Магазин
Транзистор ST13N60M2 ( STF13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 350 мОм тип. / 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 297 нс тип. (Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
CRJF140N65G2F – оригінальний транзистор, TO220F
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction (SJMOS) |
| Напруга Vds | 650 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 110 мОм тип. / 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 11 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 3,2–4,6 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 120 нс тип. (Isd 11 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | China Resources Microelectronics (Chongqing) |
| Вхідна ємність Ciss | 1595 пФ |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF2020CT (заміна для MUR2020FCT ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 200 В (повторювана імпульсна) |
| Середній прямий струм | 10 А на діод (Tc 150 °C), 20 А на весь прилад |
| Імпульсний струм Ifsm | 120 А (один напівперіод, 60 Гц) |
| Пряма напруга Vf | 0,975 В (If 10 А, Tc 25 °C, на діод) |
| Зворотний струм Ir | 5 µА (номінальна Vr, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 35 нс (If 1,0 А, di/dt 50 А/µс) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Конфігурація | загальний катод, катод на виводі 2 |
| Корпус | TO-220F |
Діод MM80FU040PC оригінал, TO-3P
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MacMic |
| Зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм | 40 А на діод (Tc 100 °C), 80 А на корпус |
| Діючий прямий струм | 56 А на діод (Tc 100 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 400 А (Tj 25 °C, 10 мс, 50 Гц, синус) |
| Пряма напруга Vf | 1,5 В макс. (If 40 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 25 нс макс. (If 1 А, dIf/dt -200 А/мкс, Vr 30 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 156 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,8 °C/Вт на діод |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP10N60 оригінал (заміна для P10N60SE , WGP10N60SE ) , TO220
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал |
| Виробник | Feihonltd |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 10 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,7 Ом типово, 0,8 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA26N50A ( FHA26N50 , 26N50A , 26N50 , A26N50 ) оригінал , TO-3P
В наявності
170,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,15 Ом типово, 0,24 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл типово, 120 нКл максимум (Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 26 А) |
| Потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR1560 ( MUR1560G , U1560 ) оригінал (600V,15A), TO220-2pin
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод ультрашвидкий |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм | 15 А (TO-220, Tc 135 °C) |
| Повторюваний імпульсний струм Ifrm | 30 А |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (t = 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,6 В макс. (If 15 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 40 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, -dI/dt 50 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,15 °C/Вт |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P24N60FJD ( SVSP24N60FJDD2 ) оригінал, TO220F
В наявності
143,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, Super Junction |
| Виробник | Silan |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (Tc=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (Tc=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.14 Ом типово (VGS=10 В, ID=12 А); максимум 0.16 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 6060V5 ( GN6060V5DP-E ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH26N60Q ( IXFH26N60P , IXFH26N60 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25–150 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 26 А (Tc=25 °C), імпульсний 104 А |
| Опір Rds(on) | 0.25 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5·ID25) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл типово, макс. 200 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=4 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 360 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (trr макс. 250 нс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор R6020ANZ оригінал , TO-3PF
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Tc=25 °C), імпульсний 80 А |
| Опір Rds(on) | 0.17 Ом типово (ID=10 А, VGS=10 В), максимум 0.22 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.95–4.15 В (VDS=10 В, ID=1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 120 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.5 В при IS=20 А, VGS=0 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP7030BL оригінал, TO220
В наявності
112,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 60 А (безперервний, TC = 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 180 А |
| Rds(on) при VGS = 10 В | 9 мОм макс. (ID = 30 А) |
| Rds(on) при VGS = 4,5 В | 12 мОм макс. (ID = 25 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип. (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1760 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Макс. Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В при VGE = 0 |
| Струм Ic | 60 А при Tc 25 °C (розрахунковий); 30 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1.8 В тип., 2.5 В макс. при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 3.75–5.75 В при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. при Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Робоча частота | до 50 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема SLM343 ( SLM343CK-DG ) оригінал, so-6
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Вихідний струм (витікає) | 4,0 А (максимум, пік) |
| Вихідний струм (втікає) | 6,0 А (максимум, пік) |
| Напруга живлення драйвера | 14–40 В |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче), 1 хв, за UL 1577 |
| Затримка поширення | 140 нс (максимум) |
| Спотворення ширини імпульсу | 35 нс (максимум) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мінімум) |
| Температура переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP40N20 оригінал, TO220
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FeiHong |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В (ID=250 мкА, VGS=0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 35 А (Tc=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 21.5 А (Tc=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 70 мОм типово (VGS=10 В, ID=17.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл типово (VDS=160 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 150 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS30N20 оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал, VDMOSFET |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 18.9 А |
| Опір Rds(on) | 70 мОм типово, макс. 80 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл типово (VDD = 100 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.5 В при IS = 30 А; trr типово 230 нс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST24N60M2 ( STP24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для SPP24N60C3 , 24N60C3 , IXTP24N65X2 , IXTP24N50 ), TO220
В наявності
203,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N (MDmesh M2, захист Зенера) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) | 168 мОм типово, макс. 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (VDD = 400 В, ID = 17 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (типово 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T20 оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 200 А (обмеження кремнієм) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 150 А |
| Опір Rds(on) | 1.8 мОм типово, макс. 2.2 мОм (VGS = 10 В, ID = 100 А) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VDS = 30 В, ID = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 9200 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2–3.5 В (типово 2.7 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 255 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3506P ( HY3506 ) оригінал, TO220
В наявності
87,89 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C; BVDSS мін. 60 В при VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 190 А (Tc 25 °C); 132 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм typ, 4,0 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 95 А) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (VDS = 48 В, VGS = 10 В, IDS = 95 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 306 Вт (Tc 25 °C); 153 Вт (Tc 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G15T60A93L ( CRG15T60A93L ) оригінал, TO220F
В наявності
114,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В при VGE = 0 В |
| Струм Ic | 30 А при Tc 25 °C; 15 А при Tc 100 °C (TO-220F) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.4 В макс. при Ic 15 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 5.7 В тип. при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл при Vce 480 В, Ic 15 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 1095 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 26 Вт при Tc 25 °C (TO-220F) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS740 ( CS740A8H ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 10 А (Tc 25 °C); 7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.36 Ом typ, 0,50 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1254 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H15ME1 ( IHW15N120E1 ) , TO247
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 30 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 45 А |
| Vce(sat) typ | 1,50 В (VGE 15 В, Ic 15 А, Tvj 25 °C) |
| Vge(th) typ | 5,8 В |
| Vge | ±20 В |
| Qg typ | 90 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
Транзистор ST24N60M2 ( STF24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для FCPF21N60NT ), TO220F
В наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 18 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 168 мОм typ, 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 29 нКл (VDD = 480 В, ID = 18 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LA7847 оригінал ( заміна для LA7848 )
В наявності
203,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Максимальна напруга вихідного каскаду | 72 В |
| Максимальний струм відхилення | 2,2 А (розмах, вертикальний вихід) |
| Струм E/W-драйвера | 0,4 А |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR860 ( U860 ) оригінал (600V,8A), TO220-2pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод ультрашвидкий |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм | 8 А (TO-220, Tc 135 °C) |
| Повторюваний імпульсний струм Ifrm | 12 А |
| Ударний струм Ifsm | 80 А (t = 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,6 В макс. (If 8 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 30 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, -dI/dt 50 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF13N50 ( FQF13N50D2 ) оригінал (заміна для KEF13N50 , FIR13N50F )(13A,500V), TO220F
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А |
| Опір каналу Rds(on) | 0,44 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FP12N65 ( FP12N65C ) оригінал (заміна для CR12N65 , TSP12N65M , SFP12N65 , SSFP12N65 , WFP12N65 , CR12N65 A8K , CR12N65A8K , 12N65A8K , OSG60R580P )(12A,650V), TO220
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 12 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 231 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF12N65DF ( FQF12N65 , FQF12N65D , FQF12N65C ) оригінал(12A,650V), TO220F
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 12 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 54 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HF8N65 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (BVDSS, VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 7,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 4,6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,90 Ом (тип.), 1,05 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4,0 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (тип.), 29 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 940 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| trr | 365 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK1574 ( K1574 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0, мін., V(BR)DSS при ID = 10 мА) |
| Струм стоку Id | 8 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) | 0,85 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при ID = 1 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP350 , SOP-8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | двотактний (totem-pole), буферна логіка |
| Піковий вихідний струм, абс. макс. | ±2,5 А |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7,5–10 мА |
| Напруга ізоляції | 3750 В (ср. кв.) |
| CMR | ±15 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+100 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 з вигнутими виводами під поверхневий монтаж |
| Розпіновка | 1 – NC, 2 – анод, 3 – катод, 4 – NC, 5 – GND, 6 – VO (вихід), 7 – NC, 8 – VCC |
Транзистор FHP20N40 оригінал, TO220
В наявності
76,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 400 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,20 Ом (тип.), 0,24 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 10 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл (тип.), 42 нКл (макс.) при VGS = 10 В, VDS = 320 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1840 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 273 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон HCPL3120 ( A3120 , HCPL3120-500E ) оригінал, SOP8
В наявності
114,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Broadcom (Avago) |
| Тип виходу | IC-драйвер для IGBT/MOSFET |
| Піковий вихідний струм, макс. | 2,5 А |
| Піковий вихідний струм, мін. | 2,0 А |
| Напруга живлення (VCC – VEE) | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 3750 В (ср. кв.) |
| CMR | 25 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+100 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор 2мкФ*275VAC (2mkF*275VAC , 2uf 275v -AC) MKP-X2 для індукціонки , варильної поверхні
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 2 мкФ |
| Робоча напруга AC | 275 В AC |
| Тип | MKP-X2 |
Транзистор FDPF12N50NZ ( 12N50NZ ) оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (UniFET II) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11,5 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,46 Ом typ., 0,52 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDA59N30 ( 59N30 ) оригінал(300V,59A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 300 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 59 А (TC 25 °C), 35 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 236 А (імпульс, обмежений Tj max) |
| Rds(on) тип. | 0.047 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А) |
| Rds(on) макс. | 0.056 Ом (Vgs 10 В, Id 29.5 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл (тип.; Vds 240 В, Id 59 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW30V60DF ( STGW30V60DF ) оригінал, TO247
В наявності
306,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT trench gate field-stop, серія V, із діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic | 60 А (TC = 25 °C); 30 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 163 нКл (тип., VCC = 480 В, IC = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 258 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE20TD60BT оригінал, TO247
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип | IGBT N-канал (Trench FS II) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 40 А при Tc 25 °C; 20 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 60 А (обмежений Tjmax) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В при Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл при Vcc 480 В, Ic 20 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 135 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST030N10N оригінал, TO220
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Опір Rds(on) | 2,5 мОм typ., 3,0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 90 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 90 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 11355 пФ |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |