Магазин
Діод Шоттки 30CTQ060S оригінал, TO263
В наявності
128,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Semiconductors |
| Конфігурація | спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Максимальна зворотна напруга VRRM | 60 В |
| Середній прямий струм на пристрій (50 % шпаруватість, TC = 105 °C) | 30 А |
| Середній прямий струм на плече (TC = 105 °C) | 15 А |
| Пряма напруга VF (IF = 15 А, TJ = 25 °C) | не більше 0.62 В |
| Пряма напруга VF (IF = 15 А, TJ = 125 °C) | не більше 0.56 В |
| Зворотний струм (номінальна VR, TJ = 25 °C) | не більше 0.80 мА |
| Діапазон температури переходу TJ | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус (DC, на плече) | 3.25 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBRS2045CT ( MBRB2045CT ) , TO263
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація | спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Максимальна зворотна напруга VRRM | 45 В |
| Середній прямий струм на пристрій (TC = 135 °C) | 20 А |
| Середній прямий струм на діод (TC = 135 °C) | 10 А |
| Пряма напруга VF (IF = 10 А, TC = 25 °C) | не більше 0.65 В |
| Пряма напруга VF (IF = 10 А, TC = 125 °C) | не більше 0.57 В |
| Зворотний струм (номінальна VR, TC = 25 °C) | не більше 0.1 мА |
| Робоча температура переходу TJ | -65…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус (на діод, типовий) | 2.0 °C/Вт |
Діод Шоттки 20CTQ150S оригінал, TO263
В наявності
128,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Semiconductors |
| Конфігурація | спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Максимальна зворотна напруга VRRM | 150 В |
| Середній прямий струм на пристрій | 20 А (2 x 10 А) |
| Пряма напруга VF (IF = 10 А, TJ = 25 °C) | не більше 0.88 В |
| Пряма напруга VF (IF = 10 А, TJ = 125 °C) | не більше 0.66 В |
| Зворотний струм (номінальна VR, TJ = 25 °C) | не більше 25 мкА |
| Діапазон температури переходу TJ | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус (DC, на плече) | 2.0 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGB40T65SPD оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм | 120 А |
| Vce(sat) | 2,0 В тип., 2,4 В макс. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є (м’який швидкий діод) |
| Розсіювана потужність Pd | 267 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1520 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB20NM60 ( B20NM60 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 20 А |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 250 / 290 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 39 (макс. 54) нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 192 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB35N65M5 ( 35N65M5 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 27 А |
| Струм Id (100 °C) | 17 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 85 / 98 мОм (VGS = 10 В, ID = 13.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 83 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3750 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STB42N65M5 ( 42N65M5 ) оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (25 °C) | 33 А |
| Струм Id (100 °C) | 20.8 А |
| Rds(on) тип. / макс. | 70 / 79 мОм (VGS = 10 В, ID = 16.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4650 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3710S ( F3710S ) оригінал, TO263
В наявності
46,06 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 100 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 57 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В |
| Струм стоку Id (100 °C) | 40 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В |
| Опір Rds(on) | 23 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 28 А |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (макс.), ID = 28 А, VDS = 80 В, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт, TC = 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор AUIRF3205ZS ( заміна для IRF3205S , F3205S ) оригінал демонтаж, TO263
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 55 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 110 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); 75 А – обмеження корпусом |
| Струм стоку Id (100 °C) | 78 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В |
| Опір Rds(on) | 4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 66 А |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.), ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт, TC = 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор VND14NV04 ( VND14 NV04 ) оригінал, TO252
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Захищений N-канальний MOSFET, OMNIFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга обмеження Vclamp | 40–55 В (тип. 45 В), VIN = 0 В, ID = 7 А |
| Струм обмеження Ilim | 12–24 А (тип. 18 А), VIN = 5 В, VDS = 13 В |
| Поріг входу VIN(th) | 0,5–2,5 В, VDS = VIN, ID = 1 мА |
| Потужність Ptot | 74 Вт, TC = 25 °C |
| Теплове відключення Tjsh | 150–200 °C (тип. 175 °C), VIN = 5 В |
| Енергія лавини Eas | 400 мДж, Tj = 25 °C (старт), VDD = 24 В, L = 24 мГн |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUK7635-55A ( BUK7635 ) оригінал, TO263
В наявності
76,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, TrenchMOS, standard level |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм стоку Id | 35 А (Vgs = 10 В; Tmb = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 25 А (Vgs = 10 В; Tmb = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 30 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 35 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 85 Вт (Tmb = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUK7608-55 ( BUK7608-55A , BUK7608 ) оригінал, TO263
В наявності
213,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, TrenchMOS, standard level |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм стоку Id | 75 А (Vgs = 10 В; Tmb = 25 °C; обмежений корпусом) |
| Rds(on) тип. | 6,8 мОм (Vgs = 10 В; Id = 25 А; Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 8 мОм (Vgs = 10 В; Id = 25 А; Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 254 Вт (Tmb = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3264 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 3N0406 ( IPB80N04S3-06 ) оригінал, TO263
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В; обмежено виводами) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 71 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 4,3 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 80 А, версія SMD |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) при VDS = VGS, ID = 52 мкА |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.), 47 нКл (макс.) при VDD = 32 В, ID = 80 А, VGS = 0…10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ |
| Потужність Ptot | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 34 нс (тип.) при VR = 20 В, IF = IS, diF/dt = 100 А/мкс |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3377 ( K3377 ) оригінал, TO252
В наявності
95,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою V(BR)DSS | 60 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 20 А (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Id(pulse) | 50 А (PW ≤ 10 мкс, скважність ≤ 1 %) |
| Rds(on) за Vgs 10 В, Id 10 А | 44 мОм (макс.) |
| Rds(on) за Vgs 4.0 В, Id 10 А | 78 мОм (макс.) |
| Напруга відсікання VGS(off) (VDS 10 В, ID 1 мА) | 1.5–2.5 В (тип. 2.0 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 760 пФ (тип.) |
| Вихідна ємність Coss | 150 пФ (тип.) |
| Прохідна ємність Crss | 71 пФ (тип.) |
| Заряд затвора Qg (ID 20 А, VDD 48 В, VGS 10 В) | 17 нКл (тип.) |
| Напруга затвор–витік VGSS | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C) | 30 Вт |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SUB60N06-18 ( SUB60N06 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 60 А (TC = 25 °C, TJ = 175 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 39 А (TC = 100 °C, TJ = 175 °C) |
| Опір Rds(on) | 14 мОм (тип.), 18 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А, TJ = 25 °C |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 39 нКл (тип.), 60 нКл (макс.) при VDS = 30 В, VGS = 10 В, ID = 60 А |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 120 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2313 ( K2313 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
130,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Ta = 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 60 А (Ta = 25 °C) |
| Rds(on) при VGS = 10 В, ID = 30 А | 8 мОм (тип.), 11 мОм (макс.) |
| Rds(on) при VGS = 4 В, ID = 30 А | 12 мОм (тип.), 15 мОм (макс.) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VDD ≈ 48 В, VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vth | 0,8 В (мін.), 2,0 В (макс.) при VDS = 10 В, ID = 1 мА |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема BTS409L1 оригінал демонтаж, TO263-5
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
| Виробник | Infineon |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,0–34 В (Tj -40…+150 °C) |
| Захист Vbb(AZ) | 43 В |
| Опір каналу RON | 200 мОм макс. (IL = 1,8 A, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Струм IL(ISO) | 2,3 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Потужність Ptot | 18 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема BTS432E2 оригінал, TO263-5
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
| Виробник | Siemens Semiconductor Group |
| Робоча напруга Vbb | 4,5–42 В (Tj -40…+150 °C) |
| Опір каналу RON | 38 мОм макс. (IL = 2 A, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Струм IL(ISO) | 11 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (DC) |
| Енергія EAS | 1,7 Дж (одиночний імпульс, Tj,start = 150 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BTS6143D ( 6143D ) , TO252-5
В наявності
92,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Розумний ключ верхнього плеча (PROFET) |
| Корпус | TO252-5L |
| Робоча напруга живлення Vbb(on) | 5,5…38 В |
| Опір RON (Tj = 25 °C, IL = 7,5 A) | 10 мОм (тип.), 14 мОм (макс.) |
| Номінальний струм IL(nom) | 8 A |
| Обмеження струму IL12(SC) | 75 A |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Мікросхема BTS442E2 оригінал, TO263-5
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO263-5 |
| Rds(on) тип. | 15 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 18 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,5…42 В (Tj = -40…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 63 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 21 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(SCr) | 70 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 167 Вт (DC, Tj = 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2N0608 ( SPB80N06S2-08 ) оригінал, TO263
В наявності
203,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.) |
| Струм Id | 80 А при TC = 25 °C (обмежено виводами корпусу) |
| Rds(on) | 6,5 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 58 А |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (тип.), 96 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 215 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS441R оригінал демонтаж, TO263-5
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO263-5 |
| Rds(on) тип. | 15 мОм (IL = 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 20 мОм (IL = 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,75…41 В (Tj = -40 °C; 4,75…43 В при +25 і +105 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 43 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 21 А (ISO 10483-1, VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(lim) | 65 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 125 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC40U ( G4PC40U ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм | 160 А |
| Vce(on) | 1,72 В тип., 2,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. (IC = 20 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2100 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема BTS428L2 ( 428L2 ) оригінал демонтаж, TO252-5
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO252-5L |
| Rds(on) тип. | 50 мОм (IL = 2 А, VBB ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 60 мОм (IL = 2 А, VBB ≥ 7 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,75…41 В (Tj = -40 °C; до 43 В при Tj = +25…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 43 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 7,0 А (ISO 10483-1, VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(SCr) | 17 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 75 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема BTS621L1 оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Кількість каналів | 2 |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,0–34 В |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 43 В |
| RON на канал (IL = 2 А, Vbb = 12 В, Tj 25 °C) | 100 мОм макс. |
| Струм IL(ISO) на канал (VON = 0,5 В, TC 85 °C) | 4,4 А |
| Розсіювана потужність | 75 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема BTS611L1 оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
204,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Кількість каналів | 2 |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,0–34 В |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 43 В |
| RON на канал (IL = 1,8 А, Vbb = 12 В, Tj 25 °C) | 200 мОм макс. |
| Струм IL(ISO) на канал (VON = 0,5 В, TC 85 °C) | 2,3 А |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TLE4267G ( 4267G , TLE4267 ) оригінал, TO263-7
В наявності
166,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Лінійний стабілізатор 5 В (LDO) |
| Вихідна напруга Vq | 5 В (4,9–5,1 В) при 5 мА ≤ Iq ≤ 400 мА |
| Допуск вихідної напруги | ±2 % |
| Вихідний струм | 400 мА |
| Вхідна напруга Vi | 5,5–40 В |
| Спад напруги Vdr | 0,3 В тип., 0,6 В макс. при Iq = 400 мА |
| Поріг скидання Vrt | 4,5 В (4,2–4,8 В) |
| Температура переходу Tj | –40…150 °C |
| Кваліфікація | AEC-Q100 |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS650P оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
120,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5–34 В (VIN = 0) |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 62 В |
| RON (Tj 25 °C, IL = 20 А, Vbb = 12 В) | 6,0 мОм макс. |
| Струм навантаження IL(ISO) | 70 А (Tc 85 °C) |
| Обмеження струму КЗ IL(SC) | 130 А |
| Розсіювана потужність | 170 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30E4 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема SLM2106S ( SLM2106SCA-13GTR , SLM2106 ) оригінал, SOIC-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга плаваючого каналу | 600 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Вихідний струм (втікаючий) | 130 мА |
| Вихідний струм (витікаючий) | 270 мА |
| Затримка вмикання | 160 нс |
| Затримка вимикання | 220 нс |
| Розсіювана потужність | 0,625 Вт |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GWT40HP65FB ( STGWT40HP65FB ) оригінал, TO-3P
В наявності
432,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм колектора | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (тип.), 2,0 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5412 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 283 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT151-800R оригінал, ТО220
В наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Середній прямий струм IT(AV) | 7.5 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Діючий прямий струм IT(RMS) | 12 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Ударний струм ITSM | 120 А (tp=10 мс, Tj(init)=25 °C) |
| Струм керування IGT | 2 мА тип. / 15 мА макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Напруга керування VGT | 0.6 В тип. / 1.5 В макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VT | 1.4 В тип. / 1.75 В макс. (IT=23 А, Tj=25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS13N50F ( CS13N50FA9R, CS13N50F A9R ) оригінал, TO220F
В наявності
62,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 13 А при TC = 25 °C; 8,2 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 0,4 Ом (тип.), 0,5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6,5 А |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1957 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G15T60A83L ( CRG15T60A83L ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 30 А |
| Розсіювана потужність Pd | 96 Вт |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл (Vge 15 В) |
| Час затримки включення td(on) | 30 нс |
| Час затримки вимкнення td(off) | 45 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer16H ( VIPer16HN ) оригінал, DIP7
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP7 |
| Пробивна напруга ключа | 800 В |
| Опір відкритого ключа | 20 Ом |
| Робоча частота (тип H) | 115 кГц |
| Обмеження струму стоку | 0,4 А |
| Робочий діапазон VDD | 11,5–23,5 В |
| Діапазон температури переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема RT8108B , so-8
В наявності
131,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC | 5 В ± 5 % або 12 В ± 10 % |
| Частота перетворення | 300 кГц |
| Опорна напруга | 0,8 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 92 % |
| Струм споживання | 2,5 мА |
| Діапазон температури переходу | –40…125 °C |
Транзистор S80N18R оригінал, TO220(80V,180A)
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 180 А при TC = 25 °C; 120 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 3 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 40 А |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 348 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB10N60 ( G10N60 )(заміна для G10N60A , SGB10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 20 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 10,6 А |
| Імпульсний струм колектора | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,0 В (тип.), 2,4 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 10 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 92 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB15N60HS ( G15N60HS ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 27 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,8 В (тип.), 3,15 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 15 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 138 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRL40SC228 оригінал демонтаж, D2PAK-7Pin
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал (StrongIRFET, logic level) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID кристала (TC 25 °C, VGS=10 В) | 557 А |
| Струм ID кристала (TC 100 °C, VGS=10 В) | 393 А |
| Струм ID, обмеження виводами (TC 25 °C, VGS=10 В) | 360 А |
| Rds(on) тип. (VGS=10 В) | 0.50 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В) | 0.65 мОм |
| Rds(on) тип. / макс. (VGS=4.5 В, ID=50 А) | 0.60 / 0.90 мОм |
| Qg тип. / макс. (ID=100 А, VDS=20 В) | 205 / 307 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC 25 °C) | 416 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |