Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP18N50 оригінал, TO220
164,50 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MDP18N50 – N-канальний польовий транзистор MagnaChip на 500 В і 18 А в корпусі TO-220 для імпульсних джерел живлення. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id при 25 °C | 18 А |
| Струм Id при 100 °C | 11 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 9 А | 0,22 Ом (тип.), 0,27 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 236 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
MDP18N50 – N-канальний польовий транзистор виробництва MagnaChip у корпусі TO-220. Напруга стік–витік Vdss – 500 В. Струм стоку 18 А при Tc = 25 °C і 11 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,22 Ом типово (макс. 0,27 Ом) при VGS = 10 В і ID = 9 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3,0–5,0 В при VDS = VGS і ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 48 нКл типово при VDS = 400 В, ID = 18 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 236 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. У кристал вбудований діод: VSD до 1,4 В при IS = 18 А, trr 375 нс типово.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N), напругу Vdss не нижче 500 В, струм і опір відкритого каналу при тому самому Vgs, а також корпус TO-220 і розпіновку. Якщо в заміни заряд затвора помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер. Номери в назві і даташит на деталь краще звірити зі схемою пристрою.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення
- Освітлення HID
- Загальне застосування
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PTP20N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×18 = 14.4, Rds(on) при Vgs 10 В тип. 0.24 ≤ 1.3×0.22 = 0.286, корпус TO-220 = TO-220 | Порівняйте заряд затвора і розпіновку за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити MDP18N50?
Шукайте N-канальний транзистор у TO-220 з Vdss не нижче 500 В, струмом близьким до 18 А і Rds(on) не гірше за 0,22 Ом при Vgs 10 В. У нашому каталозі за цими даними підходить PTP20N50A. Перед заміною порівняйте datasheet.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Викличте перехід стік–витік у режимі перевірки діодів: вбудований діод має проводити в одному напрямку. Потім торкніться затвора щупом і перевірте, чи змінився опір між стоком і витоком. Нормальний транзистор відгукується на це, пробитий проводить в обидва боки.
Який у MDP18N50 вбудований діод?
У транзисторі є вбудований діод: VSD макс. 1,4 В при IS = 18 А, час відновлення trr 375 нс типово.
Документація виробника: MDP18N50 (MagnaChip).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.