Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLMi8233BD ( SLMi8233BDCG-DG ) оригінал, SOP16W
147,58 ₴
73 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
73 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SLMi8233BD – мікросхема в корпусі SOP16W, оригінал. Друге маркування – SLMi8233BDCG-DG.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
SLMi8233BD – ізольований двоканальний драйвер затвора Sillumin для верхнього й нижнього плеча (входи VIA, VIB). Піковий вихідний струм джерела – 4,0 А. Ізоляція за UL 1577 – 5000 В (діюче) протягом 1 хвилини. Живлення входу VDDI – 3…18 В, виходів VDDA, VDDB – до 40 В. Поріг UVLO виходів – 8,5 / 7,5 В для версії BD. Затримка поширення – 40 нс (макс. 60 нс) при CLOAD = 1 нФ, fsw = 1 кГц, VDDA = VDDB = 15 В.
Оригінал, не демонтаж. Корпус SOP16W, 16 виводів. Значення взято з документа SLMi823x, Rev1,3, для рядка SLMi8233BDCG-DG. Підбираючи заміну, порівнюйте піковий струм, напругу ізоляції, поріг UVLO та розпіновку. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Застосування: ізольований драйвер MOSFET, IGBT, SiC і GaN; імпульсні джерела живлення AC/DC і DC/DC (сервери, телеком, промисловість), сонячні інвертори DC/AC, зарядка електромобілів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який корпус у SLMi8233BD?
Корпус SOP16W, як указано в назві товару.
Чим замінити SLMi8233BD?
Підходить лише повна заміна з тим самим корпусом і розпіновкою. Порівняйте datasheet обох мікросхем, за назвою заміну підбирати не можна.
Що означає SLMi8233BDCG-DG у назві?
Це повне маркування для SLMi8233BD. Шукайте деталь за будь-яким із двох позначень.
Документація виробника: SLMi8233BDCG-DG (Sillumin).
Параметри наведено за datasheet виробника Sillumin SLMi823x, Rev1,3, рядок SLMi8233BDCG-DG.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор CRST045N10N оригінал (заміна для P045N10 , BLP045N10-P ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА; тип. 115 В) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) | 3.6 мОм тип., макс. 4.5 (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА; тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd | 227 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.