6075K (Wuxi NCE Power Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.