Магазин
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал, TO247
В наявності
139,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20.7 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 13.1 А |
| Rds(on) | 0.16 Ом тип., 0.19 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 13.1 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1–3.9 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA24N90 оригінал (24A,900V), TO247
В наявності
202,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Струм Id | 24 А |
| Напруга Vds | 900 В |
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO220
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0.36 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон FOD3150ASD ( 3150A , FOD3150A ) , sop-8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип виходу | драйвер затвора, push-pull |
| Піковий вихідний струм | 3 А (абсолютний максимум) |
| IOH | -1.0 А (мін.), -2.0 А (тип.) при VO = VDD – 3 В |
| IOL | 1.0 А (мін.), 2.0 А (тип.) при VO = VSS + 3 В |
| Напруга живлення VDD–VSS | 15–30 В |
| Робочий вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції VISO | 5000 В (діюче, 1 хв) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема NSI1311D ( NSI1311-DSWVR , NSi1311D ) оригінал, sop8(300mil)
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOW-8-300mil |
| Ізоляція | до 5000 В rms |
| Вхідний діапазон VIN | 0.02–2 В (несиметричний вхід, високий вхідний опір) |
| Коефіцієнт підсилення | 1 (фіксований) |
| Живлення VDD1 | 3.0–5.5 В (рекомендовані умови) |
| Живлення VDD2 | 3.0–5.5 В (рекомендовані умови) |
| Смуга пропускання | 400 кГц (тип.) |
| Відношення сигнал/шум | 82 дБ (тип., смуга 10 кГц) |
| Похибка зміщення | ±1.5 мВ (макс.) |
| Похибка підсилення | ±0.3 % (макс.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI1300D25D ( NSI1300D25-DSWVR , NSi1300D25D ) оригінал, sop8(300mil)
В наявності
350,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOW-8-300mil |
| Вхідний діапазон | ±250 мВ |
| Коефіцієнт підсилення | 8.2 В/В (Ta 25 °C) |
| Смуга пропускання | 310 кГц (тип.) |
| Напруга ізоляції | до 5000 В (ефект.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Напруга живлення | 3.0–5.5 В |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3AR2280JZ оригінал ( 3AR2280JZ ) , DIP7
В наявності
174,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим MOSFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга стік–витік Vds | 800 В (макс.) |
| Rds(on) | 2.26 Ом (тип., Tj = 25 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Поріг вмикання VCC | 17.0 В (тип.) |
| Поріг вимикання VCC | 10.5 В (тип.) |
| Плавний старт | 10 мс |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
DXG60N65HSEU оригінальний транзистор, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 120 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 240 А |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 416 Вт (TC = 25 °C) |
| Вбудований діод | так |
| Розпіновка | 1 – G, 2 – C, 3 – E |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN80N60F2DS ( 80N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Vce(sat), типове | 1.75 В (Ic 80 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл (Vcc 400 В, Ic 80 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5140 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 481 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF33N60M2 ( 33N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 26 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 16 А |
| Rds(on) | 108 мОм тип., 125 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 45.5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1781 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP15T14D оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм Id при 25 °C | 140 А |
| Струм Id при 100 °C | 100 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 70 А | 5,6 мОм (тип.), 6,2 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 340 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40TD65BT оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 650 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 286 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE20TD60BF оригінал, TO220F
В наявності
94,47 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 34.5 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP1921 ( MDP1921TH ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id при 25 °C | 153 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id при 100 °C | 97 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 50 А | 3,8 мОм (тип.), 4,5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 223 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP18N50 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id при 25 °C | 18 А |
| Струм Id при 100 °C | 11 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 9 А | 0,22 Ом (тип.), 0,27 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 236 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KJ014N10T ( заміна для KJ015N10T , KJ023N10T ) , TOLL
В наявності
202,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TOLL |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
Демонтаж
Транзистор KEA30N50A оригінал демонтаж (заміна для KEA30N50 , KEA30N50C ) , TO247
В наявності
338,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 30 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В) | 200 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 460 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор KEA25N50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор KEA20N50 оригінал демонтаж (заміна для KEA20N40 ) , TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Тип | польовий транзистор (MOSFET) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXFH22N65X2 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vdss | 650 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм Id25 | 22 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 145 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5·ID25, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,5–5,0 В (VDS = VGS, ID = 1,5 мА) |
| Qg(on) | 37 нКл (VGS = 10 В, VDS = 0,5·Vdss, ID = 0,5·ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 2190 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 390 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ITW5025A оригінал, TO-3P
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | польовий транзистор (MOSFET) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG020N10NS1W ( HYG020N10 , HYG020N10W ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id | 269 А (Tc 25 °C); 190 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.9 мОм тип., 2.3 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 80 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 98 нс тип. (Isd 100 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1906P ( HY1906 ) оригінал, TO220
В наявності
47,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 60 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc = 25 °C); 80 А (Tc = 100 °C) |
| Rds(on) | 6,0 мОм тип., 7,5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В; VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Qg | 96 нКл тип. (VDS = 30 В, VGS = 10 В, IDS = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4577 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 188 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | HOOYI |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GPT10N50ADG оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік V(BR)DSS | 500 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) | 0,7 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 26,7 нКл (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1149 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 44 Вт (для TO-220F) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Greatpower |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA30N50 ( FQA30N50C , 30N50 ) оригінал (30A,500V), TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc=25 °C, безперервний) |
| Rds(on) | 250 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc=25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C макс. |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP150N04 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS25N50 ( CS25N50ANR ) оригінал, TO-3P
В наявності
103,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C), 15.7 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.21 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 12.5 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 64 нКл тип. (Id 25 А, Vdd 400 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3487 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6801TCD оригінал ( NSI6801TC-DDBR ), DUB-8
В наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ізольований одноканальний драйвер затвора |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Піковий вихідний струм | 5 А |
| Макс. напруга живлення драйвера | 32 В |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Затримка поширення | 75 нс (тип., CLOAD = 1 нФ) |
| Ізоляція вхід–вихід | 5000 В rms (1 хв, UL1577) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | DUB8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MD18201A ( 18201A , MD18201ATAA ) оригінал, so-8
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ACPL-T350-560E ( AT350V , A T350 V , ACPL-T350-560ME , ACPL-T350-360E ) , SOP8
В наявності
137,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | оптодрайвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Broadcom |
| Пік. вихідний струм (абс. макс.) | 2.5 А |
| Напруга живлення VCC–VEE | 15–30 В |
| Ізоляція вхід–вихід | 3750 В rms (1 хв, UL1577) |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP-8 300 mil, виводи gull wing (для поверхневого монтажу) |
Мікросхема ACPL-T350-500E ( AT350 , A T350 , ACPL-T350-500ME , ACPL-T350-300E ) , SOP8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема оптрон-драйвер |
| Позначення | ACPL-T350-500E |
| Корпус | SO-8 |
Електролітичний конденсатор 820uF 500V 105C ( 820мкФ 500В 105град , 820*500*105гр ) жорсткі виводи 35*60мм
В наявності
705,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 820 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 35×60 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 470uF 550V 105C ( 470мкФ 550В 105град , 470*550*105 ) жорсткі виводи 35*55мм
В наявності
658,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 470 мкФ |
| Робоча напруга | 550 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 35×55 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 330uF 500V 105C ( 330мкФ 500В 105град , 330*500*105гр ) жорсткі виводи 30*46мм
В наявності
350,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 330 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×46 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 220uF 500V 105C ( 220мкФ 500В 105град , 220*500*105гр ) жорсткі виводи 30*35 мм
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 220 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 30×35 мм |
| Виводи | жорсткі |
Транзистор FGA40N65SMD оригінал, TO-3P ( заміна для FGH40N65UFD , MP40N65BU , MP40N65BH )
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1,9 В (тип.), 2,5 В (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR6060BW оригінал (заміна для MUR6060LPT , MUR6060PT )(600V,60A) , TO247-3pin
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vrrm | 600 В |
| Струм If(av) | 60 А на прилад / 30 А на діод |
| Ударний струм Ifsm | 400 А (t = 8,3 мс; на діод) |
| Пряма напруга Vf | 1,85 В макс. (If = 30 А; Tj = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 65 нс макс. |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Конфігурація | два діоди в корпусі (по 30 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT075N065EQ оригінал, TO247
В наявності
451,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 75 А, Tc 25 °C) | 1,6 В тип., 2,4 В макс. |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 625 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3936 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG105R5NT ( 105R5NT ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 98 В |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C), 100 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл (Vdd 50 В, Vgs 10 В, Id 25 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5208 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 274 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STU432S оригінал, D-PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id | 50 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 70 °C) |
| Опір Rds(on) | 7 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.25–3.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1130 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |