Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусWB SOIC-14 (широкий)
СтанОригінал

Pai8233C ( PAI8233C-WR ) оригінальна мікросхема

100,11 ₴

55 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

55 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

Pai8233C (PAI8233C-WR) – оригінальна мікросхема: ізольований двоканальний драйвер MOSFET, IGBT та SiC MOSFET з програмованим мертвим часом, корпус WB SOIC-14.

ПараметрЗначення
КорпусWB SOIC-14 (широкий)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробник2Pai Semi
Кількість каналів2
Піковий струм виходу, джерело4 А (версія Pai8233)
Піковий струм виходу, втікання8 А (версія Pai8233)
Напруга ізоляції Viso5000 В (ефект.), WB SOIC-14, UL 1577, 1 хв
Робоча напруга ізоляції1200 В (пост.)
CMTI100 кВ/мкс
Затримка поширення19 нс (тип.), 30 нс (макс.)
Макс. частота5 МГц
Живлення VCCI3…5,5 В
Живлення VDDA / VDDB (макс.)25 В
Робоча температура-40…125 °C
КорпусWB SOIC-14 (широкий)
СтанОригінал
Опис

Pai8233C-WR – ізольований двоканальний драйвер затвора виробництва 2Pai Semi для MOSFET, IGBT та SiC MOSFET. Мертвий час програмується: DT (нс) = 10 × RDT (кОм). Піковий струм виходу для версії Pai8233: 4 А (джерело) і 8 А (втікання). Напруга ізоляції Viso 5000 В (ефект.) у корпусі WB SOIC-14 за UL 1577, 1 хв; робоча напруга ізоляції 1200 В (пост.). Стійкість до синфазних перепадів CMTI – 100 кВ/мкс, затримка поширення сигналу 19 нс (тип.), 30 нс (макс.), максимальна частота 5 МГц. Живлення вхідної сторони VCCI – 3…5,5 В, виходів VDDA / VDDB – до 25 В (абсолютний максимум 30 В). Поріг вмикання VDD у версії C – 8,7 В (8,3…9,2 В). Робоча температура -40…125 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Корпус WB SOIC-14 широкий, з 14 виводами: перед заміною порівняйте посадкове місце на платі. Прямі заміни за даними виробника: Pai8233B-WR, Pai8232C-WR, Pai8232B-WR; різницю між версіями B і C та між 8232 і 8233 дивіться в datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • DC-DC та AC-DC перетворювачі
  • Інвертори, ІБП, зарядні станції
  • Електромобілі та гібридні автомобілі (HEV, BEV)
Часто питають
Чим замінити Pai8233C-WR?

За даними виробника, прямі заміни – Pai8233B-WR, Pai8232C-WR, Pai8232B-WR. Версії відрізняються параметрами, тому порівняйте їх із datasheet перед установкою.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Які транзистори можна керувати цією мікросхемою?

Це драйвер для MOSFET, IGBT та SiC MOSFET. Піковий струм виходу версії Pai8233 – 4 А (джерело) і 8 А (втікання).

Як задається мертвий час?

Резистором RDT: DT (нс) = 10 × RDT (кОм).

Datasheet

Документація виробника: Pai8233C-WR (2Pai Semi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Pai8233C-WR (2Pai Semi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема NSI6801TBD оригінал ( NSI6801TB-DDBR ), DUB-8

В наявності

123,14 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусDUB8
Піковий струм джерела5,2 А
Піковий струм стоку5,4 А
Напруга живлення вихідної сторони, макс.32 В
Поріг UVLO при зростанні Vcc9,2 В
Напруга ізоляції5000 В (діюче)
CMTI150 кВ/мкс мін.
Робоча температура-40…+125 °C
СтанОригінал

Схожі товари

Мікросхема 24C16 ( ST24C16RP , AT24C16N . ST24C16WP , M24C16-RMN6TP ) , so-8

В наявності

22,09 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті16 Кбіт (2048 x 8)
ІнтерфейсTwo-wire (I2C-сумісний)
Напруга живлення Vcc2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису5 мс (максимум)
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних100 років
КорпусSO-8

Мікросхема IR2113S оригінал, so-16

В наявності

155,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
Канали2 незалежні (верхній і нижній)
Макс. напруга верхнього плеча (IR2113)600 В
Вихідний струм2 / 2 А
Напруга живлення VCC10–20 В
Затримка вмикання ton120 нс (typ)
Затримка вимикання toff94 нс (typ)
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Мікросхема KA7500BS оригінал ( KA7500B , KA7500BD ), so16

В наявності

123,14 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Опорна напруга Vref5,0 В (typ)
Робоча частота1–300 кГц
Макс. напруга VCC42 В
Макс. вихідний струм250 мА
Струм споживання6 мА (typ)
Температура0…+70 °C
КорпусSO-16
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.