Польові транзистори
Транзистор JCS9N90FT ( заміна для FQPF9N90CT , SVF9N90F , CS9N90F , AOTF9N90 , TF9N90 , FIR9N90F , HM9N90F ) оригінал(900V,9A), TO220F
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В |
| Струм Id при Tc 25 °C | 9 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 6.0 А |
| Rds(on) | 1.18 Ом типово, 1.35 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (Vds 720 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JJ SH1509A ( JMSH1509AC-U ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм Id (25 °C) | 90 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 55 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. / макс. | 9.0 / 10.9 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) мін. / тип. / макс. | 2.5 / 3.2 / 4.5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 179 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2181 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JVC085T ( VC085T ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік-витік Vds | 80 В |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 126 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 79 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 5,7 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0 / 3,0 / 4,0 В (мін. / тип. / макс.; Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs 0–10 В, Vds 40 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3503 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 173 Вт (Tc 25 °C), 69 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 57 нс (If 15 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор KEA30N50A оригінал демонтаж (заміна для KEA30N50 , KEA30N50C ) , TO247
В наявності
338,40 ₴
Транзистор KF9N25D ( KF9N25 ) оригінал ( заміна для FQD9N25 , TK8P25DA ) , D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 250 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 7,5 А (Tc 25 °C), 4,74 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,31 Ом тип., до 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,75 А) |
| Vth | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 14,5 нКл тип. (Vds 200 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 560 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 54,3 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KNP2404A оригінал, TO220
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 190 А (Tc 25 °C, обмеження кристалом; обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2.2 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А) |
| Vgs(th) | 2 В мін., 4 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (Vds 40 В, Vgs 10 В, Id 32 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6010 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 123 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KNP9120A оригінал, TO220
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 40 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 50 мОм тип., 65 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип., 120 нКл макс. (Vdd 100 В, Id 20 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Пряма напруга діода Vsd | 1.5 В макс. (Vgs 0 В, Is 40 А) |
| Час відновлення діода trr | 280 нс тип. (If 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSB65R099GF оригінал, TO247
В наявності
301,27 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LONTEN |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 26 А |
| Rds(on) | 0.086 Ом типово, 0.099 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (типово 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово (Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 278 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LSD65R280HT оригінал, TO220F
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lonten |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 9,8 А |
| Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (тип. 3,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (VDD = 400 В, ID = 7,5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1040 пФ (Vds 100 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 33,2 Вт (TO-220MF, Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор LX3205A оригінал , TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм тип., VGS = 10 В, ID = 55 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | LingXun |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna 60R280Q ( MMF60R280Q ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Напруга Vdss | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 13,8 А (Tc 25 °C); 8,7 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 41,4 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А, Tc 25 °C) |
| Qg | 25 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 13,8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 941 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 0,25 мА) |
| Vgs | ±30 В (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna 60R360P ( 60R360P7 , MMD60R360P, MMD60R360PRH ) , DPAK
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N (super junction) |
| Напруга Vds | 600 В (650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.8 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr | 375 нс (ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Vsd | 1.4 В макс. (ISD 11 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор Magnachip MDP1932 ( MDP1932TH ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | N-канал, trench |
| Напруга Vdss | 80 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 120 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 175 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id | 110 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,0 мОм типово, 3,4 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В, типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 7.2 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgss | ±20 В |
| Потужність Pd | 209 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MD20N65 оригінал, TO3P
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) макс. | 0.46 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD1051 (150V,28A,0.046R) , D-PAK(Заміна для IRFR18N15D )
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip Semicon |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 28 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 46 мОм макс. (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Qg | 19,6 нКл тип. (VDS 75 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1270 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,2–3,2 В |
| Pd | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор MDD14N25 оригінал (250V,17A)( Заміна для FQD6N25 , FDD7N25LZ ) , D-PAK
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мінімум) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 10,2 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 6,4 А |
| Імпульсний струм Idm | 40,8 А |
| Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS 10 В, ID 5,1 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (VDS 200 В, ID 14 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 741 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 69,4 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус Rthjc | 1,8 °C/Вт |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD1752 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 50 А при TC = 25 °C; 15.2 А при TA = 25 °C |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 8.0 мОм (макс.), 6.1 мОм (тип.) при ID = 14 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 10.5 мОм (макс.), 8.2 мОм (тип.) при ID = 11 А |
| Заряд затвора Qg | 26.4 нКл (тип.) при VDS = 20 В, ID = 14 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.0–3.0 В при ID = 250 мкА (тип. 1.7 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт при TC = 25 °C (3,1 Вт при TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | MagnaChip Semiconductor |
Транзистор MDD3752 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET P-канал (Trench) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | -40 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -43 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | -27 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-20 А) | 17 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-10 А) | 25 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1…-3 В |
| Заряд затвора Qg | 44,1 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2088 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 50 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор MDD5N40 ( D5N40 , MDD5N40RH , MDIS5N40 ) оригінал, D-PAK
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vdss | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 3,4 А (Tc 25 °C); 2,15 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,2 Ом тип., до 1,6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 1,7 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD5N50 ( MDD5N50RH ) оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 4.4 А при Tc 25 °C; 2.8 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 1.15 Ом (тип.), 1.4 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=2.2 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 12.2 нКл (тип.), 16 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 70 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N60 ( MDF11N60TH , 11N60 ) оригінал ( заміна для 11N60ES , 11N60E , FMV11N60ES , FQPF11N60 ), TO220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.55 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 5.5 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38.4 нКл (Vds 480 В, Id 11 А, Vgs 10 В, тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N65B оригінал ( MDF11N65BTH , 11N65 )( заміна для MMF65R600Q , 65R600Q , SMK0965G , SMK0965F , FQPF11N40C ) , TO220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом макс., 0.55 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 31 нКл тип. (Vds 520 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 49.6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF18N50B оригінал ( MDF18N50BTH )( заміна для MDF18N50G , MDF18N50 ) , TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,27 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 48 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2490 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 37 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор MDF9N50 оригінал демонтаж (заміна для FQPF9N50C , FQPF9N50CF , 9N50 , FQPF5N50C , 5N50C ), TO220F
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 9.0 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.5 А |
| Опір Rds(on) | 0.72 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 9.0 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 38 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MDP08N055 оригінал, TO220
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А (обмежений корпусом) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 92 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 мОм, макс. 5.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.8 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4137 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 188 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 480 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP18N50 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id при 25 °C | 18 А |
| Струм Id при 100 °C | 11 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 9 А | 0,22 Ом (тип.), 0,27 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2430 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 236 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP1921 ( MDP1921TH ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id при 25 °C | 153 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id при 100 °C | 97 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 50 А | 3,8 мОм (тип.), 4,5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 223 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP1991 ( MDP1991TH ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 100 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом); 87 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5,9 мОм макс.; 4,4 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 100 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP9N50 ( MDP9N50TH )(заміна для FQP9N50C ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 9.0 А при TC 25 °C, VGS=10 В; 5.5 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 0.72 Ом типово, макс. 0.85 Ом (VGS=10 В, ID=4.5 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 19 нКл типово (VDS=400 В, ID=9.0 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDU1511 оригінал, PowerDFN56
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | Trench MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 2,4 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А) |
| Заряд затвора Qg | 51,8 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 15 В, ID = 28 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3347 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78,1 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ME15N10 ( ME15N10-G , 15N10L ) оригінал, D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Matsuki |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id | 14.7 А (Tc 25 °C); 13.6 А (Tc 70 °C) |
| Rds(on) | 100 мОм макс., 80 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Vgs(th) | 1–3 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 24 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 882 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd | 34.7 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
