Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF130F оригінал, TO220F
216,20 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE65TF130F – N-канальний польовий транзистор Super Junction Wuxi NCE Power Co., Ltd у корпусі TO-220F, оригінал. Для PFC і імпульсних блоків живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 28 А при Tc 25 °C; 18 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 112 А |
| Опір Rds(on) | 110 мОм тип., макс. 130 мОм (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,5 В тип., 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±30 В (AC, f > 1 Гц) |
| Потужність Pd | 35 Вт при Tc 25 °C (TO-220F) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
NCE65TF130F – N-канальний MOSFET (Super Junction) виробництва Wuxi NCE Power Co., Ltd у корпусі TO-220F. Напруга Vds 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id 28 А при Tc 25 °C і 18 А при Tc 100 °C (обмежено максимальною Tj), імпульсний Idm 112 А. Опір Rds(on) 110 мОм типово, максимум 130 мОм (VGS = 10 В, ID = 14 А). Заряд затвора Qg 37,5 нКл (VDS = 480 В, ID = 28 А, VGS = 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 35 Вт при Tc 25 °C для виконання TO-220F, максимальна температура переходу Tj 150 °C. Напруга затвор-витік Vgs ±30 В (AC, f > 1 Гц).
Стан – оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220F. Datasheet: NCE65TF130D, NCE65TF130, NCE65TF130F v1.0. Відправка в день оплати або наступного дня Новою Поштою, магазин у Запоріжжі.
Де застосовують
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC), імпульсні блоки живлення (SMPS).
- ДБЖ (UPS), напівмостові LLC-схеми.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE65TF130F?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В, Id не менше 28 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 110 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте лише значення, виміряні за однакових умов.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) типово 3,5 В, діапазон 3–4 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Напруга затвор-витік Vgs ±30 В (AC, f > 1 Гц).
Яка потужність розсіювання?
Pd 35 Вт при Tc 25 °C – це значення саме для виконання TO-220F.
Документація виробника: NCE65TF130F (Wuxi NCE Power Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.