Магазин
Електролітичний конденсатор 270uF 500V 105C ( 270мкФ 500В 105град , 270*500*105гр ) жорсткі виводи 30*40мм
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 270 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×40 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 390uF 500V 105C ( 390мкФ 500В 105град , 390*500*105гр ) жорсткі виводи 30*50мм
В наявності
385,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 390 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×50 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 470uF 500V 105C ( 470мкФ 500В 105град , 470*500*105 ) жорсткі виводи 30*55мм
В наявності
476,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 470 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×55 мм |
| Виводи | жорсткі |
Транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал, TO-247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 60 А при TC 25 °C, 39 А при TC 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В типово, макс. 2,15 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 нКл типово (Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | є, монолітний зворотний (reverse conducting) |
| Потужність розсіювання Ptot | 263 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N60A47 ( 25N60 , GL25N60 ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOS) |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12.5 А); тип. 175 мОм |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgs | ±30 В |
| Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SA3525SC ( SA3525 ) оригінал, sop-16
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення | 8–35 В |
| Опорна напруга Vref | 5,1 В (5,0–5,2 В) |
| Частота генератора | 100 Гц–400 кГц |
| Вихідний струм (пік) | 400 мА |
| Струм споживання | 12 мА (макс. 20 мА) |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP14N50C оригінал ( заміна для 14N50L , UTC14N50L , T14N50 , AOT14N50 ), TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 14 А (Tc 25 °C); 8.5 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.46 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7 А); тип. 0.40 Ом |
| Qg | 41 нКл (Vdd 250 В, Id 14 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2129 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RS18N50F оригінал , TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 18 А при Tc 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 72 А |
| Rds(on) | 0.34 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 9 А (тип. 0.28 Ом) |
| Заряд затвора Qg | 39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 39 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr | 310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLM2106B ( SLM2106BCA-13GTR ) оригінал, SOIC-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга зміщення VOFFSET (макс.) | 600 В |
| Напруга живлення VCC | 10…20 В |
| Вихідний струм IO– (тип.) | 950 мА |
| Затримка вмикання ton | 160 нс |
| Затримка вимикання toff | 220 нс |
| Температура переходу TJ (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А при 25 °C, 30 А при 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В типово, макс. 2,5 В (Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл типово (Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний, надшвидкий |
| Потужність розсіювання Ptot | 200 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2560+2SB1647 ( D2560+B1647 ) оригінали
В наявності
404,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| 2SD2560: виробник | Sanken |
| 2SD2560: тип | NPN Дарлінгтон |
| 2SB1647: тип | PNP Дарлінгтон |
| 2SD2560: напруга VCEO (Ta 25 °C) | 150 В |
| 2SD2560: струм колектора IC (Ta 25 °C) | 15 А |
| 2SD2560: потужність PC (Tc 25 °C) | 130 Вт |
| 2SD2560: hFE (мін., IC 10 А, VCE 4 В) | 5000 |
| 2SD2560: VCE(sat) (макс., IC 10 А, IB 10 мА) | 2,5 В |
| 2SD2560: Tj (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N60 ( MDF11N60TH , 11N60 ) оригінал ( заміна для 11N60ES , 11N60E , FMV11N60ES , FQPF11N60 ), TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.55 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38.4 нКл (Vds 480 В, Id 11 А, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1515P ( HY1515 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 150 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 50 А при Tc 25 °C; 36 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 180 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) | 34 мОм макс. при Vgs 10 В, Ids 30 А (тип. 28 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл при Vgs 10 В, Ids 30 А |
| Вхідна ємність Ciss | 2447 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Vds=Vgs, Ids 250 мкА |
| Потужність Pd | 180 Вт при Tc 25 °C; 90 Вт при Tc 100 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6050A оригінал, TO220
В наявності
76,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 60 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 50 А при Tc 25 °C; 35.4 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 90 А |
| Rds(on) | 20 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 20 А (тип. 14 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл при Vds 30 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2050 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 85 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
STFI40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал, I2PAKFP(TO-281)
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В (V(BR)DSS, VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 34 А (TC = 25 °C); 22 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,088 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | від -55 до 150 °C |
| Корпус | I2PAKFP (TO-281) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icp | 220 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В (typ., Vge 15 В, Ic 30 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (Vce 390 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (надшвидкий) |
| Потужність Ptot | 250 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRG4PC50KD ( G4PC50KD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 52 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.84 В (typ., Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 95 нс (typ., Ic 30 А, Vcc 480 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є (HEXFRED) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FCA22N60N ( 22N60N ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, SupreMOS |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 22 А (TC = 25 °C); 13,8 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS = 380 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1950 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | від -55 до +150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH22N65X2 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (TJ = 25–150 °C) |
| Струм стоку Id | 22 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5 × ID25) |
| Vgs(th) | 3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА) |
| Заряд затвора Qg(on) | 37 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | від -55 до +150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SA1492+2SC3856 ( A1492+C3856 ) оригінали
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-3P |
| 2SA1492: тип | PNP |
| 2SC3856: тип | NPN |
| Напруга VCEO (обидва, Ta 25 °C) | 180 В |
| Струм колектора IC (обидва, Ta 25 °C) | 15 А |
| Потужність PC (обидва, Tc 25 °C) | 130 Вт |
| hFE (мін., IC 3 А, VCE 4 В) | 50 |
| VCE(sat) (макс., IC 5 А, IB 0,5 А) | 2,0 В |
| fT (тип., обидва) | 20 МГц |
| Tj (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRG4BC30W ( G4BC30W ) оригінал, TO220
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм колектора Ic | 23 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 92 А |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C); 42 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 980 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В (максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGPF70N33 ( FGPF70N33BT ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 330 В |
| Імпульсний струм колектора Ic (імп.) | 160 А (TC 25 °C; імпульс 100 мкс, шпарність 0,1) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В (typ., Ic 70 А, Vge 15 В, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл (typ., Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1380 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP11NK50Z ( P11NK50Z ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 10 А (TC=25 °C), 6,3 А (TC=100 °C) |
| Rds(on) | макс. 520 мОм, тип. 470 мОм (VGS=10 В, ID=4,5 А) |
| Qg | тип. 49 нКл (VDD=400 В, ID=11,4 А, VGS=0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 125 Вт (TC=25 °C) |
| Vgs(th) | 3–4,5 В (VDS=VGS, ID=100 мкА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод MM15F060K оригінал, TO220-2pin
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MacMic |
| Тип | Діод швидкий (FRED), одиночний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 15 А при Tc 110 °C |
| Ударний струм Ifsm | 150 А при Tj 25 °C, 10 мс, 50 Гц, синус |
| Пряма напруга Vf | 1.5 В макс. при If 15 А, Tc 25 °C |
| Час зворотного відновлення trr | 25 нс макс. при If 1 А, dIf/dt –200 А/мкс, Vr 30 В |
| Розсіювана потужність Pd | 83 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | –55…150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF8N80C оригінал, TO220F
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vdss | 800 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 8 А (TC 25 °C), 5.1 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 32 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 1.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Розсіювана потужність Pd | 59 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP24N50MP оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | APME |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В) |
| Струм Id | 24 А (TC=25 °C) |
| Rds(on) | макс. 280 мОм, тип. 215 мОм (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Qg | тип. 38 нКл (VDS=250 В, ID=18 А, VGS=10 В) |
| Vgs(th) | 2,0–5,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H13N50ANF ( HRH13N50ANF ) оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, планарний MOSFET |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А (умови в документі не вказані) |
| Імпульсний струм Id | 52 А |
| Опір Rds(on), тип. | 0.48 Ом (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 30.9 нКл |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | SHUNYE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T60A83L ( CRG20T60A83L ) оригінал, TO220
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.66 В typ, макс. 2.4 В (IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 86.4 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMP3205A оригінал ( заміна для CMP3205 ) , TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNT30N65T оригінал, TO220
В наявності
179,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (за кодом у номері) |
| Струм Ic | 30 А (за каталогом, температура не вказана) |
| Vce(sat) | 1.75 В typ (Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 5.4 В typ (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C (для серії) |
| Час витримки КЗ | 5 мкс (VGE = 15 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLMi8233BD ( SLMi8233BDCG-DG ) оригінал, SOP16W
В наявності
147,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI68011CD оригінал ( NSI68011C-DSWAR ), sow6
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3BS02 оригінал ( заміна для ICE3DS01 ), DIP8
В наявності
142,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BT60T60 ( BT60T60ANFK ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.85 В typ, макс. 2.4 В (IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 117 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3398 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 403 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRFP3206 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vdss | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (по кремнію) | 200 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку ID (по виводах) | 120 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 3,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 280 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В макс. |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IGW15T120F оригінал демонтаж б/в ( заміна для IGW15T120CR ) , TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IPS |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Vce(sat) тип. (Ic 15 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) | 2.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 160 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2485 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXFH34N65X2 ( IXTH34N65X2 , 34N65 ) оригінал демонтаж(650V,34A), TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (TJ 25–150 °C; VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм Id | 34 А при TC 25 °C |
| Rds(on) | до 100 мОм (VGS=10 В, ID=0.5·ID25, TJ 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.5–5.0 В (VDS=VGS, ID=2.5 мА) |
| Qg | 56 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3230 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 540 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Сімістор BTA12-600B оригінал (12A,600V,50mA), ТО220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 90 °C) |
| Ударний струм ITSM | 120/126 А (50/60 Гц, повний період) |
| Струм відкривання Igt | 50 мА макс. (квадранти I–II–III), 100 мА макс. (IV); VD 12 В, RL 30 Ом |
| Напруга відкривання Vgt | 1,3 В макс. |
| Напруга VTM | 1,55 В макс. (ITM 17 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання IH | 50 мА макс. |
| dV/dt | 400 В/мкс мін. (Tj 125 °C, VD 67 % VDRM) |
| Квадранти | 4Q (I, II, III, IV) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2,3 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB Ins. (ізольована основа) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
221,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | RC-IGBT, Resonant Switching, TRENCHSTOP |
| Напруга Vce | 1350 В при Tvj=25 °C |
| Струм колектора Ic | 40 А при Tc=25 °C; 20 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип. при VGE=15 В, IC=20 А, Tvj=25 °C; 1,90 В при Tvj=175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний, Vf 1,60 В тип. при IF=20 А |
| Заряд затвора QG | 195 нКл (тип., VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Потужність Ptot | 310 Вт при Tc=25 °C; 155 Вт при Tc=100 °C |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |