Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал

Транзистор MDU1511 оригінал, PowerDFN56

71,44 ₴

17 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

17 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

MDU1511 – N-канальний Trench MOSFET виробництва MagnaChip у корпусі PowerDFN56 для DC/DC-перетворювачів. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусPDFN-8 (5×6)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникMagnaChip
ТипTrench MOSFET, N-канал
Напруга Vds30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id100 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В)
Rds(on)2,4 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А)
Заряд затвора Qg51,8 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А)
Вхідна ємність Ciss3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Потужність Pd78,1 Вт (Tc 25 °C)
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал
Опис

MDU1511 виробництва MagnaChip – N-канальний Trench MOSFET у корпусі PowerDFN56. Напруга Vds 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id 100 А при Tc 25 °C і VGS = 10 В та 94 А при Tc 70 °C. Опір Rds(on) не більше 2,4 мОм при VGS = 10 В, ID = 28 А і не більше 3,3 мОм при VGS = 4,5 В. Порогова напруга Vgs(th) 1,8 В типово при ID = 250 мкА, напруга затвор-витік ±20 В. Заряд затвора Qg 51,8 нКл типово при VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А. Вхідна ємність Ciss типово 3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 78,1 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни порівнюйте корпус і розпіновку, канал, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання; якщо Qg заміни удвічі більший, перевірте драйвер. Дані взято з документа MDU1511 Version 1.5 (MagnaChip). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • DC/DC-перетворювачі та пристрої загального призначення
  • 100 % випробування UIL і Rg
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити MDU1511?

Підійде N-канальний MOSFET у корпусі PowerDFN56 з такою самою розпіновкою: Vds не нижче 30 В, Id близький до 100 А, Rds(on) не вищий за 2,4 мОм при порівнянному VGS. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи керується він логічним рівнем?

Rds(on) наведено при VGS = 10 В і VGS = 4,5 В: до 2,4 і до 3,3 мОм. Порогова напруга Vgs(th) 1,8 В типово.

Які випробування вказані в документі?

За документом MagnaChip, вказано 100 % випробування UIL і Rg.

Datasheet

Документація виробника: MDU1511 (MagnaChip).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

MDU1511 (MagnaChip) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.