Магазин
Pai8233C ( PAI8233C-WR ) оригінальна мікросхема
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 2Pai Semi |
| Кількість каналів | 2 |
| Піковий струм виходу, джерело | 4 А (версія Pai8233) |
| Піковий струм виходу, втікання | 8 А (версія Pai8233) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (ефект.), WB SOIC-14, UL 1577, 1 хв |
| Робоча напруга ізоляції | 1200 В (пост.) |
| CMTI | 100 кВ/мкс |
| Затримка поширення | 19 нс (тип.), 30 нс (макс.) |
| Макс. частота | 5 МГц |
| Живлення VCCI | 3…5,5 В |
| Живлення VDDA / VDDB (макс.) | 25 В |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | WB SOIC-14 (широкий) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JNG15N120HS2 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiaen |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C) | 2.2 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 180 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод DSEI60-06A ( DSE160-06A ) оригінал (заміна для APT60D60BG , APT60D60B , 60D60B )(600V,60A) , TO247-2pin
В наявності
310,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Тип | Діод швидкий епітаксіальний (FRED) |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | TO-247-2 |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 60 А (Tc 70 °C, прямокутний, d = 0.5) |
| Пряма напруга Vf | 1.8 В (If 70 А, Tvj 25 °C) |
| Час відновлення trr | 35 нс тип., 50 нс макс. (If 1 А, -di/dt 200 А/мкс, Vr 30 В) |
| Тепловий опір Rjc | 0.75 К/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tvjm | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F303CCT6 оригінал, LQFP48
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 32-бітний мікроконтролер, Arm Cortex-M4 |
| Виробник | GigaDevice |
| Корпус | LQFP48 |
| Макс. частота | 120 МГц |
| Flash | 256 КБ |
| SRAM | 48 КБ |
| Лінії вводу-виводу | до 37 |
| Таймери | 4 загального призначення, 1 розширений, 2 базові (16 біт), SysTick |
| Інтерфейси | USART/UART – 3, I2C – 2, SPI – 3, I2S – 2, CAN 2.0B – 1, USB 2.0 FS – 1 |
| АЦП | 12 біт, 3 блоки (10 каналів) |
| ЦАП | 12 біт, 2 блоки |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190C6 ( IPW60R190C6 ) оригінал, TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS C6 |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (мін., VGS=0 В, ID=0,25 мА) |
| Струм стоку ID | 20,2 А при TC=25 °C; 12,8 А при TC=100 °C |
| Імпульсний струм стоку | 59 А при TC=25 °C |
| Опір Rds(on) | 0,17 Ом тип., 0,19 Ом макс. при VGS=10 В, ID=9,5 А, Tj=25 °C |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5 / 3 / 3,5 В (мін. / тип. / макс., VDS=VGS, ID=0,63 мА) |
| Корпус | TO-247 |
| Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg) | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MIP289 оригінал, DIP7
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP-8-A1(CF) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP9N50 ( MDP9N50TH )(заміна для FQP9N50C ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 9.0 А при TC 25 °C, VGS=10 В; 5.5 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 0.72 Ом типово, макс. 0.85 Ом (VGS=10 В, ID=4.5 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 19 нКл типово (VDS=400 В, ID=9.0 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP028N85 оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 200 А при TC 25 °C; 150 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 2.55 мОм типово, макс. 2.8 мОм (VGS=10 В, ID=100 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0 В типово (від 2.0 до 4.0 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Qg | 124 нКл типово (VDS=40 В, ID=100 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7680 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 245 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK72E12N1 ( K72E12N1 ) оригінал , TO220
В наявності
148,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vdss | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 72 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4,4 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Rds(on) тип. | 3,6 мОм (Vgs 10 В, Id 36 А) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (Vdd ≈ 96 В, Vgs 10 В, Id 72 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Ciss | 8100 пФ (Vds 60 В, Vgs 0 В, f 1 МГц) |
| Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BGN40T65HD ( 40T65HD ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) | 1.85 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312.5 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS8402ATH ( 8402ATH ) оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id | 160 А (TC 25 °C), 113 А (TC 100 °C), VGS=10 В |
| Rds(on) | 4.5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.1 В тип. (2.6–3.6 В; VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 144 нКл тип. (VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8655 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 259 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vergiga |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW30N50EL оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (planar) |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 108 нКл тип. (VDD=250 В, ID=30 А, VGS=0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 333 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K20H603 ( IKP20N60H3 ) оригінал, TO220
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 80 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) | 1.95 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 170 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1100 пФ |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR2060CTR оригінал , TO220-3pin (20A,600V) загальний анод
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод ультрашвидкий, здвоєний |
| Конфігурація | загальний анод |
| Корпус | TO-220 |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 20 А (весь прилад, номінальна Vr) |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (напівхвиля, 60 Гц) |
| Час відновлення trr | 35 нс (If 0.5 А, Ir 1.0 А, Irec 0.25 А) |
| Робоча температура Tj | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR2060CT оригінал , TO220-3pin (20A,600V) загальний катод
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод ультрашвидкий, здвоєний |
| Конфігурація | загальний катод |
| Корпус | TO-220 |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А на один діод; 20 А на обидва |
| Пряма напруга Vf | 1.6 В макс. (If 10 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 40 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, dI/dt 50 А/мкс) |
| Робоча температура Tj | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3407 ( K3407 ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 450 В |
| Струм стоку Id (DC) | 10 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 0.48 Ом тип., 0.65 Ом макс. (VGS=10 В, ID=5 А) |
| Vgs(th) | 2.4–3.4 В (VDS=10 В, ID=1 мА) |
| Qg | 35 нКл тип. (VDD≈360 В, VGS=10 В, ID=10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FD ( 20N135FD ) оригінал, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 60 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tc 25 °C) | 1.8 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1950 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 223 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Trinno Technology |
| Стан | Оригінал |
Діод E30ED1 ( IDW30E65D1 ) оригінал, TO247-3pin
В наявності
296,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Маркування | E30ED1 |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 650 В |
| Прямий струм If (номінальний) | 30 А |
| Пряма напруга Vf (If 30 А, Tvj 25 °C, типове) | 1.35 В |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус Rth(j-c) (макс.) | 1.06 К/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод RHRP8120 ( RP8120 ) оригінал (8A,1200V) , TO220-2pin
В наявності
101,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Vrrm | 1200 В (Tc 25 °C) |
| If(av) | 8 А (Tc 140 °C) |
| Ifrm | 16 А (прямокутний імпульс, 20 кГц) |
| Ifsm | 100 А (напівхвиля, 1 фаза, 60 Гц) |
| Vf (макс.) | 3,2 В (If 8 А, Tc 25 °C) |
| trr (макс.) | 70 нс (If 8 А, dIf/dt 200 А/мкс) |
| Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Rjc (макс.) | 2 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD5N50 ( MDD5N50RH ) оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 4.4 А при Tc 25 °C; 2.8 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 1.15 Ом (тип.), 1.4 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=2.2 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 12.2 нКл (тип.), 16 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 70 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BQ24780S ( BQ24780SRUYR ) , QFN-28
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | синхронний контролер заряду Li+ акумуляторів, Hybrid Power Boost |
| Кількість елементів акумулятора | 1–4 послідовних Li+ |
| Робоча напруга VCC/ACP/ACN | 4,5–24 В |
| Діапазон напруги батареї | 1,024–19,2 В |
| Частота перемикання ШІМ | 600 / 800 / 1000 кГц |
| Точність напруги заряду | ±0,4 % |
| Точність вхідного струму | ±2 % |
| Точність струму заряду | ±2 % |
| Робоча температура повітря TA | від –40 до 85 °C |
| Інтерфейс | SMBus (SDA, SCL) |
| Корпус | WQFN-28 (RUY), 4,00 × 4,00 мм |
Оптрон TLP352 , SOP-8
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | буферна логіка, totem-pole |
| Піковий вихідний струм | ±2.5 А (максимум) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В (абсолютний максимум 35 В) |
| Струм увімкнення IF(ON) | 6.5–10 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 20 мА |
| Затримка поширення | 130 нс (тип.) при VCC = 30 В, Rg = 20 Ом, Cg = 10 нФ |
| Напруга ізоляції | 3750 В (діюче, AC, 60 с) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FQPF9N90 , TO220F
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 900 В |
| Струм Id | 8.0 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) | 1.12 Ом (тип.), 1.4 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=4 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (тип.), 58 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 68 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор G50EH5 ( IGW50N65H5 ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 H5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 56 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,65 В тип. / 2,10 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 60,5 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,35 В тип. / 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Діод у корпусі | є, RAPID 1 |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 274 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRW6052 оригінал
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга стік–витік Vdss | 650 В (мін.) |
| Опір Rds(on) | 2,8 Ом (макс.), STR-W6052S |
| Піковий струм стоку IDpeak | 7,0 А, одиночний імпульс, TA 25 °C |
| Енергія лавини EAS | 62 мДж |
| Потужність розсіювання Pd1 | 23,6 Вт з нескінченним радіатором, TA 25 °C |
| Температура переходу | 150 °C |
| Вихідна потужність | 60 Вт при AC 230 В; 40 Вт при AC 85–265 В |
| Частота перемикання | 67 кГц |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 32 В |
| Робоча температура | –20…115 °C |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRW6252 оригінал
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга сток-витік VDSS | 650 В (мін.), за STR-W6252D |
| Опір RDS(on) | 2,8 Ом (макс.), STR-W6252D |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Піковий струм стоку IDPEAK | 3,2 А, одиночний імпульс, STR-W6252D |
| Вихідна потужність | 60 Вт при 230 В AC; 40 Вт при 85…265 В AC |
| Пороги VCC (UVLO) | 15,5 / 8,9 В |
| Споживання в очікуванні | менше 40 мВт без навантаження |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSQ027N10N оригінал, TO247
В наявності
107,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В) |
| Rds(on) | 2.6 мОм (тип.), 3.1 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=90 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 2.2–3.8 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 169 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 11355 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 454 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R070F7 ( IPW60R070CFD7 ) оригінал, TO247
В наявності
493,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolMOS CFD7 |
| Тип каналу | N-канал |
| Маркування на корпусі | 60R070F7 |
| Тип за datasheet | IPW60R070CFD7 |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 650 В (при Tj,max) |
| Пробивна напруга V(BR)DSS | 600 В мін. (VGS=0 В, ID=1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 31 А (TC=25 °C); 20 А (TC=100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 129 А (TC=25 °C) |
| Rds(on) макс. | 70 мОм (VGS=10 В, ID=15,1 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл (VDD=400 В, ID=11 А, VGS 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2721 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Вбудований діод | швидкий (fast body diode) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT060U060EQ оригінал, TO247
В наявності
432,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tc 25 °C) | 1.9 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 454 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3510 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Діод SDUR30Q60 оригінал , TO220-2pin
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SMC Diode Solutions |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 30 А (коефіцієнт заповнення 50%, Tc 70 °C) |
| Ifsm | 300 А (8,3 мс) |
| Vf (макс.) | 1,80 В (If 30 А, Tj 25 °C) |
| trr (макс.) | 40 нс (If 500 мА, Ir 1 А, Irm 250 мА) |
| Tj (макс.) | 150 °C |
| Rth(j-c) | 0,9 °C/Вт (DC) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 5R199P ( IPP50R199CP ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 0.18 Ом (тип.), 0.199 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 9,9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 139 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DH070N06 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 68 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 88 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 61 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 30 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 167 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCS199A1 ( NCS199A1SQT2G , ACQx ) оригінал, SC70-6
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Коефіцієнт підсилення | 50 В/В |
| Напруга живлення | 2,7–26 В |
| Синфазна напруга на вході | від −0,3 до 26 В |
| Струм споживання | тип. 65 мкА, макс. 100 мкА |
| Смуга пропускання (−3 дБ) | 100 кГц |
| Температура | від −40 до +125 °C |
| Корпус | SC70-6 |
| Маркування | ACQ |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSPF13N50 оригінал ( заміна для OSPF13N50C ) , TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 13 А при Tc 25 °C |
| Опір Rds(on) | 0.35 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 6,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd | 48 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1004B ( JMSH1004BC ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (V(BR)DSS мін., Id 250 мкА, Vgs 0) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 139 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 88 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм типово, 4.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 2.7 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3433 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSB65R099GF оригінал, TO247
В наявності
301,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LONTEN |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 26 А |
| Rds(on) | 0.086 Ом типово, 0.099 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово (Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 278 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод 60F60WT оригінал, TO247-2pin
В наявності
119,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Корпус | TO-247-2 |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 60 А (Tc 135 °C) |
| Ifsm | 480 А (t = 8,3 мс) |
| Vf (макс.) | 2,3 В (If 60 А, Tj 25 °C) |
| trr (макс.) | 55 нс (If 0,5 А, Ir 1 А, Irr 0,25 А) |
| Tj (макс.) | 175 °C |
| Rth(j-c) (макс.) | 0,34 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC21520 ( UCC21520DWR ) оригінал, SOIC-16-300mil
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий вихідний струм (source) | 4 А |
| Піковий вихідний струм (sink) | 6 А |
| Напруга живлення входу VCCI | 3–18 В |
| Напруга живлення виходів VDDA/VDDB | до 25 В |
| Ізоляція вхід-вихід | 5,7 кВ (RMS) |
| CMTI | не менше 125 В/нс |
| Температура переходу Tj | від −40 до +150 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOIC-16 (DW) |
| Число виводів | 16 |
| Стан | Оригінал |