Магазин
Світлодіод 3528 (2835) smd KONKA 01.JT.2835BPCWS2-C 6V 1,2W 180mA холодний білий
В наявності
11,75 ₴
IGBT-транзистор 40QR21 ( GT40QR21 ) оригінал, TO3P
В наявності
289,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | GT40QR21 |
| Маркування | 40QR21 |
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT із вбудованим діодом (RC-IGBT) |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Vce(sat) | 1,90 В тип. (Ic 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70R380P ( MME70R380P , MME70R380PRH ) оригінал, D2PAK (750V,11A,0.38R)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip |
| Напруга Vds | 700 В (VGS 0 В, ID 0,25 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vds при Tj макс. | 750 В |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C), 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3,2 А) |
| Qg | 34 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 560 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 101 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD1051 (150V,28A,0.046R) , D-PAK(Заміна для IRFR18N15D )
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip Semicon |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 28 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 46 мОм макс. (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Qg | 19,6 нКл тип. (VDS 75 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1270 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,2–3,2 В |
| Pd | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
IGBT-транзистор IRGP4062D ( GP4062D ) оригінал (заміна для AUGP4062D , AUIRGP4062D ) , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP4062D |
| Маркування | GP4062D |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT n-канал із діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 48 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 24 А |
| Vce(on) | 1,60 В тип. (Ic 24 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1490 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK362PN , DIP7
В наявності
49,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-XT |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга Vds (пробій) | 700 В мін. (SOURCE = 0 В, TJ від -40 до 125 °C) |
| Струм обмеження | 130 / 140 / 150 мА (мін./тип./макс.), di/dt = 30 мА/мс, TJ = 25 °C |
| Rds(on) при 25 °C | 48 Ом тип. / 55 Ом макс. (ID = 14 мА) |
| Частота перемикання | 124 / 132 / 140 кГц (мін./тип./макс.), TJ = 25 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75T60 оригінал демонтаж б/в( K75T60A , IKW75N60TA , IKW75N60T ) , TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 0,2 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic (105 °C) | 75 А (TC = 105 °C) |
| Імпульсний струм Ic | 225 А |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,0 В макс. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Ptot | 428 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний Emitter Controlled HE |
| Температура переходу Tj | −40…+175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор J6920 ( J6920A , FJL6920 , FJL6920A ) , TO-264 оригінал демонтаж (Заміна 2SC5446 , 2SC5422 , 2SC5144 , 2SC5331 )
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 5.5–8.5 (Vce 5 В, Ic 11 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс (Ic 11 А, Ib 2.75 А) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Запобіжник прямокутний 4А (250V) з висновками під пайку
В наявності
10,81 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номінальний струм | 4 А (Amp Code 1400) |
| Номінальна напруга | 250 В AC |
| Тип спрацювання | Time-Lag (сповільнене), IEC 60127-3, Sheet 4 |
| Падіння напруги (макс.) | 75 мВ при 1,0×Iн |
| Розсіювана потужність (макс.) | 1200 мВт при 1,5×Iн |
| Інтеграл плавлення I²t (мін.) | 100 А²с при 10×Iн |
| Опір холодний | 0,0128 Ом при 10% Iн, 25 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C з урахуванням дерейтингу вище +25 °C |
| Корпус | Радіальні виводи, прямокутний, ~8,5 × 4 мм, крок 5,08 мм |
| Матеріал корпуса | Поліамід PA 6.6, UL94 V-0 |
| Матеріал виводів | Мідь, луджена оловом |
| Розривна здатність | 40 А при 250 В AC |
Мікросхема OB2269AP оригінал, DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Струмовий ШІМ-контролер для flyback |
| Напруга живлення VDD (макс.) | 30 В |
| Струм запуску | 6.5 мкА (VDD = 15 В, typ) |
| Робочий струм | 2.3 мА (VFB = 3 В, typ) |
| Робоча частота ШІМ | 65 кГц (RI = 24 кОм, VDD = 16 В, TA 25 °C, typ) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (typ) |
| Поріг обмеження струму | 0.90 В (typ) |
| Обмеження напруги на затворі | 18 В |
| Температура переходу | -20…150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | On-Bright |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70R900P оригінал( 70R900P7 , MMD70R900PRH ), D-PAK (700V,5A,0.9R)
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip |
| Напруга Vds | 700 В (VGS 0 В, ID 0,25 мА, Tc 25 °C) |
| Струм Id | 5 А (Tc 25 °C), 3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,9 Ом макс. (VGS 10 В, ID 1,5 А, Tc 25 °C) |
| Qg | 15 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 560 В, ID 5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SD6835 , DIP8
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Струмовий ШІМ/PFM-контролер з MOSFET |
| Напруга пробою MOSFET BVDSS | 650 В (мін.) |
| Rds(on) | 1.6 Ом (typ, VGS = 10 В, ID = 3 А) |
| Макс. частота генератора | 67 кГц (typ) |
| Мін. частота генератора | 25 кГц (typ) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (typ) |
| Поріг старту VSTART | 16 В (typ) |
| Поріг зупинки VSTOP | 8.5 В (typ) |
| Піковий струм обмеження | 2.2 А (typ) |
| Захист від перенапруги VOVP | 24.5 В (typ) |
| Тепловий захист | 150 °C (typ) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Мікросхема LC1118CS8TR1833 ( 1118-1833 , BL1118CS8TR1833 ) оригінал, so-8
В наявності
48,41 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний LDO-стабілізатор, кожен канал до 1 А |
| Вихідна напруга каналу 1 | 1.8 В |
| Вихідна напруга каналу 2 | 3.3 В |
| Макс. вихідний струм | 1 А на кожен канал |
| Падіння напруги Dropout | 1.3 В (typ, при 1 А) |
| Макс. вхідна напруга | 15 В |
| Точність вихідної напруги | 2 % |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OB6563CP , so-8
В наявності
22,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 11–28 В |
| Макс. напруга Vcc | 30 В |
| Поріг вмикання UVLO | 12 В (typ) |
| Поріг вимикання UVLO | 9.5 В (typ) |
| Струм старту | 35 мкА (typ, Vcc = 11 В) |
| Робочий струм живлення | 4 мА (typ) |
| Опорна напруга входу INV | 2.5 В |
| Поріг датчика струму | 1.7 В |
| Тепловий опір перехід–середовище (SOP-8) | 150 °C/Вт |
Мікросхема TEA1713T оригінал, so-24
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP |
| Корпус | SOP-24 |
| Мережева напруга | 70–276 В AC |
| Макс. частота напівмоста | 500 кГц |
| Макс. напруга SUPHV | 630 В |
| Макс. напруга SUPIC | 38 В |
| Напруга старту SUPIC (з HV-стартом) | 22 В (typ) |
| Напруга старту SUPIC (без HV) | 17 В (typ) |
| Струм SUPIC у робочому стані | 3 мА (typ) |
| Розсіювана потужність | 0.8 Вт (Tamb < 75 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA1761 ( TEA1761T ) оригінал, so-8
В наявності
153,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP |
| Напруга живлення VCC | 8,6–38 В |
| Напруга запуску | 8,6 В (Tamb 25 °C, VCC 20 В) |
| Робочий струм живлення | 1,4 мА типово (Tamb 25 °C, VCC 20 В) |
| Струм драйвера витікаючий | 0,25 А (VCC 15 В) |
| Струм драйвера втікаючий | 1,4 А (VCC 15 В) |
| Опорна напруга VSENSE | 2,5 В |
| Опорна напруга ISENSE | 50 мВ |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG7S313U оригінал , D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vces (мін.) | 330 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Irp | 160 А |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (ICE 20 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd (25 °C) | 78 Вт |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
NTC-термістор 400 Ом 9мм ( NTC 400D-9 , 400D9 , MF72-400D9 )
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Опір при 25 °C (R25) | 400 Ом, допуск ±20% |
| Макс. робочий струм | 0.2 А, усталений режим |
| Опір при макс. струмі | 30.3 Ом при 0.2 А |
| Коефіцієнт розсіювання | 11 мВт/°C |
| Теплова стала часу | 32 с |
| Макс. навантажувальна ємність 120 В AC | 188 мкФ |
| Макс. навантажувальна ємність 240 В AC | 47 мкФ |
| Робочий діапазон температур | -55…+200 °C |
Мікросхема TOP223YN ( TOP223Y ) оригінал, TO220-3
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-II |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 700 В (мін.) |
| Частота перетворення | 100 кГц (90–110 кГц) при IC = 4 mA, Tj = 25 °C |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 30 Вт (корпус Y, з тепловідведенням, Tj не вище 100 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 50 Вт (корпус Y, з тепловідведенням, Tj не вище 100 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1943+2SC5200 оригінали , ТО264
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | 2SA1943 – PNP, 2SC5200 – NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (2SA1943: -5 В) |
| Струм колектора Ic | 15 А (2SA1943: -15 А) |
| Струм бази Ib | 1.5 А (2SA1943: -1.5 А) |
| Розсіювана потужність Pc | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Корпус | TO-3P(L) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW40V60DF ( STGW40V60DF ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. (IC 40 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 226 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5400 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 283 Вт |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, дуже швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MXP6008CT оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MaxPower |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 109 А (обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм стоку | 436 А (VG=10 В) |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 6,3 / 8 мОм (VGS=10 В, ID=24 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 50 нКл (VDD=30 В, VGS=10 В, ID=38 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3395 пФ |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |