Транзистори
Транзистор TF8N50 ( AOTF8N50 ) оригінал, TO220F
В наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, високовольтний |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id | 9 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В, TO-220F) |
| Струм Id (100 °C) | 6 А (Tc = 100 °C, TO-220F) |
| Rds(on) | 0,85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4 А) |
| Потужність Pd | 38,5 Вт (Tc = 25 °C, TO-220F) |
| Вхідна ємність Ciss | 868 пФ |
| Vgs | ±30 В макс. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FD ( 20N135FD ) оригінал, TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 60 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tc 25 °C) | 1.8 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1950 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 223 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Trinno Technology |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FDL2 ( 20N135FDL2 ) оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,2 В макс. (VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Діод | є, If 20 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N60F2DS ( 40N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C, 40 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) | 2.3 В (тип.), 2.9 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 115 нКл (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2635 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 236 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N65F2DS ( 40N65F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRINNO |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,85 В типово (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 283 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл типово (Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2625 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN60N60F2DS ( 60N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В тип., 2,20 В макс. (VGE 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл тип. (VCC 400 В, Ic 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3250 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, швидкий антипаралельний |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN80N60F2DS ( 80N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Vce(sat), типове | 1.75 В (Ic 80 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл (Vcc 400 В, Ic 80 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5140 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 481 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP106 , TO220
В наявності
17,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон, епітаксіальний кремній, вбудовані резистори база–емітер |
| Виробник | Fairchild |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -8 А (DC, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм | -15 А |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C), 2 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 1000–20000 (Vce -4 В, Ic -3 А) |
| Vce(sat) | -2 В макс. (Ic -3 А, Ib -6 мА) |
| Vbe(on) | -2,8 В макс. (Vce -4 В, Ic -8 А) |
| Cob | 300 пФ макс. (Vcb -10 В, f 0,1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TIP127 оригінал (p-n-p,100V,5A), TO220
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -100 В (IB = 0, Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic (DC) | -5 А |
| Піковий струм колектора | -8 А |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 1000 (мін.) при Vce -3 В, Ic -3 А |
| Vce(sat) | -2 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -12 мА |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP142 оригінал (n-p-n,100V,10A,125W составний ) , TO247
В наявності
135,36 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон (вбудований резистор база-емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 100 В (мінімум, Ic 30 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcb | 100 В (максимум) |
| Напруга Veb | 5.0 В (максимум) |
| Струм колектора постійний | 10 А (максимум) |
| Струм колектора імпульсний | 15 А (5 мс, шпаруватість не більше 10 %) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 1000 (мінімум, Ic 5.0 А, Vce 4.0 В) |
| Vce(sat) | 2.0 В (максимум, Ic 5.0 А, Ib 10 мА, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.0 °C/Вт (максимум) |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP147 оригінал , TO247
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон (вбудований резистор база-емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 100 В (мінімум, Ic 30 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcb | 100 В (максимум) |
| Напруга Veb | 5.0 В (максимум) |
| Струм колектора постійний | 10 А (максимум) |
| Струм колектора імпульсний | 15 А (5 мс, шпаруватість не більше 10 %) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 1000 (мінімум, Ic 5.0 А, Vce 4.0 В) |
| Vce(sat) | 2.0 В (максимум, Ic 5.0 А, Ib 10 мА, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.0 °C/Вт (максимум) |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP147T , TO220
В наявності
52,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А постійний |
| Імпульсний струм колектора Icm | 20 А |
| Потужність розсіювання Pd | 90 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 1000 при IC = 5 А, VCE = 4 В |
| Vce(sat) (макс.) | 2 В при IC = 5 А, IB = 10 мА |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TIP35C оригінал (Заміна для TIP33C ) , TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 25 А постійний |
| Імпульсний струм колектора Icm | 50 А (tP < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 25 при IC = 1,5 А, VCE = 4 В |
| Vce(sat) (макс.) | 1,8 В при IC = 15 А, IB = 1,5 А |
| Гранична частота fT (мін.) | 3 МГц при IC = 1 А, VCE = 10 В, f = 1 МГц |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP36C оригінал , TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 25 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 50 А (tP < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В макс. (IC = 15 А, IB = 1,5 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP41C (n-p-n,100V,6A,65W) , TO220
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 6 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 10 А |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–75 (IC = 3 А, VCE = 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 6 А, IB = 0,6 А) |
Транзистор TIP42C (p-n-p,100V,6A,65W) , TO220
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (DC) | -6 А (TC 25 °C) |
| Струм Icp імпульсний | -10 А (TC 25 °C) |
| Потужність Pc | 65 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | мін. 30 при Vce -4 В, Ic -0,3 А |
| Vce(sat) | -1,5 В макс. при Ic -6 А, Ib -600 мА |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TK100E08N1 ( K100E08N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (обмеження корпусом; за кремнієм 214 А) |
| Опір Rds(on) | 3.2 мОм макс., 2.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9000 пФ |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 93 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E10N1 ( K100E10N1 ) оригінал , TO220
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET, N-канал, U-MOS-H |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 100 А |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 207 А |
| Rds(on) тип. | 2,8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 3,4 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Qg | 140 нКл (Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8800 пФ |
| Pd | 255 Вт (Tc = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK10A60E ( K10A60E ) оригінал ( заміна для TK10A60W , K10A60W , TK10A60D , K10A60D ) (600V,10A), TO220F
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 10 А (постійний) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tch | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 400 нс тип. |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11A65W ( K11A65W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11.1 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.39 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK11P65W , DPAK
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал (DTMOS, Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 11.1 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. / макс. | 0.35 / 0.44 Ом (VGS 10 В, ID 5.5 А) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS 10 В, ID 0.45 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 11.1 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| trr | 230 нс тип. (IDR 5.5 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор TK12A50D ( K12A50D ) оригінал , TO220F(заміна для K12N50D )
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (TC 25 °C) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) | 0,52 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Qg | 29 нКл тип. (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 45 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK150E09NE ( K150E09NE ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (U-MOS-H, режим збагачення) |
| Напруга Vds | 85 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 120 А |
| Rds(on) | 3,6 мОм тип., 5,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=75 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл (VDD≈64 В, VGS=10 В, ID=72 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS=10 В, ID=1,0 мА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A60D ( K15A60D ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (MOS, підвищення) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (DC) | 15 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 7.5 А | тип. 0.31 Ом, макс. 0.37 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Тепловий опір канал–корпус | макс. 2.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A60U ( K15A60U ) оригінал , TO220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (DTMOS II) |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 950 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 530 нс (Idr 15 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK16A60W ( K16A60W ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 15,8 А (Tc = 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idp | 63,2 А |
| Rds(on) тип. | 0,16 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Rds(on) макс. | 0,19 Ом (VGS = 10 В, ID = 7,9 А) |
| Поріг Vth | 2,7–3,7 В (VDS = 10 В, ID = 0,79 мА) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1350 пФ |
| Vgss | ±30 В |
| Tch макс. | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 2000 В (RMS) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK20A60U ( K20A60U ) оригінал , TO220F
В наявності
144,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, DTMOS II |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 20 А (Ta 25 °C); імпульсний 40 А |
| Rds(on) | тип. 0,165 Ом, макс. 0,19 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | тип. 27 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK25E60X ( K25E60X , K25E60X5 ) оригінал , TO220
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм стоку Id (DC, Tc 25 °C) | 25 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 7,5 А) | 0.105 Ом тип., 0.125 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) (Vds 10 В, Id 1,2 мА) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 25 А) | 40 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 180 Вт |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор TK39N60W ( K39N60W ) оригінал демонтаж (заміна для K39N60W5 , TK39N60W5 ) (600V,38.8A,0.055R) , TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET N-канал (DTMOS, super junction) |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 38.8 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Idp | 155 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) typ | 0.055 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) max | 0.065 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.7–3.7 В (Vds 10 В, Id 1.9 мА) |
| Qg | 110 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 38.8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ |
| Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch max | 150 °C |
| Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK58E06N1 ( K58E06N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, режим збагачення |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Струм стоку Id (з радіатором) | 58 А |
| Rds(on) типово | 4,4 мОм при Vgs = 10 В, Id = 29 А |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт при Tc = 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл при Vdd ≈ 48 В, Vgs = 10 В, Id = 58 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK5P65W оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (DTMOS, Super Junction) |
| Напруга Vds (Ta 25 °C) | 650 В |
| Струм стоку Id (DC, Ta 25 °C) | 5,2 А |
| Rds(on) | 1,22 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,6 А) |
| Qg | 10,5 нКл тип. (VDD = 400 В, VGS = 10 В, ID = 5,2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 380 пФ |
| Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = 10 В, ID = 0,17 мА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 60 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK72E12N1 ( K72E12N1 ) оригінал , TO220
В наявності
148,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 72 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4,4 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Rds(on) тип. | 3,6 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (Vdd ≈ 96 В, Vgs 10 В, Id 72 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Ciss | 8100 пФ (Vds 60 В, Vgs 0 В, f 1 МГц) |
| Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK80E08K3 ( K80E08K3 ) оригінал , TO220
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 75 В |
| Струм Id | 70 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 7,5 мОм тип., 9,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Vth | 2,0–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK8A50D ( K8A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id | 8 А |
| Rds(on) типовий | 0.7 Ом (Vgs 10 В, Id 4 А) |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл (типовий) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Розпіновка | 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK8P65W оригінал( заміна для CS8N65 ) , D-PAK
В наявності
43,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (DTMOS, Super Junction) |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 7.8 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.55 Ом тип., 0.67 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.9 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 7.8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 570 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS 10 В, ID 0.3 мА) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 210 нс тип. (IDR 3.9 А, VGS 0 В, -dIDR/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |